Редактировать

Patriot DDR 4 DIMM 16Gb PC21300 2666Mhz

Артикул: PSP416G26662H1 EAN: 814914025826
Последние изменения внес:
U9
Id: 1373411 Внешний Id: fde9f12f-2ca2-4e3a-96b0-0409214fada1 Типичные цены: 12,802349 USD - 116,835413 USD
Подтвержденные:

1000x1000 - (63078)

1200x1190 - (200550)

1163x1200 - (205669)

Исключенные:

400x400 - (10574)

1000x248 - (57029)

500x124 - (12416)

533x133 - (12044)

500x136 - (60425)

500x124 - (12416)

404x421 - (39319)

1000x992 - (97327)

404x400 - (14091)

404x421 - (39319)

1000x991 - (257480)

970x1000 - (107214)

388x400 - (13909)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Объем: 1 модуль 16Gb

Объем: 16 Гб

Объем: 1 модуль 16Gb

Объем: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Объём: 16Gb

Объем модуля памяти: 16 Гб

Объем одного модуля: 16 Гб

Гигабайты
Тип: DDR4

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR-4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Проверка и коррекция ошибок (ECC): Нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: Нет

Особенности: NON-ECC

Поддержка ECC: Нет

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Рабочая частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Эффективная частота: 2666 МГц

Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-21300 2666MHz

Мегагерцы
PC-индекс: PC3-21300

PC-индекс: PC3-21300

PC-индекс: PC3-21300

PC-индекс: PC3-21300

PC-индекс: PC3-21300

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19Т

CAS Latency: 19Т

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

Тайминги: 19-19-19-43

Тайминги: 19-19-19-43

Тайминги: 19-19-19-43

Тайминги: 19-19-19-43

Тайминги: 19-19-19-43

Тайминги: 19-19-19-43

Тайминги: 19-19-19-43

Тайминги: 19-19-19-43

Тайминги (латентность): 19-19-19-43

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Вольты
Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профиль: XMP

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профиль: XMP

Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Охлаждение: Да

Охлаждение: да

Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Охлаждение: Да

Охлаждение: Да

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Профиль: XMP

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Низкопрофильная: Нет

Объем: 16 Гб

Объем: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Тип: DDR4

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с

Количество модулей: 1

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Вольты
Производитель: Patriot

Производитель: Patriot

Производитель: Patriot

Производитель: PATRIOT MEMORY

Бренд: Patriot

Производитель бренда: Патриот Мемору ЛЛЦ. 47027 Бенициа Стреет, Фремонт, ЦА 94538, УСА.(Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USA.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.onlypatriot.com/ru/

Сайт производителя: www.patriotmemory.com

Гарантия производителя: 30 лет

Сайт производителя: http://patriotmemory.com/

Код производителя: PSP416G26662H1

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Дополнительная информация: Частота памяти 2666 МГц

Частота памяти: 2666 МГц

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 2666 МГц

Рабочая частота: 2666 МГц

Мегагерцы
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с

Количество модулей: 1

Безразмерная величина
Гарантия: 60 мес.

Гарантия: 12 мес.

Гарантия: 60 мес.

Гарантия производителя: 30 лет

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43

Основные характеристики: Основные характеристики

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В

Месяцы
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Тип поставки: OEM

Поставка: Retail

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43

Вид поставки: Retail

Тип поставки: Retail

Вид поставки: Retail

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 19

Страна: Тайвань

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 19

Дни
Тип поставки: OEM

Поставка: Retail

Вид поставки: Retail

Тип поставки: Retail

Вид поставки: Retail

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 19

Дни
Производитель: Patriot

Производитель: Patriot

Производитель: PATRIOT MEMORY

Производитель: Patriot

Производитель бренда: Патриот Мемору ЛЛЦ. 47027 Бенициа Стреет, Фремонт, ЦА 94538, УСА.(Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USA.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.onlypatriot.com/ru/

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43

Страна производства: Китай

Гарантия производителя: 30 лет

Сайт производителя: http://patriotmemory.com/

Код производителя: PSP416G26662H1

Импортер/поставщик: ПоказатьООО "БВКомпьютерс" г. Минск, ул. Родниковая, 1а

Основные характеристики: Основные характеристики

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 19

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

Вес: 0.046 кг

Вес: 34 г

Вес: 0.046 кг

Габариты и вес: Габариты и вес

Размеры, вес: н/д

Килограммы
Ширина: 13.3 см

Сантиметры
Сантиметры
Высота: 3.7 см

Сантиметры
Вес: 0.046 кг

Вес: 34 г

Вес: 0.046 кг

Килограммы
Производитель: Patriot

Производитель бренда: Патриот Мемору ЛЛЦ. 47027 Бенициа Стреет, Фремонт, ЦА 94538, УСА.(Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USA.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.onlypatriot.com/ru/

Страна производства: Китай

Производитель: Patriot

Производитель: PATRIOT MEMORY

Страна: Тайвань

Производитель: Patriot

Гарантия производителя: 30 лет

Питание: 1.2 В

Профиль: XMP

Ширина: 13.3 см

Сантиметры
Сантиметры
Высота: 3.7 см

Сантиметры
Ширина: 13.3 см

Сантиметры
Сантиметры
Высота: 3.7 см

Сантиметры
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество контактов: 288

Вес: 34 г

Килограммы
Вес: 34 г

Килограммы
ECC: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Безразмерная величина
ECC: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Проверка и коррекция ошибок (ECC): Нет

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Поддерживаемые режимы работы: 1600, 1866, 2000, 2133, 2400 МГц

Тип: DDR4

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Вид поставки: Retail

Вид памяти: DDR4

Вид поставки: Retail

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Питание: 1.2 В

Назначение: для компьютера

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Проверка и коррекция ошибок (ECC): Нет

Конструкция модуля памяти: двусторонняя

Буферизация (Registered): Нет

Производитель бренда: Патриот Мемору ЛЛЦ. 47027 Бенициа Стреет, Фремонт, ЦА 94538, УСА.(Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USA.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.onlypatriot.com/ru/

Дополнительная информация: Частота памяти 2666 МГц

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с

Цвет: черный

Цвет: черный

Цвет: черный

Цвет: черный

Цвет: черный

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 19

Конструкция модуля памяти: двусторонняя

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM

Нет файла. Удалите значение свойства для выбора файла.