Поддержка ECC
Поддержка ECC
Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Частота: 2666 МГц
Частота: 2666 МГц
Частота: 2666 МГц
Частота: 2666 МГц
Частота: 2666 МГц
Рабочая частота: 2666 МГц
Тактовая частота: 2666 МГц
Тактовая частота: 2666 МГц
Эффективная частота: 2666 МГц
Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-21300 2666MHz
Мегагерцы
PC-индекс: PC3-21300
PC-индекс: PC3-21300
PC-индекс: PC3-21300
PC-индекс: PC3-21300
PC-индекс: PC3-21300
CAS Latency: 19T
CAS Latency: 19T
CAS Latency: 19T
CAS Latency: 19T
CAS Latency: 19T
CAS Latency: 19Т
CAS Latency: 19Т
CAS Latency (CL): 19
CAS Latency (CL): 19
CAS Latency (CL): 19
Тайминги: 19-19-19-43
Тайминги: 19-19-19-43
Тайминги: 19-19-19-43
Тайминги: 19-19-19-43
Тайминги: 19-19-19-43
Тайминги: 19-19-19-43
Тайминги: 19-19-19-43
Тайминги: 19-19-19-43
Тайминги (латентность): 19-19-19-43
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Вольты
Профили XMP: Нет
Профили XMP: нет
Профили XMP: Нет
Профили XMP: Нет
Профили XMP: Нет
Профили XMP: Нет
Профиль: XMP
Профили AMP: Нет
Профили AMP: нет
Профили AMP: Нет
Профили AMP: Нет
Профили AMP: нет
Профили AMP: Нет
Профили AMP: Нет
Профили AMP: Нет
Профили AMP: Нет
Профиль: XMP
Профили XMP: Нет
Профили XMP: нет
Профили XMP: Нет
Охлаждение: Да
Охлаждение: да
Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)
Охлаждение: Да
Охлаждение: Да
ECC: Нет
ECC: нет
ECC: Нет
ECC: Нет
Система охлаждения: пассивная (радиатор)
Низкопрофильный модуль: Нет
Низкопрофильный модуль: нет
Низкопрофильный модуль: Нет
Низкопрофильный модуль: Нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Низкопрофильная (Low Profile): Нет
Низкопрофильная (Low Profile): Нет
Профиль: XMP
Низкопрофильная
Низкопрофильная
Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Низкопрофильная: Нет
Объем: 16 Гб
Объем: 16 ГБ
Объем: 16 ГБ
Объем: 16 ГБ
Объем: 16 ГБ
Объем: 16 ГБ
Тип: DDR4
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с
Количество модулей: 1
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1
Безразмерная величина
Буферизованная (регистровая)
Буферизованная (регистровая)
Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с
Частота: 2666 МГц
Частота: 2666 МГц
Частота: 2666 МГц
Частота: 2666 МГц
Частота: 2666 МГц
Дополнительная информация: Частота памяти 2666 МГц
Частота памяти: 2666 МГц
Эффективная частота
Эффективная частота
Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 2666 МГц
Рабочая частота: 2666 МГц
Мегагерцы
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Количество рангов: 2
Количество рангов: 2
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с
Количество модулей: 1
Безразмерная величина
Гарантия: 60 мес.
Гарантия: 12 мес.
Гарантия: 60 мес.
Гарантия производителя: 30 лет
Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43
Основные характеристики: Основные характеристики
Напряжение питания
Напряжение питания
Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В
Месяцы
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров
Месяцы
Тип поставки: OEM
Поставка: Retail
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43
Вид поставки: Retail
Тип поставки: Retail
Вид поставки: Retail
Row Precharge Delay (tRP)
Row Precharge Delay (tRP)
Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 19
Страна: Тайвань
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 19
Дни
Тип поставки: OEM
Поставка: Retail
Вид поставки: Retail
Тип поставки: Retail
Вид поставки: Retail
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43
Страна производства: Китай
Гарантия производителя: 30 лет
Сайт производителя: http://patriotmemory.com/
Код производителя: PSP416G26662H1
Импортер/поставщик: ПоказатьООО "БВКомпьютерс" г. Минск, ул. Родниковая, 1а
Основные характеристики: Основные характеристики
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров
Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43
Поддержка ECC
Поддержка ECC
Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 19
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с
Буферизованная (регистровая)
Буферизованная (регистровая)
Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Дополнительная информация: Частота памяти 2666 МГц
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
CAS Latency (CL)
CAS Latency (CL)
Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 19
Подготовьте изображения товара и загрузите на сервер. Можно выбирать несколько изображений. Поддержиаемые форматы .jpg, .bmp, .png
Выберите изображения или перетащите их сюда
Изображения можно перетаскивать из Проводника, TotalComander или других вкладок браузера. Также можно вставить скопированные изображения нажатием Ctrl+V