Edit

Samsung 32GB DDR3-1866 ECC Registered

Category: Оперативная память

Article: M386B4G70DM0-CMA Ean: 2019810975413

Last editor:

Id: 1220709 External Id: f1fc1d8e-a74e-4f55-9790-8e1d74747ed3 Typical prices: 66.747556 USD - 359.535658 USD

Validated:

1482x352 - (143314)

1024x1024 - (50537)

700x700 - (41342)

700x500 - (37740)

Excluded:

455x455 - (36037)

1482x352 - (143314)

334x154 - (13405)

200x92 - (5334)

Only required properties

Name	Hints	Value	Unit
Набор	Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Низкопрофильный модуль: нет Низкопрофильный модуль: Нет
Объем	Объем: 32 ГБ Объем: 32 ГБ Объем: 32 ГБ Объем: 32 ГБ Объем: 32 ГБ Объём: 32 ГБ Объем памяти: 32 ГБ Объем одного модуля: 32 Гб Общий объем: 32 Гб Общий объем: 32 Гб		Gigabytes
Тип	Тип: DDR3 DIMM Registered Тип: DDR3 DIMM Registered Тип: DDR3 DIMM Registered Тип: DDR3 DIMM Registered Тип: DDR3 DIMM Registered Тип: DDR3 DIMM Registered Тип памяти: оперативная память DDR3 Тип памяти: оперативная память DDR3 Тип пам'яті: DDR3 Тип памяти: DDR3
ECC	ECC: есть ECC: да ECC: есть ECC: Да ECC: Да ECC: Да ECC: Есть Додатково: ECC, Registered Дополнительно: ECC, Registered Поддержка ECC: Да
Частота	Частота: 1866 МГц Частота: 1866 МГц Частота: 1866 МГц Частота: 1866 МГц Частота: 1866 МГц Частота: 1866 МГц Частота пам'яті: 1866 МГц Частота памяти: 1866 MHz Тактовая частота: 1866 МГц Тактовая частота: 1866 МГц		Megahertz
PC-индекс	PC-индекс: PC3-14900 PC-индекс: PC3-14900 PC-индекс: PC3-14900 PC-индекс: PC3-14900 PC-индекс: PC3-14900 PC-индекс: PC3-14900 PC-индекс: PC3-14900 PC-индекс: PC3-14900
CAS Latency	CAS Latency: 13T CAS Latency: 13 Т CAS Latency: 13T CAS Latency: 13 Т CAS Latency: 13T CAS Latency: 13T CAS Latency: 13T CAS Latency: 13T CAS Latency: 13T CAS Latency: 13T
Тайминги	Тайминги: 13-13-13 Тайминги: 13-13-13 Тайминги: 13-13-13 Тайминги: 13-13-13 Тайминги: 13-13-13 Тайминги: 13-13-13 Тайминги: 13-13-13 Тайминги: 13-13-13 Тайминги: 13-13-13 Тайминги: 13-13-13
Напряжение питания	Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение: 1.35 V Напряжение питания, В: 1.35		Volts
Профили XMP	Профили XMP: нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили AMP: нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет
Профили AMP	Профили AMP: нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили XMP: нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет
Охлаждение	Охлаждение: да Охлаждение: Да Охлаждение: Да Охлаждение: Да Охлаждение: Есть
Низкопрофильный модуль	Низкопрофильный модуль: нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль
Ёмкость микросхем	Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Тип микросхем: 2Gx4 Число микросхем: 36 Число микросхем: 36 Тип микросхем: 2Gx4
Тип микросхем	Тип микросхем: 2Gx4 Тип микросхем: 2Gx4 Тип микросхем: 2Gx4 Тип микросхем: 2Gx4 Тип микросхем: 2Gx4 Тип микросхем: 2Gx4 Тип микросхем: 2Gx4 Тип микросхем: 2Gx4 Тип микросхем: 2Gx4 Число микросхем: 36
Количество банков	Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество модулей в комплекте: 1 Количество рангов: 4 Количество планок в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1		Dimensionless quantity
Число микросхем	Число микросхем: 36 Число микросхем: 36 Число микросхем: 36 Число микросхем: 36 Число микросхем: 36 Число микросхем: 36 Число микросхем: 36 Число микросхем: 36 Число микросхем: 36 Тип микросхем: 2Gx4		Dimensionless quantity
Напряжение питания при разгоне	Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания, В: 1.35 Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания, В: 1.35		Volts
Производитель микросхем	Производитель: Samsung Производитель: Samsung Производитель: Samsung Производитель: Samsung Производитель: Samsung Бренд: Samsung Тип микросхем: 2Gx4 Число микросхем: 36 Число микросхем: 36 Тип микросхем: 2Gx4
Расположение чипов	Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: Двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: Двустороннее Расположение чипов: Двустороннее Напряжение: 1.35 V
Частота при разгоне	Частота: 1866 МГц Частота: 1866 МГц Частота: 1866 МГц Частота: 1866 МГц Частота: 1866 МГц Частота: 1866 МГц Частота пам'яті: 1866 МГц Частота памяти: 1866 MHz Частота памяти: 1866 МГц Тактовая частота: 1866 МГц		Megahertz
Количество ранков	Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество рангов: 4 Количество рангов: 4 Количество рангов: 4 Количество модулей в комплекте: 1		Dimensionless quantity
Гарантия *	Гарантия: 12 мес. Гарантия, мес: 60 Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных Гарантія, міс: 60		Months
Срок службы *	Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров		Months
Время доставки по стране			Days
Время доставки по городу			Days
Производитель (страна, завод) *	Производитель: Samsung Производитель: Samsung Производитель: Samsung Производитель: Samsung Производитель: Samsung Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/ Страна производства: Китай Примечание: Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления	Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон-Си, 443-742, Корея.
Импортер	Импортер/поставщик: ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11	Бытовая техника: ООО "Аймдистри", 220040, г. Минск, ул. Некрасова, д.39/1, каб. 435 / Печатное оборудование: ООО "ЭлкоТелеком", 220090, г. Минск, тр. ЛОГОЙСКИЙ, дом № 22, корпус А, офис 41
Сервисные центры	Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных	СЦ «Летта» (ЗАО «Быттехносервис») Минск, ул. Маяковского, 14аSamsung Сервис Плаза (СООО «Кенфордбел»), г. Минск ул. Якуба Коласа, д. 1ОДО "БРСЦ-Аспирс", Минск, пр-т Независимости, 123 к.3
Комментарий	Примечание: Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления	Собственная курьерская служба. Быстрая доставка в любую точку РБ. 80 пунктов самовывоза. Сервисная поддержка и доп. гарантия. Карты рассрочек Халва, Карта покупок, Черепаха, карта FUN и др. Рассрочка и кредит online до 36 месяцев. Работаем по безналу.
Вес *			Kilograms
Ширина в упаковке *			Centimeters
Длина в упаковке *			Centimeters
Высота в упаковке *			Centimeters
Вес в упаковке *			Kilograms
Страна-производитель *	Производитель: Samsung Производитель: Samsung Страна производства: Китай Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/ Производитель: Samsung Производитель: Samsung Производитель: Samsung Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В
Ширина в упаковке 2			Centimeters
Длина в упаковке 2			Centimeters
Высота в упаковке 2			Centimeters
Ширина в упаковке 3			Centimeters
Длина в упаковке 3			Centimeters
Высота в упаковке 3			Centimeters
Количество упаковок	Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество рангов: 4 Количество рангов: 4 Количество рангов: 4 Количество модулей в комплекте: 1
Сборка
Вес упаковки 2			Kilograms
Вес упаковки 3			Kilograms
Честный знак	ECC: есть ECC: есть ECC: Есть
ТН ВЭД *			Dimensionless quantity
Акцизы
Прослеживаемый товар
Видео	Тип: DDR3 DIMM Registered Тип: DDR3 DIMM Registered Тип: DDR3 DIMM Registered Тип: DDR3 DIMM Registered Тип: DDR3 DIMM Registered Тип: DDR3 DIMM Registered Примечание: Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления Вид памяти: DDR3 Вид памяти: DDR3 Вид памяти: DDR3
Родитель	Количество рангов: 4 Количество рангов: 4 Количество рангов: 4 Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания, В: 1.35 Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В
Акция	Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Свойства товаров из библиотеки

Description

options generate description auto-validation

Product	All+ All-

Модуль пам'яті для сервера DDR3 32Gb Samsung (M386B4G70DM0-CMA) - це модулі пам'яті з контролем парності і корекцією помилок, а також додатковою функціональністю для забезпечення більшої стабільності (реєстрова буферізована пам'ять), створені за відмінним від використовуваних в десктопних продуктах стандартам і сертифіковані для застосування в серверах. Серверні модулі пам'яті відрізняються повною сумісністю з обладнанням, програмним забезпеченням і діагностичними інструментами тих комп'ютерних систем, для яких вони спроектовані. Фіксована специфікація матеріалів, перевірених на сумісність з кожної з систем, забезпечує точну сумісність модулів пам'яті Kingston з сучасними інструментами упреждающей діагностики збоїв серверної пам'яті. Модуль пам'яті для сервера DDR3 32Gb Samsung (M386B4G70DM0-CMA) характеризується підвищеною "відмовостійкістю".
1 модуль, частота 1866 МГц, CL 13T, тайминги 13-13-13, напряжение 1.35 В
Оперативная память DDR3 Samsung M386B4G70DM0-CMA; Тип памяти: оперативная память DDR3; Общий объем: 32 Гб; Форм-фактор: LRDIMM; Тактовая частота: 1866 МГц; Назначение: для системного блока
TDP: 5 Вт; Тип: DDR3 DIMM Registered; Набор: 1 модуль; Объём: 32 ГБ; ECC: Есть; Частота: 1866 МГц; PC-индекс: PC3-14900; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency: 13T; Тайминги: 13-13-13; Охлаждение: Есть
Для сервера, 32 Gb, DDR3, 1866 МГц, количество модулей - 1, тайминги 13-13-13, радиатор, напряжение 1.35 В.
Для сервера, 32 Gb, DDR3, 1866 МГц, количество модулей - 1, тайминги 13-13-13, радиатор, напряжение 1.35 В.