Редактировать

Patriot Memory DDR 4 DIMM 32Gb PC25600 3200Mhz

Артикул: PSD432G32002 EAN: 814914027158
Последние изменения внес:
U4
Id: 1373409 Внешний Id: 150f0420-179a-40a8-80fe-3924585fafcb Типичные цены: 13,926661 USD - 123,402799 USD
Подтвержденные:

2000x460 - (156189)

500x500 - (66883)

2000x784 - (157812)

2000x752 - (149410)

672x2000 - (169530)

648x2000 - (178869)

2000x460 - (138060)

550x550 - (77332)

550x550 - (58018)

550x550 - (43059)

500x500 - (64761)

500x500 - (63396)

500x500 - (42505)

500x500 - (38998)

500x500 - (30591)

500x500 - (27318)

500x500 - (23518)

Исключенные:

640x160 - (22182)

500x115 - (14476)

Название Подказки Значение Единица измерения
Объем: 1 модуль 32 ГБ

Объем одного модуля: 16 Гб

Объем одного модуля: 32 Гб

Объем одного модуля: 16 Гб

Объем одного модуля: 32 Гб

Объем одного модуля: 32 Гб

Объем одного модуля: 16 Гб

Объем одного модуля: 16 Гб

Объем одного модуля: 32 ГБ

Объем одного модуля: 32 Гб

Объем: 1 модуль 32 ГБ

Объем одного модуля: 16 Гб

Общий объем памяти: 32 Гб

Общий объем памяти: 32 Гб

Объем одного модуля: 32 Гб

Общий объем памяти: 32 Гб

Объем одного модуля: 16 Гб

Общий объем памяти: 16 Гб

Объем одного модуля: 32 Гб

Общий объем памяти: 32 Гб

Гигабайты
тип: DDR4 DIMM 288-pin

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

Поддержка ECC: нет

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

тактовая частота: 3200 МГц

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3200 МГц

Мегагерцы
CAS Latency (CL): 22

CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 22

тайминги: 22-22-22-52

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.2 В

напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Вольты
Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Объем: 1 модуль 32 ГБ

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 288

Безразмерная величина
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Вольты
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Мегагерцы
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 288

Безразмерная величина
Гарантия: 1 год

Гарантийный срок: 10 лет

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В

Месяцы
Месяцы
Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22

Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb

Тип поставки: один модуль 1x32Gb

Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb

Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb

Тип поставки: один модуль 1x32Gb

Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb

Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22

Дни
RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22

Дни
Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52

Артикул производителя (Part Number): PSD432G32002

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

Килограммы
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Килограммы
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с

Количество контактов: 288

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Килограммы
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Килограммы
Безразмерная величина
тип: DDR4 DIMM 288-pin

Вид поставки: Blister Pack/Street Retail

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM