Edit
Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200
Last editor:
Id: 1573845
External Id:
3b6495bd-ff1b-42ef-8a72-a6c7477a0391
Typical prices:
66.747556 USD
-
359.535658 USD
Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200 M471A1K43DB1-CWE | Patriot SO-DIMM DDR 4 DIMM 8Gb PC21300 2666MHz CT8G4SFRA266 | Samsung 8GB SODIMM DDR4 3200Mhz M471A1K43EB1-CWE | Crucial SODIMM 8GB DDR4 2666 MT/s PC4-21300 CT8G4SFRA266 | Neo Forza DDR4 SODIMM 8Gb PC4-21300 NMSO480E82-2666EA10 | QUMO SO-DIMM DDR4 8ГБ PC4-19200 2666MHz QUM4S-8G2666P19 | Transcend JM 8GB DDR4 3200MHz SODIMM JM3200HSG-8G | Samsung SO-DIMM DDR4 3200Mhz M471A1G44AB0-CWE | |
Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль |
Гарантия | 12 | 36 | 12 | 60 | 12 | 60 | ||
Объем | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
Тип | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM |
ECC | - | - | - | - | - | - | - | - |
Частота | 3200.000000 | 2666.000000 | 3200.000000 | 2666.000000 | 2666.000000 | 2666.000000 | 3200.000000 | 3200.000000 |
PC-индекс | PC4-25600 | PC421300 | PC4-25600 | PC421300 | PC421300 | PC421300 | PC4-25600 | PC4-25600 |
CAS Latency | 22T | 19Т | 22T | 19Т | 19Т | 19Т | 22T | 19Т |
Тайминги | 22-22-22 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | |
Вес | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | |
Напряжение питания | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 |
Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Ширина в упаковке | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | |
Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Длина в упаковке | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | |
Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет |
Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | - |
Вес в упаковке | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | |
Ёмкость микросхем | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | |||
Тип микросхем | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | |||
Число микросхем | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | ||
Производитель микросхем | Samsung | Micron | Samsung | Samsung | ||||
Расположение чипов | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | ||
Количество ранков | 1.000000 | 1.000000 | 1.000000 | 1.000000 | 1.000000 | 1.000000 | 1.000000 |