Редактировать

Silicon-Power DDR3 DIMM 4GB PC3-12800

Артикул: SP004GBLTU160N02 EAN:
Последние изменения внес:
U9
Id: 1694077 Внешний Id: 2173e03e-71d6-41aa-8349-3bc6f82c4b83 Типичные цены: 16,525854 USD - 137,801838 USD
Подтвержденные:

1024x1024 - (58301)

1060x495 - (131312)

Исключенные:

700x165 - (50474)

400x400 - (19735)

700x165 - (50474)

1024x1024 - (46891)

403x112 - (10501)

400x400 - (19735)

768x1024 - (78089)

700x165 - (50474)

1024x1024 - (46891)

600x237 - (33275)

600x237 - (33275)

600x237 - (33275)

500x147 - (20039)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

Объем: 4 ГБ

Объем: 4 ГБ

Объем: 4 ГБ

Объем: 1 модуль 4 Гб

Объем: 4 ГБ

Объем: 4 ГБ

Объем: 1 модуль 4 ГБ

Оперативная память (объем): 4 ГБ

Общий объем памяти: 4 Gb

Объем одного модуля: 4096 Мб

Гигабайты
Тип: DDR3 DIMM

Тип: DDR3 DIMM

Тип: DDR3 DIMM

Тип: DDR3 DIMM

Тип: DDR3 DIMM

Тип памяти: оперативная память DDR3

Оперативная память (объем): 4 ГБ

Оперативная память (ECC): Non-ECC

Оперативная память (тип): DDR3 - 1600 МГц

Тип памяти: DDR-3

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Оперативная память (ECC): Non-ECC

Перевірка і корекція помилок (ECC): non-ECC

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC Поддержка ECC Поддержка ECC (Error Checking and Correction) алгоритма, который дает возможность и выявлять, и исправлять случайно возникшие в процессе передачи данных ошибки (не больше, чем один бит в байте). Технологию Error Checking and Correction способны поддерживать почти все серверные платы, а также некоторые материнские платы для рабочих станций. Модули памяти с ECC стоят дороже, чем те, которые не поддерживают данный алгоритм.: Нет

Перевірка і корекція помилок (ECC): ні

Частота: 1600 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота пам'яті: 1600 MHz

Частота пам'яті: 1600 МГц

Частота пам'яті: 1600 МГц

Частота пам'яті: 1600 МГц

Частота работы шины памяти, МГц: 1600

Мегагерцы
PC-индекс: PC3-12800

PC-индекс: PC3-12800

PC-индекс: PC3-12800

PC-индекс: PC3-12800

PC-индекс: PC3-12800

PC-индекс: PC3-12800

CAS Latency: 11T

CAS Latency: 11T

CAS Latency: 11T

CAS Latency: 11 Т

CAS Latency: 11T

CAS Latency: 11T

CAS Latency: 11T

CAS Latency: 11T

CAS Latency: 11T

CAS Latency (CL): 11

Тайминги: 11-11-11

Тайминги: 11-11-11

Тайминги: 11-11-11

Тайминги: 11-11-11

Тайминги: 11-11-11

Тайминги: 11-11-11

Тайминги: CL-11

Тайминги: 11-11-11

Тайминги: 11-11-11

Тайминги: CL11-11-11

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания, В: 1.5

Вольты
Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Оперативная память (Низкопрофильная): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Оперативная память (Низкопрофильная): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Тип охлаждения: Без охлаждения

Система охлаждения: нет

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (low profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль памяти, который характеризуется высотой меньшего размера (по сравнению со стандартным размером). Такой размер дает возможность его устанавливать в невысоких серверных корпусах.: Нет

Оперативная память (Низкопрофильная): Нет

Количество ранков: 1

Эффективная частота Эффективная частота Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже.: 1600 МГц

Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Количество планок в комплекте, шт: 1

Количество контактов: 240-pin

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество контактов: 240

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Радиатор Радиатор Наличие закрепленных на микросхемах памяти специальных пластин металла, эти пластины предназначены для улучшения теплоотдачи. Радиаторы обычно устанавливают на модули памяти, которые служат для работы при высокой частоте.: Нет

Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Самые распространенные формат — это DIMM и SODIMM. DIMM — модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти. SODIMM — компактный вариант DIMM, обычно применяется в ноутбуках и моноблоках.: DIMM

CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) CAS Latency, CAS — число тактов со времени запроса данных до считывания их с модуля памяти. CAS Latency, CAS – самая важная характеристика модуля памяти, она определят быстродействие памяти. С уменьшением числа CL ускоряется работа памяти.: 11

Безразмерная величина
Напряжение питания, В: 1.5

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания, В: 1.5

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Вольты
Производитель: SILICON POWER

Производитель: Silicon Power

Производитель: Silicon-Power

Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Самые распространенные формат — это DIMM и SODIMM. DIMM — модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти. SODIMM — компактный вариант DIMM, обычно применяется в ноутбуках и моноблоках.: DIMM

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти. Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах. Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно.: Нет

Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя

Пропускная способность Пропускная способность Пропускной способностью модуля памяти называют объем получаемой или передаваемой за одну секунду информации. Этот параметр имеет прямую зависимость от тактовой частоты памяти. Рассчитывается пропускная способность модуля памяти путем умножения ширины шины на тактовую частоту. Чем пропускная способность больше, тем больше скорость работы памяти, тем больше цена модуля (если остальные характеристики совпадают).: 12800 Мб/с

Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Частота: 1600 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота пам'яті: 1600 MHz

Частота пам'яті: 1600 МГц

Стандарт Стандарт Тип применяемой оперативной памяти. DDR — синхронная динамическая память, характеризующаяся удвоенной скоростью передачи информации DDR2 — второе поколение памяти типа DDR. Главное отличие от DDR – возможность функционировать на большей частоте. DDR3 – тип памяти, пришедший на смену DDR2. По сравнению с DDR2, имеет увеличенную частоту, что позволяет работать быстрее. DDR4 – тип памяти, пришедший на смену DDR3. По сравнению с DDR3, имеет увеличенную частоту, что позволяет работать быстрее.: DDR3

Эффективная частота Эффективная частота Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже.: 1600 МГц

Радиатор Радиатор Наличие закрепленных на микросхемах памяти специальных пластин металла, эти пластины предназначены для улучшения теплоотдачи. Радиаторы обычно устанавливают на модули памяти, которые служат для работы при высокой частоте.: Нет

Мегагерцы
Количество ранков: 1

Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Эффективная частота Эффективная частота Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже.: 1600 МГц

Количество планок в комплекте, шт: 1

Количество контактов: 240-pin

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество контактов: 240

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Гарантия: 60 мес.

Гарантия: 12 мес.

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантія, міс: 99

Гарантія, міс: 36

Гарантія, міс: 99

Гарантія, міс: 36

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Самые распространенные формат — это DIMM и SODIMM. DIMM — модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти. SODIMM — компактный вариант DIMM, обычно применяется в ноутбуках и моноблоках.: DIMM

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти. Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах. Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно.: Нет

Месяцы
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти. Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах. Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно.: Нет

Вид поставки: Blister Pack/Street Retail

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Самые распространенные формат — это DIMM и SODIMM. DIMM — модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти. SODIMM — компактный вариант DIMM, обычно применяется в ноутбуках и моноблоках.: DIMM

Эффективная частота Эффективная частота Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже.: 1600 МГц

Дни
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти. Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах. Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно.: Нет

Дни
Производитель: SILICON POWER

Производитель: Silicon Power

Производитель: Silicon-Power

Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/

Страна производства: Китай

Ссылка на описание на сайте производителя: www.silicon-power.com

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти. Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах. Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно.: Нет

Сайт производителя: http://www.silicon-power.com/?currlang=koi8r&country=ru

Импортер/поставщик: ПоказатьООО"ИнтерКомпьютерСервис"

Объем одного модуля Объем одного модуля Объем памяти, который имеет один модуль. Общий объем памяти системы можно рассчитать, сложив объемы памяти всех установленных модулей. Для комфортной работы в офисных программах и сети интернет хватит 4 Гб. Для нормальной работы с офисными приложениями, а также с графическими редакторами хватит 8 Гб оперативной памяти. Работать в сложных графических программах и играть в компьютерные игры позволит от 16Гб памяти системы.: 4 ГБ

Пропускная способность Пропускная способность Пропускной способностью модуля памяти называют объем получаемой или передаваемой за одну секунду информации. Этот параметр имеет прямую зависимость от тактовой частоты памяти. Рассчитывается пропускная способность модуля памяти путем умножения ширины шины на тактовую частоту. Чем пропускная способность больше, тем больше скорость работы памяти, тем больше цена модуля (если остальные характеристики совпадают).: 12800 Мб/с

Эффективная частота Эффективная частота Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже.: 1600 МГц

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти. Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах. Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно.: Нет

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Самые распространенные формат — это DIMM и SODIMM. DIMM — модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти. SODIMM — компактный вариант DIMM, обычно применяется в ноутбуках и моноблоках.: DIMM

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Самые распространенные формат — это DIMM и SODIMM. DIMM — модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти. SODIMM — компактный вариант DIMM, обычно применяется в ноутбуках и моноблоках.: DIMM

Килограммы
Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Сантиметры
Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Сантиметры
Сантиметры
Килограммы
Производитель: SILICON POWER

Производитель: Silicon Power

Страна производства: Китай

Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/

Производитель: Silicon-Power

Напряжение питания, В: 1.5

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания, В: 1.5

Напряжение питания: 1.5 В

Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Количество ранков: 1

Эффективная частота Эффективная частота Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже.: 1600 МГц

Количество контактов: 240-pin

Количество контактов: 240

Количество планок в комплекте, шт: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Килограммы
Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Килограммы
ECC: Нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Количество контактов Количество контактов Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).: 240

Безразмерная величина
ECC: Нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Тип: DDR3 DIMM

Тип: DDR3 DIMM

Тип: DDR3 DIMM

Тип: DDR3 DIMM

Тип: DDR3 DIMM

Вид памяти: DDR3

Вид памяти: DDR3

Вид памяти: DDR3

Вид поставки: Blister Pack/Street Retail

Напряжение питания, В: 1.5

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания, В: 1.5

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/

Стандарт Стандарт Тип применяемой оперативной памяти. DDR — синхронная динамическая память, характеризующаяся удвоенной скоростью передачи информации DDR2 — второе поколение памяти типа DDR. Главное отличие от DDR – возможность функционировать на большей частоте. DDR3 – тип памяти, пришедший на смену DDR2. По сравнению с DDR2, имеет увеличенную частоту, что позволяет работать быстрее. DDR4 – тип памяти, пришедший на смену DDR3. По сравнению с DDR3, имеет увеличенную частоту, что позволяет работать быстрее.: DDR3