Редактировать

Samsung 32GB DDR3-1866 ECC Registered

Артикул: M386B4G70DM0-CMA EAN: 2019810975413
Последние изменения внес:
U9
Id: 1220709 Внешний Id: f1fc1d8e-a74e-4f55-9790-8e1d74747ed3 Типичные цены: 66,747556 USD - 359,535658 USD
Подтвержденные:

1482x352 - (143314)

1024x1024 - (50537)

700x700 - (41342)

700x500 - (37740)

Исключенные:

455x455 - (36037)

455x455 - (36037)

1482x352 - (143314)

1482x352 - (143314)

334x154 - (13405)

200x92 - (5334)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объём: 32 ГБ

Объем памяти: 32 ГБ

Объем одного модуля: 32 Гб

Общий объем: 32 Гб

Общий объем: 32 Гб

Гигабайты
Тип: DDR3 DIMM Registered

Тип: DDR3 DIMM Registered

Тип: DDR3 DIMM Registered

Тип: DDR3 DIMM Registered

Тип: DDR3 DIMM Registered

Тип: DDR3 DIMM Registered

Тип памяти: оперативная память DDR3

Тип памяти: оперативная память DDR3

Тип пам'яті: DDR3

Тип памяти: DDR3

ECC: есть

ECC: да

ECC: есть

ECC: Да

ECC: Да

ECC: Да

ECC: Есть

Додатково: ECC, Registered

Дополнительно: ECC, Registered

Поддержка ECC: Да

Частота: 1866 МГц

Частота: 1866 МГц

Частота: 1866 МГц

Частота: 1866 МГц

Частота: 1866 МГц

Частота: 1866 МГц

Частота пам'яті: 1866 МГц

Частота памяти: 1866 MHz

Тактовая частота: 1866 МГц

Тактовая частота: 1866 МГц

Мегагерцы
PC-индекс: PC3-14900

PC-индекс: PC3-14900

PC-индекс: PC3-14900

PC-индекс: PC3-14900

PC-индекс: PC3-14900

PC-индекс: PC3-14900

PC-индекс: PC3-14900

PC-индекс: PC3-14900

CAS Latency: 13T

CAS Latency: 13 Т

CAS Latency: 13T

CAS Latency: 13 Т

CAS Latency: 13T

CAS Latency: 13T

CAS Latency: 13T

CAS Latency: 13T

CAS Latency: 13T

CAS Latency: 13T

Тайминги: 13-13-13

Тайминги: 13-13-13

Тайминги: 13-13-13

Тайминги: 13-13-13

Тайминги: 13-13-13

Тайминги: 13-13-13

Тайминги: 13-13-13

Тайминги: 13-13-13

Тайминги: 13-13-13

Тайминги: 13-13-13

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение: 1.35 V

Напряжение питания, В: 1.35

Вольты
Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Охлаждение: да

Охлаждение: Да

Охлаждение: Да

Охлаждение: Да

Охлаждение: Есть

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Число микросхем: 36

Тип микросхем: 2Gx4

Число микросхем: 36

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Число микросхем: 36

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество модулей в комплекте: 1

Количество рангов: 4

Количество планок в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания, В: 1.35

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания, В: 1.35

Вольты
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Бренд: Samsung

Число микросхем: 36

Тип микросхем: 2Gx4

Число микросхем: 36

Тип микросхем: 2Gx4

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Напряжение: 1.35 V

Частота: 1866 МГц

Частота: 1866 МГц

Частота: 1866 МГц

Частота: 1866 МГц

Частота: 1866 МГц

Частота: 1866 МГц

Частота пам'яті: 1866 МГц

Частота памяти: 1866 MHz

Частота памяти: 1866 МГц

Тактовая частота: 1866 МГц

Мегагерцы
Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество рангов: 4

Количество рангов: 4

Количество рангов: 4

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Гарантия: 12 мес.

Гарантия, мес: 60

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантія, міс: 60

Месяцы
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Дни
Дни
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Страна производства: Китай

Примечание: Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления

Импортер/поставщик: ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Примечание: Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления

Килограммы
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Килограммы
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Страна производства: Китай

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество ранков: 4

Количество рангов: 4

Количество рангов: 4

Количество рангов: 4

Количество модулей в комплекте: 1

Килограммы
Килограммы
ECC: есть

ECC: есть

ECC: Есть

Безразмерная величина
Тип: DDR3 DIMM Registered

Тип: DDR3 DIMM Registered

Тип: DDR3 DIMM Registered

Тип: DDR3 DIMM Registered

Тип: DDR3 DIMM Registered

Тип: DDR3 DIMM Registered

Примечание: Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления

Вид памяти: DDR3

Вид памяти: DDR3

Вид памяти: DDR3

Количество рангов: 4

Количество рангов: 4

Количество рангов: 4

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания, В: 1.35

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/