Редактировать

Samsung DDR2-800 PC2-6400 2GB

Категория: Оперативная память

Артикул: M470T5663FB3-CF7 EAN:

Последние изменения внес:

Id: 1767353 Внешний Id: 3d6e9ad7-eb47-46ce-8e1b-995c9ccb59d8 Типичные цены: 66,747556 USD - 359,535658 USD

Подтвержденные:

930x602 - (101560)

576x263 - (48930)

1024x1024 - (82098)

1024x1024 - (62936)

Исключенные:

930x602 - (101560)

693x161 - (34332)

976x227 - (78688)

693x161 - (34332)

576x263 - (48930)

Только обязательные свойства

Название	Подказки	Значение	Единица измерения
Набор	Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет
Объем	Объем: 2 ГБ Объем: 2 ГБ Объём: 2Gb Общий объем памяти: 2 Gb Общий объем памяти: 2 Gb Общий объем памяти: 2 Gb Общий объем: 2 ГБ Общий объем памяти: 2 Gb Общий объем памяти: 2 Gb Общий объем памяти: 2 Gb		Гигабайты
Тип	Тип: DDR2 DIMM Тип: DDR2 SO-DIMM Тип: DDR2 DIMM Тип: DDR2 DIMM Тип памяти: DDR2 Тип памяти: DDR2 Тип памяти: DDR2 Тип пам'яті: DDR2 Тип пам'яті: DDR2 Тип памяти: DDR2
ECC	ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет Перевірка і корекція помилок (ECC): non-ECC Перевірка і корекція помилок (ECC): non-ECC Особенности: NON-ECC
Частота	Частота: 800 МГц Частота: 800 МГц Частота: 800 МГц Частота: 800 МГц Частота пам'яті: 800 МГц Частота пам'яті: 800 МГц Тактовая частота, МГц: 800 Тактовая частота, МГц: 800 Тактовая частота, МГц: 800 Максимальная рабочая частота: 800 МГц		Мегагерцы
PC-индекс	PC-индекс: PC2-6400 PC-индекс: PC2-6400 PC-индекс: PC2-6400 PC-индекс: PC2-6400
CAS Latency	CAS Latency: 6T CAS Latency: 6T CAS Latency: 6T CAS Latency: 6T CAS Latency: 6T CAS Latency: 6T CAS Latency: 6T CAS Latency: 6T CAS Latency: 6T
Тайминги	Тайминги: 6-6-6 Тайминги: 6-6-6 Тайминги: 6-6-6 Тайминги: CL6 (6-6-6) Тайминги: CL6 Тайминги: CL6 Тайминги: CL6 Тайминги: 6-6-6 Тайминги: 6-6-6 Тайминги: 6-6-6
Напряжение питания	Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания, В: 1.8 Напряжение питания, В: 1.8		Вольты
Профили XMP	Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильный модуль: Нет
Профили AMP	Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильный модуль: Нет
Охлаждение	Охлаждение: Нет Охлаждение: Нет Охлаждение: Нет Охлаждение: Нет Охлаждение: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет
Низкопрофильный модуль	Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет
Ёмкость микросхем	Ёмкость микросхем: 1 Гбит Ёмкость микросхем: 1 Гбит Ёмкость микросхем: 1 Гбит Ёмкость микросхем: 1 Гбит Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Тип микросхем: 128Mx8 Тип микросхем: 128Mx8 Тип микросхем: 128Mx8
Тип микросхем	Тип микросхем: 128Mx8 Тип микросхем: 128Mx8 Тип микросхем: 128Mx8 Тип микросхем: 128Mx8 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Ёмкость микросхем: 1 Гбит Ёмкость микросхем: 1 Гбит Ёмкость микросхем: 1 Гбит
Количество банков	Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей в комплекте: 1		Безразмерная величина
Число микросхем	Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Ёмкость микросхем: 1 Гбит Тип микросхем: 128Mx8 Ёмкость микросхем: 1 Гбит Тип микросхем: 128Mx8 Тип микросхем: 128Mx8 Ёмкость микросхем: 1 Гбит Тип микросхем: 128Mx8		Безразмерная величина
Напряжение питания при разгоне	Напряжение питания, В: 1.8 Напряжение питания, В: 1.8 Напряжение питания, В: 1.8 Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания, В: 1.8 Напряжение питания, В: 1.8		Вольты
Производитель микросхем	Производитель: Samsung Бренд: Samsung Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Сайт производителя: www.samsung.com Тип микросхем: 128Mx8 Тип микросхем: 128Mx8 Тип микросхем: 128Mx8 Тип микросхем: 128Mx8
Расположение чипов	Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее
Частота при разгоне	Частота: 800 МГц Частота: 800 МГц Частота: 800 МГц Частота: 800 МГц Частота пам'яті: 800 МГц Частота пам'яті: 800 МГц Тактовая частота, МГц: 800 Тактовая частота, МГц: 800 Тактовая частота, МГц: 800 Максимальная рабочая частота: 800 МГц		Мегагерцы
Количество ранков	Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей в комплекте: 1		Безразмерная величина
Гарантия *	Гарантия, мес: 12 Гарантія, міс: 36 Гарантія, міс: 12		Месяцы
Срок службы *			Месяцы
Время доставки по стране			Дни
Время доставки по городу			Дни
Производитель (страна, завод) *	Производитель: Samsung Сайт производителя: www.samsung.com	Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон-Си, 443-742, Корея.
Импортер		Бытовая техника: ООО "Аймдистри", 220040, г. Минск, ул. Некрасова, д.39/1, каб. 435 / Печатное оборудование: ООО "ЭлкоТелеком", 220090, г. Минск, тр. ЛОГОЙСКИЙ, дом № 22, корпус А, офис 41
Сервисные центры		СЦ «Летта» (ЗАО «Быттехносервис») Минск, ул. Маяковского, 14аSamsung Сервис Плаза (СООО «Кенфордбел»), г. Минск ул. Якуба Коласа, д. 1ОДО "БРСЦ-Аспирс", Минск, пр-т Независимости, 123 к.3
Комментарий		Собственная курьерская служба. Быстрая доставка в любую точку РБ. 80 пунктов самовывоза. Сервисная поддержка и доп. гарантия. Карты рассрочек Халва, Карта покупок, Черепаха, карта FUN и др. Рассрочка и кредит online до 36 месяцев. Работаем по безналу.
Вес *			Килограммы
Ширина в упаковке *	Ширина: 133.35 мм		Сантиметры
Длина в упаковке *			Сантиметры
Высота в упаковке *	Высота: 30 мм		Сантиметры
Вес в упаковке *			Килограммы
Страна-производитель *	Производитель: Samsung Питание: 1.8 В Напряжение питания, В: 1.8 Напряжение питания, В: 1.8 Напряжение питания, В: 1.8 Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В
Ширина в упаковке 2	Ширина: 133.35 мм		Сантиметры
Длина в упаковке 2			Сантиметры
Высота в упаковке 2	Высота: 30 мм		Сантиметры
Ширина в упаковке 3	Ширина: 133.35 мм		Сантиметры
Длина в упаковке 3			Сантиметры
Высота в упаковке 3	Высота: 30 мм		Сантиметры
Количество упаковок	Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей памяти в наборе: 1 шт. Количество модулей в комплекте: 1
Сборка
Вес упаковки 2			Килограммы
Вес упаковки 3			Килограммы
Честный знак	ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет
ТН ВЭД *			Безразмерная величина
Акцизы	ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет
Прослеживаемый товар	ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет ECC: Нет
Видео	Тип: DDR2 DIMM Тип: DDR2 SO-DIMM Тип: DDR2 DIMM Тип: DDR2 DIMM Вид памяти: DDR2 Вид памяти: DDR2 Вид памяти: DDR2 Вид памяти: DDR2 Вид памяти: DDR2 Вид памяти: DDR2
Родитель	Питание: 1.8 В Напряжение питания, В: 1.8 Напряжение питания, В: 1.8 Напряжение питания, В: 1.8 Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания: 1.8 В Напряжение питания, В: 1.8
Акция	Буферизация памяти: не буферизованная Буферизация памяти: не буферизованная Буферизация памяти: не буферизованная Буферизация памяти: не буферизованная

Свойства товаров из библиотеки

Описание

варианты сгенерировать описание

SODIMM (Small Outline DIMM) - це спеціальні модулі для портативних комп'ютерів, що відрізняються зменшеним розміром. Цей тип модулів пам'яті використовується також і в комунікаційному устаткуванні, де їх габарити важливі; на всі сучасні ноутбуки встановлюються модулі формату SODIMM. У кожного ноутбука і нетбука є приховані можливості. Завдяки модулям пам'яті SоDM DDR2 2048 SAMSUNG (M470T5663QZ3-CF7) Ви дізнаєтеся, на що дійсно здатний ваш комп'ютер. Модулі пам'яті, виготовлені за технологією DDR2, найбільш поширені і встановлюються в більшості сучасних ноутбуків.DDR2 SDRAM використовує передачу даних по обох зрізах тактового сигналу, за рахунок чого при такій же частоті шини пам'яті, можна фактично подвоїти швидкість передачі даних в порівнянні з DDR. Переваги DDR2 SDRAM в порівнянні з DDR полягають у вищій смузі пропускання і як правило, меншому енергоспоживанні.SоDM DDR2 2048 SAMSUNG (M470T5663QZ3-CF7) - працює з тактовою частотою 800 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 6400 МБ/с або 6.4 ГБ/с.

Товар	Все+ Все-

SODIMM (Small Outline DIMM) - це спеціальні модулі для портативних комп'ютерів, що відрізняються зменшеним розміром. Цей тип модулів пам'яті використовується також і в комунікаційному устаткуванні, де їх габарити важливі; на всі сучасні ноутбуки встановлюються модулі формату SODIMM. У кожного ноутбука і нетбука є приховані можливості. Завдяки модулям пам'яті SоDM DDR2 2048 SAMSUNG (M470T5663QZ3-CF7) Ви дізнаєтеся, на що дійсно здатний ваш комп'ютер. Модулі пам'яті, виготовлені за технологією DDR2, найбільш поширені і встановлюються в більшості сучасних ноутбуків. DDR2 SDRAM використовує передачу даних по обох зрізах тактового сигналу, за рахунок чого при такій же частоті шини пам'яті, можна фактично подвоїти швидкість передачі даних в порівнянні з DDR. Переваги DDR2 SDRAM в порівнянні з DDR полягають у вищій смузі пропускання і як правило, меншому енергоспоживанні. SоDM DDR2 2048 SAMSUNG (M470T5663QZ3-CF7) - працює з тактовою частотою 800 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 6400 МБ/с або 6.4 ГБ/с.
Для ноутбука (SODIMM), 2 Gb, DDR2, 800 МГц, количество модулей - 1, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В.
Для ноутбука (SODIMM), 2 Gb, DDR2, 800 МГц, количество модулей - 1, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В.
Для ПК, 2 Gb, DDR2, 800 МГц, количество модулей - 1, тайминги 6-6-6, напряжение 1.8 В.