Поддержка ECC
Поддержка ECC
Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Частота: 3600 МГц
Частота: 3600 МГц
Тактовая частота: 3600 МГц
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с
Эффективная частота
Эффективная частота
Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3600 МГц
Тактовая частота: 3600 МГц
Row Precharge Delay (tRP)
Row Precharge Delay (tRP)
Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 26
Megahertz
PC-индекс: PC4-28800
PC-индекс: PC4-28800
CAS Latency: 20T
CAS Latency: 20T
CAS Latency (CL): 20
CAS Latency (CL)
CAS Latency (CL)
Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 20
Тайминги: 20-26-26-46
Тайминги: 20-26-26-46
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания
Напряжение питания
Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В
Volts
Профили XMP: (2.0)
Профили AMP: Нет
Низкопрофильный модуль: Нет
Низкопрофильная
Низкопрофильная
Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Профили AMP: Нет
Профили XMP: (2.0)
Низкопрофильный модуль: Нет
Низкопрофильная
Низкопрофильная
Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Охлаждение: Да
ECC: Нет
Система охлаждения: пассивная (радиатор)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46
Низкопрофильный модуль: Нет
Низкопрофильная
Низкопрофильная
Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Профили XMP: (2.0)
Набор: 1 модуль
Набор: 1 модуль
Профили AMP: Нет
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1
Dimensionless quantity
Буферизованная (регистровая)
Буферизованная (регистровая)
Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Dimensionless quantity
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания
Напряжение питания
Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с
Частота: 3600 МГц
Частота: 3600 МГц
Эффективная частота
Эффективная частота
Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3600 МГц
Тактовая частота: 3600 МГц
Row Precharge Delay (tRP)
Row Precharge Delay (tRP)
Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 26
Тактовая частота: 3600 МГц
Megahertz
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1
Dimensionless quantity
Гарантия: 12 мес.
Гарантия: 60 мес.
Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46
Напряжение питания
Напряжение питания
Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В
Months
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров
Months
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46
Row Precharge Delay (tRP)
Row Precharge Delay (tRP)
Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 26
Тип поставки: один модуль 1x8Gb
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 26
Days
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 26
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46
Страна производства: Китай
Ссылка на описание на сайте производителя: www.patriotmemory.com
Артикул производителя (Part Number): PVE248G360C0
Код производителя: PVE248G360C0
Сайт производителя: http://patriotmemory.com/
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с
Импортер/поставщик: ПоказатьООО "БВКомпьютерс" г. Минск, ул. Родниковая, 1а
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров
Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных
Поддержка ECC
Поддержка ECC
Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 46
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 26
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1
Вес с упаковкой: 60
Вес с упаковкой: 80
Длина упаковки: 148
Высота упаковки: 14
Ширина упаковки: 70
Вес с упаковкой: 60
Вес с упаковкой: 80
Длина упаковки: 148
Высота упаковки: 14
Ширина упаковки: 70
Ширина упаковки: 170
Высота упаковки: 50
Длина упаковки: 210
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Kilograms
Вес с упаковкой: 60
Вес с упаковкой: 80
Длина упаковки: 148
Высота упаковки: 14
Ширина упаковки: 70
Ширина упаковки: 170
Высота упаковки: 50
Длина упаковки: 210
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Kilograms
ECC: Нет
Dimensionless quantity
ECC: Нет
ECC: Нет
Тип: DDR4 DIMM
Тип: DDR4 DIMM
Буферизованная (регистровая)
Буферизованная (регистровая)
Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
CAS Latency (CL)
CAS Latency (CL)
Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 20
Prepare product images and upload to the server. You can select multiple images. Supported formats .jpg, .bmp, .png
Выберите изображения или перетащите их сюда
Изображения можно перетаскивать из Проводника, TotalComander или других вкладок браузера. Также можно вставить скопированные изображения нажатием Ctrl+V