Edit
Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V
Last editor:
Id: 1503717
External Id:
b18fa557-1b5c-43de-b808-ceeb9e0d7930
Typical prices:
66.747556 USD
-
359.535658 USD
Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V M393A4G43AB3-CWE | Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V M393A4K40DB3-CWE | Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V M393A4K40DB2-CWE | Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V M393A4G40AB3-CWEGQ | Micron 32GB PC23466 REG MTA36ASF4G72PZ-2G9J3 | Micron 32GB DDR4-2666 MTA36ASF4G72PZ-2G6 | Crucial DDR4 32Gb RDIMM ECC Reg PC4-23466 CL21 2933MHz MTA18ASF4G72PDZ-2G9B2 | Micron 32GB DDR4-2933 MTA36ASF4G72PZ-2G9 | |
Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | |
Гарантия | 60 | |||||||
Объем | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | |
Тип | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | |
ECC | + | + | + | + | + | + | + | |
Частота | 3200.000000 | 3200.000000 | 3200.000000 | 2933.000000 | 2666.000000 | 2933.000000 | 2933.000000 | |
PC-индекс | PC4-25600 | PC4-25600 | PC4-25600 | PC4-23400 | PC421300 | PC4-23400 | PC4-23400 | |
CAS Latency | 22T | 21T | 21T | 19Т | 21T | 21T | ||
Тайминги | 22-22-22 | 22-22-22 | 21-21-21 | 19-19-19 | 21-21-21 | 21-21-21 | ||
Вес | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | |
Напряжение питания | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | |
Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | |
Ширина в упаковке | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 |
Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | |
Длина в упаковке | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 |
Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет | |
Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | |
Вес в упаковке | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | |
Ёмкость микросхем | 16 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 16 Гбит | |||
Тип микросхем | 2Gx8 | 2Gx4 | 2Gx4 | 2Gx4 | 2Gx8 | |||
Число микросхем | 36.000000 | 36.000000 | 20.000000 | |||||
Производитель микросхем | Samsung | Samsung | Samsung | Micron | Micron | Micron | Micron | |
Расположение чипов | двустороннее | двустороннее | двустороннее | |||||
Количество ранков | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 |