Поддержка ECC
Поддержка ECC
Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Эффективная частота
Эффективная частота
Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3200 МГц
Row Precharge Delay (tRP)
Row Precharge Delay (tRP)
Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22
Мегагерцы
CAS Latency (CL): 18
CAS Latency (CL)
CAS Latency (CL)
Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 18
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания
Напряжение питания
Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В
Вольты
Низкопрофильная
Низкопрофильная
Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Низкопрофильная
Низкопрофильная
Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Система охлаждения: пассивная (радиатор)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42
Низкопрофильная
Низкопрофильная
Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Количество модулей в комплекте: 1
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Количество контактов: 288
Безразмерная величина
Буферизованная (регистровая)
Буферизованная (регистровая)
Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания
Напряжение питания
Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В
Вольты
Производитель: PATRIOT MEMORY
Сайт производителя: http://patriotmemory.com/
Код производителя: PVE248G320C8
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Эффективная частота
Эффективная частота
Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Тактовая частота: 3200 МГц
Row Precharge Delay (tRP)
Row Precharge Delay (tRP)
Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22
Мегагерцы
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Количество модулей в комплекте: 1
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Количество контактов: 288
Безразмерная величина
Гарантия: 60 мес.
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42
Напряжение питания
Напряжение питания
Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В
Месяцы
Месяцы
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42
Row Precharge Delay (tRP)
Row Precharge Delay (tRP)
Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22
Тип поставки: один модуль 1x8Gb
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22
Дни
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22
Дни
Производитель: PATRIOT MEMORY
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42
Ссылка на описание на сайте производителя: www.patriotmemory.com
Сайт производителя: http://patriotmemory.com/
Код производителя: PVE248G320C8
Артикул производителя (Part Number): PVE248G320C8
Row Precharge Delay (tRP)
Row Precharge Delay (tRP)
Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22
Напряжение питания
Напряжение питания
Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42
RAS to CAS Delay (tRCD)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22
Поддержка ECC
Поддержка ECC
Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Килограммы
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Килограммы
Производитель: PATRIOT MEMORY
Код производителя: PVE248G320C8
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Стандарт: DDR4
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Сантиметры
Пропускная способность
Пропускная способность
Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Килограммы
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт
Килограммы
Безразмерная величина
Буферизованная (регистровая)
Буферизованная (регистровая)
Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Напряжение питания: 1.35 В
Напряжение питания: 1.35 В
Радиатор: Есть
Количество модулей в комплекте: 1
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Количество контактов: 288
Форм-фактор
Форм-фактор
Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Подготовьте изображения товара и загрузите на сервер. Можно выбирать несколько изображений. Поддержиаемые форматы .jpg, .bmp, .png
Выберите изображения или перетащите их сюда
Изображения можно перетаскивать из Проводника, TotalComander или других вкладок браузера. Также можно вставить скопированные изображения нажатием Ctrl+V