Редактировать

Kingston SO-DIMM ECC U PC4-19200 CL19 2400MHz

Артикул: KSM26SES8/8HD EAN:
Последние изменения внес:
U9
Id: 1671435 Внешний Id: 3e71b7cc-de47-4e9c-8197-8fe6a03c05f0 Типичные цены: 31,005390 USD - 207,677176 USD
Подтвержденные:

1000x1000 - (28039)

1000x439 - (89254)

1000x436 - (86480)

800x800 - (65037)

667x341 - (64474)

Исключенные:

500x500 - (39423)

500x223 - (20421)

1000x439 - (89254)

1000x436 - (86480)

477x352 - (27163)

1000x439 - (89254)

1000x436 - (86480)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Объем одного модуля: 8 Гб

Объем одного модуля: 8 ГБ

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Количество модулей: 1

Количество модулей: 1

Объем: - модуля по 0 МБ

Объем: 8 ГБ

Объем: - модуля по 0 МБ

Объем: 8 ГБ

Объём модуля памяти: 8 ГБ

Объём модуля памяти (ГБ): 8ГБ

Объем одного модуля: 8 Гб

Общий объем памяти: 8 Гб

Суммарный объем: 8 ГБ

Объем одного модуля: 8 ГБ

Общий объем памяти: 8 Gb

Гигабайты
Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Слот памяти: SODIMM

Тип памяти: -

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

ECC: Да

ECC: да

Поддержка ECC: да

Поддержка ECC: Есть

Поддержка ECC: Да

Поддержка ECC: Да

Спецификация памяти: ECC

Error Checking and Correction (ECC): Да

Поддержка ECC: Да

Поддержка ECC: -

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2400 МГц

Эффективная частота: 2666 МГц

Тактовая частота, МГц: 2666

Тактовая частота, МГц: 2666

Частота памяти: 2666 МГц

Частота модуля (МГц): 2400МГц

Тактовая частота, МГц: 2666

Частотная спецификация: 2400

Мегагерцы
PC-индекс: PC4-21300

PC-индекс: PC4-21300

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19Т

CAS Latency: 19Т

CAS Latency: 19Т

CAS Latency: 19T

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания модуля памяти: 1.2V

Вольты
Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Профили XMP: Нет

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Число микросхем: 9

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 9

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 9

Число микросхем: 9

Число микросхем: 9

Число микросхем: 9

Число микросхем: 9

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество контактов: 260

Количество чипов на модуле: 9 шт

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество рангов: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество рангов: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей: 1

Безразмерная величина
Число микросхем: 9

Число микросхем: 9

Число микросхем: 9

Число микросхем: 9

Число микросхем: 9

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Тип микросхем: 1Gx8

Емкость микросхем: 8 Гбит

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение: 1.2 В

Напряжение питания модуля памяти: 1.2V

Вольты
Производитель: Kingston

Бренд: Kingston

Вендор: KINGSTON

Сайт производителя: www.kingston.com

Число микросхем: 9

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 9

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 9

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Напряжение: 1.2 В

Технические характеристики: двустороннее

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота памяти: 2666 МГц

Тактовая частота: 2400 МГц

Эффективная частота: 2666 МГц

Тактовая частота, МГц: 2666

Тактовая частота, МГц: 2666

Частота модуля (МГц): 2400МГц

Тактовая частота, МГц: 2666

Мегагерцы
Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество рангов: 1

Количество рангов: 1

Количество рангов: 1

Количество контактов: 260

Количество чипов на модуле: 9 шт

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Гарантия (мес): lifetime

Срок гарантии: 120 мес.

Гарантийный срок: 10 лет

Месяцы
Срок службы: 10 лет

Месяцы
Вид поставки: Retail

Тип поставки: один модуль 1x8Gb

Дни
Вид поставки: Retail

Дни
Производитель: Kingston

Ссылка на описание на сайте производителя: www.kingston.com

Артикул производителя (Part Number): KSM26SES8/8HD

Сайт производителя: www.kingston.com

Вес брутто (кг): 0.1кг

Килограммы
Ширина упаковки (мм): 50мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Длина упаковки (мм): 5мм

Высота упаковки (мм): 160мм

Сантиметры
Длина упаковки (мм): 5мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Ширина упаковки (мм): 50мм

Высота упаковки (мм): 160мм

Сантиметры
Ширина упаковки (мм): 50мм

Высота упаковки (мм): 160мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Длина упаковки (мм): 5мм

Сантиметры
Длина упаковки (мм): 5мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Ширина упаковки (мм): 50мм

Высота упаковки (мм): 160мм

Килограммы
Производитель: Kingston

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Применение: серверная

Ширина упаковки (мм): 50мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Длина упаковки (мм): 5мм

Высота упаковки (мм): 160мм

Сантиметры
Длина упаковки (мм): 5мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Ширина упаковки (мм): 50мм

Высота упаковки (мм): 160мм

Сантиметры
Высота упаковки (мм): 160мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Ширина упаковки (мм): 50мм

Длина упаковки (мм): 5мм

Сантиметры
Ширина упаковки (мм): 50мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Длина упаковки (мм): 5мм

Высота упаковки (мм): 160мм

Сантиметры
Длина упаковки (мм): 5мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Ширина упаковки (мм): 50мм

Высота упаковки (мм): 160мм

Сантиметры
Высота упаковки (мм): 160мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Ширина упаковки (мм): 50мм

Длина упаковки (мм): 5мм

Сантиметры
Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество рангов: 1

Количество рангов: 1

Количество рангов: 1

Количество контактов: 260

Количество контактов: 260-pin

Количество модулей: 1

Количество модулей: 1

Количество чипов на модуле: 9 шт

Ширина упаковки (мм): 50мм

Длина упаковки (мм): 5мм

Высота упаковки (мм): 160мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Килограммы
Ширина упаковки (мм): 50мм

Длина упаковки (мм): 5мм

Высота упаковки (мм): 160мм

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Килограммы
Безразмерная величина
Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Вид поставки: Retail

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Количество рангов: 1

Количество рангов: 1

Спецификация памяти: ECC

Частотная спецификация: 2400

Буферизация: unbuffered

Конфигурация: 1Rx8