Поддержка ECC
Поддержка ECC
Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Поддержка ECC: нет
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
тактовая частота: 3200 МГц
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Megahertz
CAS Latency (CL): 22
CAS Latency (CL)
CAS Latency (CL)
Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 22
тайминги: 22-22-22-52
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.2 В
напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Volts
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Низкопрофильная
Низкопрофильная
Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Низкопрофильная
Низкопрофильная
Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Низкопрофильная
Низкопрофильная
Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Объем: 1 модуль 32 ГБ
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM
Dimensionless quantity
Буферизованная (регистровая)
Буферизованная (регистровая)
Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Dimensionless quantity
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Volts
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Эффективная частота
Эффективная частота
Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Megahertz
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM
Dimensionless quantity
Гарантия: 1 год
Гарантийный срок: 10 лет
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52
Напряжение питания
Напряжение питания
Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В
Months
Months
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52
Row Precharge Delay (tRP)
Row Precharge Delay (tRP)
Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22
Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb
Тип поставки: один модуль 1x32Gb
Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb
Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb
Тип поставки: один модуль 1x32Gb
Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb
Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb
Вид поставки: Blister Pack/Street Retail
Days
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22
Days
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52
Артикул производителя (Part Number): PSD432G32002
Row Precharge Delay (tRP)
Row Precharge Delay (tRP)
Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22
Напряжение питания
Напряжение питания
Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22
Поддержка ECC
Поддержка ECC
Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Kilograms
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Centimeters
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Centimeters
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Centimeters
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Kilograms
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Centimeters
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Centimeters
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Centimeters
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Centimeters
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Centimeters
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Centimeters
Количество ранков: 2
Количество ранков: 2
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Kilograms
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт
Kilograms
Dimensionless quantity
тип: DDR4 DIMM 288-pin
Вид поставки: Blister Pack/Street Retail
Буферизованная (регистровая)
Буферизованная (регистровая)
Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM
Prepare product images and upload to the server. You can select multiple images. Supported formats .jpg, .bmp, .png
Выберите изображения или перетащите их сюда
Изображения можно перетаскивать из Проводника, TotalComander или других вкладок браузера. Также можно вставить скопированные изображения нажатием Ctrl+V