Редактировать

Samsung DDR4 16GB RDIMM 3200 1.2V DR

Артикул: M393A2K43DB3-CWE EAN:
Последние изменения внес:
U9
Id: 1519771 Внешний Id: 319e755e-2d08-40be-a102-e8dcc5d52376 Типичные цены: 66,747556 USD - 359,535658 USD
Подтвержденные:

700x700 - (43129)

400x400 - (9341)

Исключенные:

476x476 - (29588)

804x197 - (133616)

804x197 - (133616)

500x500 - (22623)

804x197 - (133616)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Объем: 1 модуль 16Gb

Низкопрофильный модуль: нет

Объем одного модуля: 16 ГБ

Объем: - модуля по 0 МБ

Объем: 1 модуль 16Gb

Объем: 16 ГБ

Объем: - модуля по 0 МБ

Объём: 16Gb

Объем одного модуля: 16 ГБ

Суммарный объем: 16 ГБ

Общий объем памяти: 16 Gb

Объем одного модуля памяти: 16Gb

Общий объем памяти: 16 Gb

Общий объем памяти: 16 Gb

Гигабайты
Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: -

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Тип модуля памяти: DDR4

Буферизованная (Registered): да

Особенности: ECC Registered

Буферизованная (Registered): нет

ECC: да

Поддержка ECC: Есть

Поддержка ECC: есть

Поддержка ECC: Да

Особенности: ECC Registered

Поддержка ECC: Да

Поддержка ECC: -

Поддержка ECC: Да

Частота: 3200 МГц

Эффективная частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота, МГц: 3200

Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz

Рабочая частота, МГц: 3200

Тактовая частота, МГц: 3200

Тактовая частота, МГц: 3200

Мегагерцы
PC-индекс: PC4-25600

CAS Latency: 22T

CAS Latency: 22T

CAS Latency: 22T

CAS Latency: 22T

CAS Latency (CL): 22

Тайминги: 22-22-22

Тайминги: 22-22-22

Тайминги: 22

Тайминги: 22-22-22

Тайминги: 22-22-22

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Питание: 1.2 В

Вольты
Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Охлаждение: нет

Охлаждение: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная: Нет

Набор: 1 модуль

Профили XMP: нет

Профили AMP: нет

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 18

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество чипов на модуле: 16 шт

Количество контактов: 288

Количество контактов: 288

Количество рангов: 2

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1

Количество рангов: 2

Безразмерная величина
Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Тип микросхем: 1Gx8

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Емкость микросхем: 8 Гбит

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Питание: 1.2 В

Вольты
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Бренд: Samsung

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 18

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя

Технические характеристики: двустороннее

Частота: 3200 МГц

Эффективная частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота, МГц: 3200

Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz

Рабочая частота, МГц: 3200

Тактовая частота, МГц: 3200

Тактовая частота, МГц: 3200

Мегагерцы
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество чипов на модуле: 16 шт

Количество контактов: 288

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Гарантийный срок: 1 г.

Месяцы
Срок службы: 12 мес.

Месяцы
Поставка: Retail

Дни
Поставка: Retail

Дни
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Артикул производителя (Part Number): M393A2K43DB3-CWE

Сайт производителя: www.samsung.com

Вес брутто: 70 г

Килограммы
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Килограммы
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Питание: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество контактов: 288

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество чипов на модуле: 16 шт

Количество модулей в комплекте: 1

Килограммы
Килограммы
Безразмерная величина
Тип: DDR4 DIMM Registered

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Питание: 1.2 В

Назначение: для компьютера

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Количество рангов: 2