Edit

QUMO DDR-III 4GB 1333MHz PC-10660 512Mx8

Article: QUM3U-4G1333C9 Ean:
Last editor:
U9
Id: 1739613 External Id: 9c043ca1-4888-4cb1-85f0-f28a4f7500df Typical prices: 11.439191 USD - 108.523038 USD
Validated:

1000x1000 - (30058)

Excluded:

Name Hints Value Unit
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

ECC: Нет

ECC: нет

Объем: 1 модуль 4 ГБ

Объем одного модуля: 4 ГБ

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Объем: 1 модуль 4 ГБ

Объем памяти: 4 ГБ

Суммарный объем: 4 ГБ

Объем одного модуля: 4 ГБ

Общий объем: 4 ГБ

Общий объем: 4 ГБ

Gigabytes
Тип: DDR3 DIMM 240-pin

Тип: DDR3 DIMM

Тип: DDR3 DIMM

Тип памяти: DDR3

Буферизованная (Registered): нет

ECC: Нет

ECC: нет

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

Частота: 1333 МГц

Частота: 1333 МГц

Тактовая частота: 1333 МГц

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 10660 Мб/с

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 1333 МГц

Megahertz
PC-индекс: PC3-10600

PC-индекс: PC3-10600

Дилер1: 2320

CAS Latency: 9T

CAS Latency: 9T

CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 9

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.5 В

Volts
Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: нет

ECC: Нет

ECC: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Профили XMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили AMP: нет

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Количество ранков: 1

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 10660 Мб/с

Количество контактов: 240

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM

Dimensionless quantity
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Dimensionless quantity
Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.5 В

Volts
Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 10660 Мб/с

Частота: 1333 МГц

Частота: 1333 МГц

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 1333 МГц

Тактовая частота: 1333 МГц

Megahertz
Количество ранков: 1

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 10660 Мб/с

Количество контактов: 240

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM

Dimensionless quantity
Гарантия: 1 год

Гарантийный срок: 12 мес.

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.5 В

Months
Months
Вид поставки: Retail

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM

Days
Вид поставки: Retail

Days
Ссылка на описание на сайте производителя: www.qumo.ru

Артикул производителя (Part Number): QUM3U-4G1333C9

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.5 В

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 10660 Мб/с

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

Kilograms
Centimeters
Centimeters
Centimeters
Kilograms
Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Стандарт: DDR3

Профили XMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили AMP: нет

Centimeters
Centimeters
Centimeters
Centimeters
Centimeters
Centimeters
Количество ранков: 1

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 10660 Мб/с

Количество контактов: 240

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM

Kilograms
Kilograms
ECC: Нет

ECC: нет

Dimensionless quantity
ECC: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: нет

Тип: DDR3 DIMM 240-pin

Тип: DDR3 DIMM

Тип: DDR3 DIMM

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Вид поставки: Retail

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Количество ранков: 1

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 240

CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 9

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM