Edit
Samsung DDR4 16GB RDIMM 3200 1.2V DR
Last editor:
Id: 1519771
External Id:
319e755e-2d08-40be-a102-e8dcc5d52376
Typical prices:
66.747556 USD
-
359.535658 USD
Samsung DDR4 16GB RDIMM 3200 1.2V DR M393A2K43DB3-CWE | Samsung 16GB DDR4 3200MHz M393A2K43DB3-CWEBQ | Kingston DDR4 DIMM 16GB KSM26ED8/16HD | Samsung DDR4 16GB ECC UNB DIMM M391A2K43DB1-CVF | Samsung DDR-4 16GB PC4-23400 ECC Reg M393A2K43CB2-CVF | Micron 32GB DDR4-3200 ECC Registered MTA18ASF4G72PDZ-3G2 | Micron 16GB PC25600 MTA18ASF2G72PZ-3G2R1 | Crucial DDR4 32Gb DIMM ECC Reg PC4-23400 CL21 2933MHz MTA18ASF4G72PDZ-2G9E1 | |
Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль |
Гарантия | 60 | 12 | 12 | 12 | ||||
Объем | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 32 | 16 | 32 |
Тип | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered |
ECC | + | + | + | + | + | + | + | |
Частота | 3200.000000 | 3200.000000 | 2666.000000 | 2933.000000 | 2933.000000 | 3200.000000 | 3200.000000 | 2933.000000 |
PC-индекс | PC4-25600 | PC4-25600 | PC421300 | PC4-23400 | PC4-23400 | PC4-25600 | PC4-25600 | PC4-23400 |
CAS Latency | 22T | 22T | 19Т | 21T | 21T | 22T | 22T | 21T |
Тайминги | 22-22-22 | 22-22-22 | 19-19-19 | 21-21-21 | 21-21-21 | 22-22-22 | 22-22-22 | 21-21-21 |
Вес | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 |
Напряжение питания | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 |
Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Ширина в упаковке | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | ||
Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Длина в упаковке | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 |
Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет |
Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | - |
Вес в упаковке | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 |
Ёмкость микросхем | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит | |
Тип микросхем | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 | |
Число микросхем | 18.000000 | 18.000000 | 18.000000 | 18.000000 | 18.000000 | 19.000000 | 19.000000 | |
Производитель микросхем | Samsung | Samsung | Kingston | Samsung | Samsung | Micron | Micron | Micron |
Расположение чипов | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | ||
Количество ранков | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 |