Редактировать
Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200
Последние изменения внес:
Id: 1573845
Внешний Id:
3b6495bd-ff1b-42ef-8a72-a6c7477a0391
Типичные цены:
66,747556 USD
-
359,535658 USD
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200 M471A1K43DB1-CWE | Patriot SO-DIMM DDR 4 DIMM 8Gb PC21300 2666MHz CT8G4SFRA266 | Samsung 8GB SODIMM DDR4 3200Mhz M471A1K43EB1-CWE | Crucial SODIMM 8GB DDR4 2666 MT/s PC4-21300 CT8G4SFRA266 | Neo Forza DDR4 SODIMM 8Gb PC4-21300 NMSO480E82-2666EA10 | QUMO SO-DIMM DDR4 8ГБ PC4-19200 2666MHz QUM4S-8G2666P19 | Transcend JM 8GB DDR4 3200MHz SODIMM JM3200HSG-8G | Samsung SO-DIMM DDR4 3200Mhz M471A1G44AB0-CWE | |
| Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль |
| Гарантия | 12 | 36 | 12 | 60 | 12 | 60 | ||
| Объем | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| Тип | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM |
| ECC | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Частота | 3200,000000 | 2666,000000 | 3200,000000 | 2666,000000 | 2666,000000 | 2666,000000 | 3200,000000 | 3200,000000 |
| PC-индекс | PC4-25600 | PC421300 | PC4-25600 | PC421300 | PC421300 | PC421300 | PC4-25600 | PC4-25600 |
| CAS Latency | 22T | 19Т | 22T | 19Т | 19Т | 19Т | 22T | 19Т |
| Тайминги | 22-22-22 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | |
| Вес | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | |
| Напряжение питания | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 |
| Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Ширина в упаковке | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | |
| Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Длина в упаковке | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | |
| Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет |
| Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Вес в упаковке | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | |
| Ёмкость микросхем | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | |||
| Тип микросхем | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | |||
| Число микросхем | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | ||
| Производитель микросхем | Samsung | Micron | Samsung | Samsung | ||||
| Расположение чипов | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | ||
| Количество ранков | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 |