Редактировать

Samsung DDR2-800 PC2-6400 2GB

Артикул: M470T5663FB3-CF7 EAN:
Последние изменения внес:
U9
Id: 1767353 Внешний Id: 3d6e9ad7-eb47-46ce-8e1b-995c9ccb59d8 Типичные цены: 66,747556 USD - 359,535658 USD
Подтвержденные:

930x602 - (101560)

576x263 - (48930)

1024x1024 - (82098)

1024x1024 - (62936)

Исключенные:

930x602 - (101560)

930x602 - (101560)

693x161 - (34332)

976x227 - (78688)

693x161 - (34332)

576x263 - (48930)

576x263 - (48930)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Объем: 2 ГБ

Объем: 2 ГБ

Объём: 2Gb

Общий объем памяти: 2 Gb

Общий объем памяти: 2 Gb

Общий объем памяти: 2 Gb

Общий объем: 2 ГБ

Общий объем памяти: 2 Gb

Общий объем памяти: 2 Gb

Общий объем памяти: 2 Gb

Гигабайты
Тип: DDR2 DIMM

Тип: DDR2 SO-DIMM

Тип: DDR2 DIMM

Тип: DDR2 DIMM

Тип памяти: DDR2

Тип памяти: DDR2

Тип памяти: DDR2

Тип пам'яті: DDR2

Тип пам'яті: DDR2

Тип памяти: DDR2

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Перевірка і корекція помилок (ECC): non-ECC

Перевірка і корекція помилок (ECC): non-ECC

Особенности: NON-ECC

Частота: 800 МГц

Частота: 800 МГц

Частота: 800 МГц

Частота: 800 МГц

Частота пам'яті: 800 МГц

Частота пам'яті: 800 МГц

Тактовая частота, МГц: 800

Тактовая частота, МГц: 800

Тактовая частота, МГц: 800

Максимальная рабочая частота: 800 МГц

Мегагерцы
PC-индекс: PC2-6400

PC-индекс: PC2-6400

PC-индекс: PC2-6400

PC-индекс: PC2-6400

CAS Latency: 6T

CAS Latency: 6T

CAS Latency: 6T

CAS Latency: 6T

CAS Latency: 6T

CAS Latency: 6T

CAS Latency: 6T

CAS Latency: 6T

CAS Latency: 6T

Тайминги: 6-6-6

Тайминги: 6-6-6

Тайминги: 6-6-6

Тайминги: CL6 (6-6-6)

Тайминги: CL6

Тайминги: CL6

Тайминги: CL6

Тайминги: 6-6-6

Тайминги: 6-6-6

Тайминги: 6-6-6

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания, В: 1.8

Напряжение питания, В: 1.8

Вольты
Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Ёмкость микросхем: 1 Гбит

Ёмкость микросхем: 1 Гбит

Ёмкость микросхем: 1 Гбит

Ёмкость микросхем: 1 Гбит

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Тип микросхем: 128Mx8

Тип микросхем: 128Mx8

Тип микросхем: 128Mx8

Тип микросхем: 128Mx8

Тип микросхем: 128Mx8

Тип микросхем: 128Mx8

Тип микросхем: 128Mx8

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Ёмкость микросхем: 1 Гбит

Ёмкость микросхем: 1 Гбит

Ёмкость микросхем: 1 Гбит

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Тип микросхем: 128Mx8

Ёмкость микросхем: 1 Гбит

Ёмкость микросхем: 1 Гбит

Тип микросхем: 128Mx8

Тип микросхем: 128Mx8

Ёмкость микросхем: 1 Гбит

Тип микросхем: 128Mx8

Безразмерная величина
Напряжение питания, В: 1.8

Напряжение питания, В: 1.8

Напряжение питания, В: 1.8

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания, В: 1.8

Напряжение питания, В: 1.8

Вольты
Производитель: Samsung

Бренд: Samsung

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Сайт производителя: www.samsung.com

Тип микросхем: 128Mx8

Тип микросхем: 128Mx8

Тип микросхем: 128Mx8

Тип микросхем: 128Mx8

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Частота: 800 МГц

Частота: 800 МГц

Частота: 800 МГц

Частота: 800 МГц

Частота пам'яті: 800 МГц

Частота пам'яті: 800 МГц

Тактовая частота, МГц: 800

Тактовая частота, МГц: 800

Тактовая частота, МГц: 800

Максимальная рабочая частота: 800 МГц

Мегагерцы
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Гарантия, мес: 12

Гарантія, міс: 36

Гарантія, міс: 12

Месяцы
Месяцы
Дни
Дни
Производитель: Samsung

Сайт производителя: www.samsung.com

Килограммы
Ширина: 133.35 мм

Сантиметры
Сантиметры
Высота: 30 мм

Сантиметры
Килограммы
Производитель: Samsung

Питание: 1.8 В

Напряжение питания, В: 1.8

Напряжение питания, В: 1.8

Напряжение питания, В: 1.8

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Ширина: 133.35 мм

Сантиметры
Сантиметры
Высота: 30 мм

Сантиметры
Ширина: 133.35 мм

Сантиметры
Сантиметры
Высота: 30 мм

Сантиметры
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей памяти в наборе: 1 шт.

Количество модулей в комплекте: 1

Килограммы
Килограммы
ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Безразмерная величина
ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Тип: DDR2 DIMM

Тип: DDR2 SO-DIMM

Тип: DDR2 DIMM

Тип: DDR2 DIMM

Вид памяти: DDR2

Вид памяти: DDR2

Вид памяти: DDR2

Вид памяти: DDR2

Вид памяти: DDR2

Вид памяти: DDR2

Питание: 1.8 В

Напряжение питания, В: 1.8

Напряжение питания, В: 1.8

Напряжение питания, В: 1.8

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания: 1.8 В

Напряжение питания, В: 1.8

Буферизация памяти: не буферизованная

Буферизация памяти: не буферизованная

Буферизация памяти: не буферизованная

Буферизация памяти: не буферизованная