Редактировать
Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 3200
Последние изменения внес:
Id: 1633994
Внешний Id:
22a7e950-54c8-4155-b8ca-d07bf5d9ff7a
Типичные цены:
66,747556 USD
-
359,535658 USD
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 3200 M378A4G43AB2-CWE | Transcend 16GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 SODIMM JM2666HSE-16G | Transcend 16GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 JM2666HLE-16G | Transcend 16GB JM DDR4 3200 SO-DIMM 1Rx8 2Gx8 JM3200HSE-16G | Samsung DDR4 DIMM 16GB UNB 3200 M378A2G43AB3-CWE | Crucial DRAM 16GB DDR4-3200 UDIMM CT16G4DFRA32A | Kingston 16GB DDR4 2666MHz SODIMM KCP426SS8/16 | Crucial DDR4 SODIMM 16GB CB16GS2666 | |
| Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль |
| Гарантия | 60 | 60 | 60 | 12 | 99 | |||
| Объем | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| Тип | DDR4 DIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 DIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 DIMM | DDR4 DIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 DIMM |
| ECC | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Частота | 3200,000000 | 2666,000000 | 2666,000000 | 3200,000000 | 3200,000000 | 3200,000000 | 2666,000000 | 2666,000000 |
| PC-индекс | PC4-25600 | PC421300 | PC421300 | PC4-25600 | PC4-25600 | PC4-25600 | PC421300 | PC421300 |
| CAS Latency | 22T | 19Т | 19Т | 22T | 16T | 22T | 19Т | 19Т |
| Тайминги | 22-22-22 | 19-19-19 | 19-19-19 | 22-22-22 | 22-22-22 | 19-19-19 | 19-19-19 | |
| Вес | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | ||
| Напряжение питания | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 |
| Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Ширина в упаковке | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | |||||
| Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Длина в упаковке | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | |||||
| Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет |
| Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Вес в упаковке | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | ||
| Ёмкость микросхем | 16 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит | ||||
| Тип микросхем | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 | |||
| Число микросхем | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | |||
| Напряжение питания при разгоне | 1,200000 | |||||||
| Производитель микросхем | Samsung | Kingston | ||||||
| Расположение чипов | двустороннее | одностороннее | двустороннее | одностороннее | одностороннее | |||
| Частота при разгоне | 2666,000000 | |||||||
| Количество ранков | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 |