Edit
Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 2666
Last editor:
Id: 1191588
External Id:
f25b0918-38f3-4200-a7d3-591c74a6be21
Typical prices:
66.747556 USD
-
359.535658 USD
Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 2666 M378A4G43MB1-CTD | Samsung DDR4 32GB UNB SODIMM 2666 M471A4G43MB1-CTD | Transcend 32GB SO-DIMM DDR4 2666МГц, JM2666HSE-32G | Samsung DDR4 32GB UNB SODIMM 3200 M471A4G43AB1-CWE | Transcend DDR4 JM3200HLE-32G | Kingston SODIMM 32GB 2666MHz DDR4 Non-ECC KVR26S19D8/32 | Kingston DRAM 32GB 3200MHz DDR4 Non-ECC CL22 KVR32S22D8/32 | Kingston Branded DDR4 32GB PC4-25600 3200MHz DR x8 SO-DIMM KCP432SD8/32 | |
Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль |
Гарантия | 12 | 12 | 60 | 12 | 60 | 60 | ||
Объем | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
Тип | DDR4 DIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM |
ECC | - | - | - | - | - | - | - | - |
Частота | 2666.000000 | 2666.000000 | 2666.000000 | 3200.000000 | 3200.000000 | 2666.000000 | 3200.000000 | 3200.000000 |
PC-индекс | PC421300 | PC421300 | PC421300 | PC4-25600 | PC4-25600 | PC421300 | PC4-25600 | PC4-25600 |
CAS Latency | 19Т | 19Т | 22T | 22T | 19Т | 22T | 22T | |
Тайминги | 19-19-19 | 19-19-19 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | 22-22-22 | 22-22-22 | |
Вес | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | |
Напряжение питания | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 | 1.200000 |
Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Ширина в упаковке | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 8.000000 | 9.500000 | 9.500000 | ||
Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Длина в упаковке | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 15.000000 | 0.500000 | 0.500000 | |
Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет |
Высота в упаковке | 9.500000 | 9.500000 | ||||||
Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | - |
Вес в упаковке | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | 0.200000 | |
Ёмкость микросхем | 16 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит | |
Тип микросхем | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 | |
Число микросхем | 16.000000 | 16.000000 | 16.000000 | 16.000000 | 16.000000 | 16.000000 | 16.000000 | |
Производитель микросхем | Samsung | Samsung | Samsung | Kingston | Kingston | Kingston | ||
Расположение чипов | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | |
Количество упаковок | 1 | |||||||
Количество ранков | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 | 2.000000 |