Редактировать

Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 2666

Артикул: M378A4G43MB1-CTD EAN: 7640143874286
Последние изменения внес:
U2
Id: 1191588 Внешний Id: f25b0918-38f3-4200-a7d3-591c74a6be21 Типичные цены: 66,747556 USD - 359,535658 USD
Подтвержденные:

1000x1000 - (55474)

Исключенные:

600x162 - (98209)

400x400 - (14296)

689x555 - (99195)

804x197 - (133616)

804x197 - (133616)

804x197 - (133616)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Объем: 1 модуль 32Gb 1 модуль 32Gbсмотреть в других: моделях Samsung оперативных памятях всех производителей

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Суммарный объем: 32 ГБ

Объем одного модуля: 32 ГБ

Объем модуля, Гб: 32 Гб

Суммарный объем памяти всего комплекта: 32 Гб

Гигабайты
Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Поддержка ECC: Нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: Нет

Поддержка ECC: Нет

Поддержка ECC: Нет

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Эффективная частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц 2666 МГцсмотреть в других: моделях Samsung оперативных памятях всех производителей

Тактовая частота, Мгц: 2666 МГц

Тактовая частота, МГц: 2666

Тактовая частота, МГц: 2666

Мегагерцы
PC-индекс: PC4-21300

PC-индекс: PC4-21300

PC-индекс: PC4-21300

PC-индекс: PC4-21300

PC-индекс: PC4-21300

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19Т

CAS Latency: 19Т

CAS Latency: 19Т

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Вольты
Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Охлаждение: нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная: Нет

Набор: 1 модуль

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Емкость микросхем: 16 Гбит

Емкость микросхем: 16 Гбит

Емкость микросхем: 16 Гбит

Тип микросхем: 2Gx8

Число микросхем: 16

Тип микросхем: 2Gx8

Тип микросхем: 2Gx8

Тип микросхем: 2Gx8

Тип микросхем: 2Gx8

Тип микросхем: 2Gx8

Тип микросхем: 2Gx8

Тип микросхем: 2Gx8

Тип микросхем: 2Gx8

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество чипов: 16

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 288 288смотреть в других: моделях Samsung оперативных памятях всех производителей

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Безразмерная величина
Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Тип микросхем: 2Gx8

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Вольты
Производитель: Samsung

Бренд: Samsung

Бренд: Samsung

Тип микросхем: 2Gx8

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Тип микросхем: 2Gx8

Число микросхем: 16

Тип микросхем: 2Gx8

Тип микросхем: 2Gx8

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Упаковка чипов: двусторонняя

Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Эффективная частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц 2666 МГцсмотреть в других: моделях Samsung оперативных памятях всех производителей

Тактовая частота, Мгц: 2666 МГц

Тактовая частота, МГц: 2666

Тактовая частота, МГц: 2666

Мегагерцы
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество чипов: 16

Количество контактов: 288

Безразмерная величина
Гарантия: 12 мес.

Гарантия: СЦ производителя

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Тип поставки: один модуль 1x32Gb

Дни
Дни
Производитель: Samsung Samsungсмотреть в других: моделях Samsung оперативных памятях всех производителей

Производитель: Samsung

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Гарантия: СЦ производителя

Страна производства: Китай

Пропускная способность: 21300 Мб/с 21300 Мб/ссмотреть в других: моделях Samsung оперативных памятях всех производителей

Артикул производителя (Part Number): M378A4G43MB1-CTD

Тактовая частота: 2666 МГц 2666 МГцсмотреть в других: моделях Samsung оперативных памятях всех производителей

Количество контактов: 288 288смотреть в других: моделях Samsung оперативных памятях всех производителей

Форм фактор: DIMM DIMMсмотреть в других: моделях Samsung оперативных памятях всех производителей

Импортер/поставщик: ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Вес брутто: 100 г

Вес (брутто, кг): 0.15

Килограммы
Упаковка чипов: двусторонняя

Сантиметры
Упаковка чипов: двусторонняя

Сантиметры
Упаковка чипов: двусторонняя

Сантиметры
Упаковка чипов: двусторонняя

Килограммы
Производитель: Samsung Samsungсмотреть в других: моделях Samsung оперативных памятях всех производителей

Производитель: Samsung

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Страна производства: Китай

Гарантия: СЦ производителя

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Упаковка чипов: двусторонняя

Сантиметры
Упаковка чипов: двусторонняя

Сантиметры
Упаковка чипов: двусторонняя

Сантиметры
Упаковка чипов: двусторонняя

Сантиметры
Упаковка чипов: двусторонняя

Сантиметры
Упаковка чипов: двусторонняя

Сантиметры
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество чипов: 16

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество контактов: 288

Упаковка чипов: двусторонняя

Килограммы
Упаковка чипов: двусторонняя

Килограммы
ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Безразмерная величина
ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/