Редактировать

Patriot Memory DIMM 32GB PC28800 DDR4 K2

Артикул: PVE2432G360C0K EAN: 814914028629
Последние изменения внес:
U4
Id: 1711291 Внешний Id: 6fed0f48-8b9e-4efb-83f6-2bf1e8c862ea Типичные цены: 13,926661 USD - 123,402799 USD
Подтвержденные:

1000x1000 - (79374)

1000x1000 - (39812)

1200x1200 - (276572)

1200x1200 - (194794)

1200x1048 - (203017)

896x1128 - (170736)

816x1182 - (149196)

1000x1000 - (61828)

1000x1000 - (54144)

1000x1000 - (38247)

800x1022 - (125659)

783x1024 - (114548)

688x992 - (136713)

1168x392 - (54562)

Исключенные:

1000x625 - (116965)

1000x261 - (49916)

1000x314 - (44228)

Название Подказки Значение Единица измерения
Объем одного модуля: 16 Гб

Объем одного модуля: 16 Гб

Объем одного модуля: 16 ГБ

Объем одного модуля: 16 Гб

Объем: 2 модуля по 16 ГБ

Объем: 2 модуля по 16 ГБ

Объем одного модуля: 16 Гб

Общий объем памяти: 32 Гб

Объем памяти: 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ)

Общий объем памяти: 32 Гб

Объем одного модуля: 16 Гб

Объем одного модуля: 16 ГБ

Суммарный объем: 32 ГБ

Объем одного модуля: 16 Гб

Объём памяти: 32 Гб

Гигабайты
Тип: DDR4 DIMM 288-pin

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR-4

Буферизованная (Registered): нет

XMP совместимая память: Да

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

Тактовая частота: 3600 МГц

Тактовая частота: 3600 МГц

Тактовая частота: 3600 МГц

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3600 МГц

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с

Тактовая частота: 3600 МГц

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 26

Мегагерцы
CAS Latency (CL): 20

CAS Latency (CL): 20

CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 20

Тайминги: 20-26-26-46

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В

Вольты
Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM

Количество модулей в комплекте: 2 шт

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 2

Безразмерная величина
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В

Вольты
Производитель: PATRIOT MEMORY

Сайт производителя: http://patriotmemory.com/

Код производителя: PVE2432G360C0K

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3600 МГц

Тактовая частота: 3600 МГц

Тактовая частота: 3600 МГц

Тактовая частота: 3600 МГц

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 26

Тактовая частота: 3600 МГц

Мегагерцы
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM

Количество модулей в комплекте: 2 шт

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 2

Безразмерная величина
Гарантия: 60 мес.

Гарантийный срок: 10 лет

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В

Месяцы
Месяцы
Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 26

Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb

Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 26

Дни
RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 26

Дни
Производитель: PATRIOT MEMORY

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46

Ссылка на описание на сайте производителя: www.patriotmemory.com

Артикул производителя (Part Number): PVE2432G360C0K

Код производителя: PVE2432G360C0K

Сайт производителя: http://patriotmemory.com/

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 26

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 26

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46

Килограммы
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Килограммы
Производитель: PATRIOT MEMORY

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.35 В

Код производителя: PVE2432G360C0K

Стандарт: DDR4

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Сантиметры
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с

Количество контактов: 288

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM

Количество модулей в комплекте: 2 шт

Количество модулей в комплекте: 2

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Килограммы
Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Кол-во модулей в упаковке: 2 шт

Килограммы
Безразмерная величина
Тип: DDR4 DIMM 288-pin

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.35 В

Радиатор: Есть

Количество модулей в комплекте: 2

Количество модулей в комплекте: 2 шт

Радиатор: да

Количество контактов: 288

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM

CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 20