Редактировать

Patriot Memory DDR 4 DIMM 8Gb PC32000 4000Mhz

Категория: Оперативная память
Артикул: PVE248G400C0 EAN: 814914028711
Последние изменения внес:
U4
Id: 1708103 Внешний Id: 4a407876-5e31-405c-884f-dade8198fd06 Типичные цены: 13,926661 USD - 123,402799 USD

Вставить свойства Вставить изображения Вставить все
Заполнить больше товаров Синонимы свойств Синонимы значений свойств
Подтвержденные:

1000x1000 - (49746)

1200x1200 - (276572)

1200x1200 - (194794)

1200x1200 - (95995)

816x1182 - (149196)

624x1024 - (97675)

432x928 - (121303)

1168x392 - (54562)

432x920 - (80564)

1120x336 - (64701)

1088x328 - (44383)

Исключенные:

1000x300 - (58135)

1000x232 - (38766)

1000x243 - (31707)

500x150 - (13645)

Название Подказки Значение Единица измерения
Объем: 1 модуль 8 ГБ
Объем одного модуля: 8 Гб
Объем одного модуля: 8 Гб
Объем одного модуля: 8 ГБ
Объем: 1 модуль 8 ГБ
Общий объем памяти: 8 Гб
Объем одного модуля: 8 Гб
объем памяти: 8 ГБ
Объем одного модуля: 8 Гб
Суммарный объем: 8 ГБ
Объем одного модуля: 8 ГБ
Объём памяти: 8 Гб
Гигабайты
тип: DDR4 DIMM 288-pin
Тип памяти: DDR4
Тип памяти: DDR4
Тип памяти: DDR-4
Буферизованная (Registered): нет
XMP совместимая память: Да
Поддержка ECC: нет
Поддержка ECC: нет
Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Тактовая частота: 4000 МГц
тактовая частота: 4000 МГц
Тактовая частота: 4000 МГц
Тактовая частота: 4000 МГц
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 32000 Мб/с
Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 4000 МГц
Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 26
Мегагерцы
CAS Latency (CL): 20
CAS Latency (CL): 20
CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 20
тайминги: 20-26-26-46
Напряжение питания: 1.4 В
Напряжение питания: 1.4 В
Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.4 В
Вольты
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Система охлаждения: пассивная (радиатор)
Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Объем: 1 модуль 8 ГБ
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 32000 Мб/с
Количество модулей в комплекте: 1
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Безразмерная величина
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.4 В
Напряжение питания: 1.4 В
Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.4 В
Вольты
Производитель: PATRIOT MEMORY
Сайт производителя: http://patriotmemory.com/
Код производителя: PVE248G400C0
бренд: Patriot Memory
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 32000 Мб/с
Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 4000 МГц
Тактовая частота: 4000 МГц
тактовая частота: 4000 МГц
Тактовая частота: 4000 МГц
Тактовая частота: 4000 МГц
Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 26
Мегагерцы
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 32000 Мб/с
Количество модулей в комплекте: 1
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Безразмерная величина
Гарантия: 60 мес.
Гарантийный срок: 10 лет
Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46
Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.4 В
Месяцы
Месяцы
дата доставки: 0
Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46
Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 26
Тип поставки: один модуль 1x8Gb
RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 26
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Дни
дата доставки: 0
RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 26
Дни
Производитель: PATRIOT MEMORY
Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46
Сайт производителя: http://patriotmemory.com/
Код производителя: PVE248G400C0
Артикул производителя (Part Number): PVE248G400C0
Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 26
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 32000 Мб/с
Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.4 В
Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46
RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 26
Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Вес с упаковкой: 60
Килограммы
Ширина упаковки: 70
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Длина упаковки: 148
Вес с упаковкой: 60
Высота упаковки: 14
Сантиметры
Вес с упаковкой: 60
Длина упаковки: 148
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Ширина упаковки: 70
Высота упаковки: 14
Сантиметры
Ширина упаковки: 70
Высота упаковки: 14
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Вес с упаковкой: 60
Длина упаковки: 148
Сантиметры
Вес с упаковкой: 60
Длина упаковки: 148
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Ширина упаковки: 70
Высота упаковки: 14
Килограммы
Производитель: PATRIOT MEMORY
Напряжение питания: 1.4 В
Напряжение питания: 1.4 В
Код производителя: PVE248G400C0
Стандарт: DDR4
Ширина упаковки: 70
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Длина упаковки: 148
Вес с упаковкой: 60
Высота упаковки: 14
Сантиметры
Длина упаковки: 148
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Ширина упаковки: 70
Вес с упаковкой: 60
Высота упаковки: 14
Сантиметры
Высота упаковки: 14
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Вес с упаковкой: 60
Ширина упаковки: 70
Длина упаковки: 148
Сантиметры
Ширина упаковки: 70
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Длина упаковки: 148
Вес с упаковкой: 60
Высота упаковки: 14
Сантиметры
Длина упаковки: 148
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Ширина упаковки: 70
Вес с упаковкой: 60
Высота упаковки: 14
Сантиметры
Высота упаковки: 14
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Вес с упаковкой: 60
Ширина упаковки: 70
Длина упаковки: 148
Сантиметры
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 32000 Мб/с
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Вес с упаковкой: 60
Ширина упаковки: 70
Длина упаковки: 148
Высота упаковки: 14
Вес с упаковкой: 60
Ширина упаковки: 70
Длина упаковки: 148
Высота упаковки: 14
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Килограммы
Вес с упаковкой: 60
Ширина упаковки: 70
Длина упаковки: 148
Высота упаковки: 14
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Килограммы
Безразмерная величина
тип: DDR4 DIMM 288-pin
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Напряжение питания: 1.4 В
Напряжение питания: 1.4 В
Радиатор: есть
Радиатор: Есть
Количество модулей в комплекте: 1
Количество модулей в комплекте: 1 шт
радиатор: да
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 20
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Свойства товаров из библиотеки

Описание

варианты сгенерировать описание заполнять автоматически
×