Редактировать
Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V
Последние изменения внес:
Id: 1503717
Внешний Id:
b18fa557-1b5c-43de-b808-ceeb9e0d7930
Типичные цены:
66,747556 USD
-
359,535658 USD
|
|
|
|
|
|
|
|||
| Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V M393A4G43AB3-CWE | Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V M393A4K40DB3-CWE | Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V M393A4K40DB2-CWE | Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V M393A4G40AB3-CWEGQ | Micron 32GB PC23466 REG MTA36ASF4G72PZ-2G9J3 | Micron 32GB DDR4-2666 MTA36ASF4G72PZ-2G6 | Crucial DDR4 32Gb RDIMM ECC Reg PC4-23466 CL21 2933MHz MTA18ASF4G72PDZ-2G9B2 | Micron 32GB DDR4-2933 MTA36ASF4G72PZ-2G9 | |
| Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | |
| Гарантия | 60 | |||||||
| Объем | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | |
| Тип | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | |
| ECC | + | + | + | + | + | + | + | |
| Частота | 3200,000000 | 3200,000000 | 3200,000000 | 2933,000000 | 2666,000000 | 2933,000000 | 2933,000000 | |
| PC-индекс | PC4-25600 | PC4-25600 | PC4-25600 | PC4-23400 | PC421300 | PC4-23400 | PC4-23400 | |
| CAS Latency | 22T | 21T | 21T | 19Т | 21T | 21T | ||
| Тайминги | 22-22-22 | 22-22-22 | 21-21-21 | 19-19-19 | 21-21-21 | 21-21-21 | ||
| Вес | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | |
| Напряжение питания | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | |
| Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | |
| Ширина в упаковке | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 |
| Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | |
| Длина в упаковке | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 |
| Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет | |
| Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | |
| Вес в упаковке | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | |
| Ёмкость микросхем | 16 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 16 Гбит | |||
| Тип микросхем | 2Gx8 | 2Gx4 | 2Gx4 | 2Gx4 | 2Gx8 | |||
| Число микросхем | 36,000000 | 36,000000 | 20,000000 | |||||
| Производитель микросхем | Samsung | Samsung | Samsung | Micron | Micron | Micron | Micron | |
| Расположение чипов | двустороннее | двустороннее | двустороннее | |||||
| Количество ранков | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 |