Редактировать

Patriot Memory DDR 4 DIMM 32Gb PC21300

Категория: Оперативная память

Артикул: PVE2432G320C8K EAN: 814914028650

Последние изменения внес:

Id: 1704360 Внешний Id: 5a4b033c-6b42-416f-9ccd-fb07f853c4f9 Типичные цены: 13,926661 USD - 123,402799 USD

Подтвержденные:

1024x1024 - (368338)

1000x1000 - (39812)

1200x603 - (176875)

1200x1200 - (328181)

1200x1200 - (194794)

1200x1047 - (328972)

1200x1200 - (115659)

953x1200 - (334709)

1200x965 - (186560)

826x1200 - (284392)

1000x1000 - (61828)

1000x1000 - (38247)

1200x396 - (97110)

Исключенные:

1000x261 - (49916)

1000x625 - (116965)

1000x314 - (44228)

500x251 - (19545)

Только обязательные свойства

Название	Подказки	Значение	Единица измерения
Набор	Объем одного модуля: 16 Гб Объем одного модуля: 16 Гб Объем одного модуля: 16 ГБ Объем: - модуля по 0 МБ
Объем	Объем: - модуля по 0 МБ Объем одного модуля: 16 Гб Общий объем памяти: 32 Гб Суммарный объем памяти: 32 ГБ Объем одного модуля: 16 Гб Объем одного модуля: 16 ГБ Суммарный объем: 32 ГБ Объём памяти: 32 Гб		Гигабайты
Тип	Тип памяти: DDR4 Тип памяти: DDR4 Тип памяти: DDR-4 Тип памяти: - Буферизованная (Registered): нет наименование: Оперативная память DDR 4 DIMM 32Gb (16Gbx2) PC21300, 2666Mhz, PATRIOT Signature (PSP432G2666KH1) (retail) XMP совместимая память: Да
ECC	Поддержка ECC: нет Поддержка ECC: - Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Частота	Тактовая частота: 3200 МГц Тактовая частота, МГц: 3200 Тактовая частота: 3200 МГц Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3200 МГц Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22		Мегагерцы
PC-индекс
CAS Latency	CAS Latency (CL): 18 CAS Latency (CL): 18 тактов CAS Latency (CL): 18 CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 18
Тайминги	Тайминги: 18-22-22-42 Тайминги: 18-22-22-42
Напряжение питания	Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В		Вольты
Профили XMP	Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Профили AMP	Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Охлаждение	Система охлаждения: пассивная (радиатор) Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42
Низкопрофильный модуль	Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Ёмкость микросхем
Тип микросхем
Количество банков	Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Количество модулей в комплекте: 2 Количество модулей в комплекте: 2 Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM Количество модулей в комплекте: 2 шт Количество контактов: 288		Безразмерная величина
Число микросхем	Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет		Безразмерная величина
Напряжение питания при разгоне	Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В		Вольты
Производитель микросхем	Производитель: PATRIOT MEMORY Сайт производителя: http://patriotmemory.com/ Код производителя: PVE2432G320C8K бренд: Patriot Memory
Расположение чипов	Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Частота при разгоне	Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3200 МГц Тактовая частота: 3200 МГц Тактовая частота, МГц: 3200 Тактовая частота: 3200 МГц Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22		Мегагерцы
Количество ранков	Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Количество модулей в комплекте: 2 Количество модулей в комплекте: 2 Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM Количество модулей в комплекте: 2 шт Количество контактов: 288		Безразмерная величина
Гарантия *	Гарантия: 60 мес. Гарантия: 1 год Гарантийный срок: 10 лет Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42 Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В		Месяцы
Срок службы *			Месяцы
Время доставки по стране	дата доставки: 0 Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42 Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22 Тип поставки: комплект модулей 2x16Gb Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22		Дни
Время доставки по городу	дата доставки: 0 RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22		Дни
Производитель (страна, завод) *	Производитель: PATRIOT MEMORY Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42 Ссылка на описание на сайте производителя: www.patriotmemory.com Код производителя: PVE2432G320C8K Сайт производителя: http://patriotmemory.com/ Артикул производителя (Part Number): PVE2432G320C8K Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22 Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с	-
Импортер		ООО «Аймаркет Трейд», 220012, РБ, г. Минск, ул. Сурганова, д.27, оф.33
Сервисные центры		ООО «Аймаркет Трейд», 220012, РБ, г. Минск, ул. Сурганова, д.27, оф.33
Комментарий	Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42 RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22 Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет	Собственная курьерская служба. Быстрая доставка в любую точку РБ. 80 пунктов самовывоза. Сервисная поддержка и доп. гарантия. Карты рассрочек Халва, Карта покупок, Черепаха, карта FUN и др. Рассрочка и кредит online до 36 месяцев. Работаем по безналу.
Вес *	Вес с упаковкой: 110 Вес с упаковкой: 110 г		Килограммы
Ширина в упаковке *	Ширина упаковки: 122 Ширина упаковки: 122 мм Кол-во модулей в упаковке: 2 шт Длина упаковки: 177 Длина упаковки: 177 мм Вес с упаковкой: 110 Высота упаковки: 13 Высота упаковки: 13 мм Вес с упаковкой: 110 г		Сантиметры
Длина в упаковке *	Длина упаковки: 177 Вес с упаковкой: 110 Длина упаковки: 177 мм Вес с упаковкой: 110 г Кол-во модулей в упаковке: 2 шт Ширина упаковки: 122 Ширина упаковки: 122 мм Высота упаковки: 13 Высота упаковки: 13 мм		Сантиметры
Высота в упаковке *	Ширина упаковки: 122 Высота упаковки: 13 Ширина упаковки: 122 мм Высота упаковки: 13 мм Кол-во модулей в упаковке: 2 шт Длина упаковки: 177 Вес с упаковкой: 110 Длина упаковки: 177 мм Вес с упаковкой: 110 г		Сантиметры
Вес в упаковке *	Длина упаковки: 177 Вес с упаковкой: 110 Длина упаковки: 177 мм Вес с упаковкой: 110 г Кол-во модулей в упаковке: 2 шт Ширина упаковки: 122 Высота упаковки: 13 Ширина упаковки: 122 мм Высота упаковки: 13 мм		Килограммы
Страна-производитель *	Производитель: PATRIOT MEMORY Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Код производителя: PVE2432G320C8K Стандарт: DDR4
Ширина в упаковке 2	Ширина упаковки: 122 Ширина упаковки: 122 мм Кол-во модулей в упаковке: 2 шт Длина упаковки: 177 Длина упаковки: 177 мм Вес с упаковкой: 110 Высота упаковки: 13 Вес с упаковкой: 110 г Высота упаковки: 13 мм		Сантиметры
Длина в упаковке 2	Длина упаковки: 177 Длина упаковки: 177 мм Кол-во модулей в упаковке: 2 шт Ширина упаковки: 122 Ширина упаковки: 122 мм Вес с упаковкой: 110 Высота упаковки: 13 Высота упаковки: 13 мм Вес с упаковкой: 110 г		Сантиметры
Высота в упаковке 2	Высота упаковки: 13 Высота упаковки: 13 мм Кол-во модулей в упаковке: 2 шт Длина упаковки: 177 Вес с упаковкой: 110 Ширина упаковки: 122 Вес с упаковкой: 110 г Длина упаковки: 177 мм Ширина упаковки: 122 мм		Сантиметры
Ширина в упаковке 3	Ширина упаковки: 122 Ширина упаковки: 122 мм Кол-во модулей в упаковке: 2 шт Длина упаковки: 177 Длина упаковки: 177 мм Вес с упаковкой: 110 Высота упаковки: 13 Вес с упаковкой: 110 г Высота упаковки: 13 мм		Сантиметры
Длина в упаковке 3	Длина упаковки: 177 Длина упаковки: 177 мм Кол-во модулей в упаковке: 2 шт Ширина упаковки: 122 Ширина упаковки: 122 мм Вес с упаковкой: 110 Высота упаковки: 13 Высота упаковки: 13 мм Вес с упаковкой: 110 г		Сантиметры
Высота в упаковке 3	Высота упаковки: 13 Высота упаковки: 13 мм Кол-во модулей в упаковке: 2 шт Длина упаковки: 177 Вес с упаковкой: 110 Ширина упаковки: 122 Вес с упаковкой: 110 г Длина упаковки: 177 мм Ширина упаковки: 122 мм		Сантиметры
Количество упаковок	Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 2 Количество модулей в комплекте: 2 Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM Количество модулей в комплекте: 2 шт Длина упаковки: 177 Вес с упаковкой: 110 Высота упаковки: 13
Сборка
Вес упаковки 2	Вес с упаковкой: 110 Вес с упаковкой: 110 г Ширина упаковки: 122 Длина упаковки: 177 Высота упаковки: 13 Длина упаковки: 177 мм Ширина упаковки: 122 мм Высота упаковки: 13 мм Кол-во модулей в упаковке: 2 шт		Килограммы
Вес упаковки 3	Вес с упаковкой: 110 Вес с упаковкой: 110 г Ширина упаковки: 122 Длина упаковки: 177 Высота упаковки: 13 Длина упаковки: 177 мм Ширина упаковки: 122 мм Высота упаковки: 13 мм Кол-во модулей в упаковке: 2 шт		Килограммы
Честный знак
ТН ВЭД *			Безразмерная величина
Акцизы
Прослеживаемый товар
Видео	Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Родитель	Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Радиатор: Есть Количество модулей в комплекте: 2 Количество модулей в комплекте: 2 Количество модулей в комплекте: 2 шт Радиатор: Да Количество контактов: 288
Акция	Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 18

Свойства товаров из библиотеки

Описание

варианты сгенерировать описание

Товар	Все+ Все-

Оперативная память Patriot DDR4 32Gb (2x16Gb) 3200MHz pc-25600 Viper 4 Elite ll (PVE2432G320C8K)
32 Гб, 2 модуля DDR-4, 25600 Мб/с, CL18-22-22-42, 1.35 В, радиатор
Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модули относятся к классу DDR4, обладают емкостью 2х16 ГБ и 288-контактными модулями DIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.