Редактировать

Samsung M393AAG40M3B-CYF

Категория: Оперативная память
Артикул: EAN: 2001000883837
Последние изменения внес:
U9
Id: 1699094 Внешний Id: 17972816-1616-4256-863f-b618c35cc2d8 Типичные цены: 66,747556 USD - 359,535658 USD

Вставить свойства Вставить изображения Вставить все
Заполнить больше товаров Синонимы свойств Синонимы значений свойств
Подтвержденные:

800x800 - (234890)

Исключенные:

Название Подказки Значение Единица измерения
Объем одного модуля: 128 ГБ
Объем модуля памяти: 128 Гб
Объём: 128Gb
Объем одного модуля памяти: 128Gb
Суммарный объем: 128 ГБ
Объем одного модуля: 128 ГБ
Гигабайты
категория: Серверная оперативная память
Тип модуля памяти: DDR4
Особенности: ECC Registered
Тип оборудования: Модуль памяти 3DS RDIMM DDR4, Registered DDR4
Поддержка ECC: Есть
Описание: Samsung DDR4 128GB RDIMM (PC4-23400) 2933MHz ECC Reg 1.2V (M393AAG40M3B-CYF), 1 year
Особенности: ECC Registered
Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Есть
Поддержка ECC: Есть
Наименование: Оперативная память Samsung DDR4 128GB RDIMM (PC4-23400) 2933MHz ECC Reg 1.2V (M393AAG40M3B-CYF)
Частота функционирования: до 3200 МГц
Рабочая частота, МГц: 2933
Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 23400 Мб/с
Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 2933 МГц
Эффективная частота: 2933 МГц
Мегагерцы
CAS Latency (CL): 21
CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 21
Тайминги: 21-21-21-41
Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
Напряжение питания: 1.2 В
Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В
Питание: 1.2 В
Вольты
Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Низкопрофильная: Нет
Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Низкопрофильная: Нет
Охлаждение: Нет
Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Низкопрофильная: Нет
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ2: Данный модуль работоспособен ТОЛЬКО в серверных материнских платах и серверных платформах с поддержкой регистровой памяти LRDIMM. В обычных платах с DDR4 не работает
Количество ранков: 4
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 23400 Мб/с
Количество модулей в комплекте: 1
Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: RDIMM
Количество контактов: 288
Безразмерная величина
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Есть
Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В
Питание: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В
Вольты
Производитель: Samsung
Производитель: Samsung
Бренд: Samsung
Бренд: Samsung
бренд: Samsung
Сайт производителя: www.samsung.com
Страна производитель: Китай
Гарантия производителя: 2 года
Код производителя: M393AAG40M3B-CYF
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: RDIMM
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 23400 Мб/с
Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 2933 МГц
Частота функционирования: до 3200 МГц
Рабочая частота, МГц: 2933
Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz
Эффективная частота: 2933 МГц
Мегагерцы
Количество ранков: 4
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 23400 Мб/с
Количество модулей в комплекте: 1
Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: RDIMM
Количество контактов: 288
Безразмерная величина
Гарантия производителя: 2 года
Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В
Месяцы
Месяцы
Транзит: 0
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: RDIMM
дата доставки: 2022-04-27T00:00:00
Дни
Дни
Производитель: Samsung
Производитель: Samsung
Страна производитель: Китай
Гарантия производителя: 2 года
Сайт производителя: www.samsung.com
Код производителя: M393AAG40M3B-CYF
Артикул производителя (Part Number): M393AAG40M3B-CYF
Транзит: 0
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 23400 Мб/с
Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В
Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Есть
Вес: 0.01 кг
Вес брутто (измерено в НИКСе): 0.03 кг
Килограммы
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Сантиметры
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Сантиметры
Высота: 32 мм
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Сантиметры
Вес: 0.01 кг
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Килограммы
Производитель: Samsung
Страна производитель: Китай
Производитель: Samsung
Гарантия производителя: 2 года
Питание: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Серия: M393
Транзит: 0
Сайт производителя: www.samsung.com
Стандарт: DDR4
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Сантиметры
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Сантиметры
Высота: 32 мм
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Сантиметры
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Сантиметры
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Сантиметры
Высота: 32 мм
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Сантиметры
Количество ранков: 4
Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 23400 Мб/с
Количество контактов: 288
Количество модулей в комплекте: 1
Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: RDIMM
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Килограммы
Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 0.5 x 3 x 13 см
Килограммы
Безразмерная величина
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Есть
Питание: 1.2 В
Напряжение питания: 1.2 В
Серия: M393
Страна производитель: Китай
Производитель: Samsung
Буферизованная (регистровая): Есть
Производитель: Samsung
Количество модулей в комплекте: 1
Количество ранков: 4
Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)
Частота функционирования: до 3200 МГц
Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: RDIMM
CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 21
Свойства товаров из библиотеки

Описание

варианты сгенерировать описание заполнять автоматически
×