Редактировать

Samsung 8GB SODIMM DDR4 3200Mhz

Категория: Оперативная память

Артикул: M471A1K43EB1-CWE EAN:

Последние изменения внес:

Id: 1627833 Внешний Id: 54d6bd3a-995a-42e6-9672-3e87fd2eb141 Типичные цены: 66,747556 USD - 359,535658 USD

Подтвержденные:

1260x557 - (155783)

Исключенные:

500x221 - (27844)

415x415 - (70877)

884x393 - (303595)

Только обязательные свойства

Название	Подказки	Значение	Единица измерения
Набор	Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль ECC: нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет Объем одного модуля: 8 ГБ
Объем	Объем: 8 ГБ Объем: 8 ГБ Объем: 8 ГБ Объем: 8 ГБ Суммарный объем: 8 ГБ Объем одного модуля: 8 ГБ Общий объем: 8 Гб Объем одного модуля: 8 Гб Общий объем: 8 ГБ Общий объем памяти: 8 Gb		Гигабайты
Тип	Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип памяти: оперативная память DDR4 Тип памяти: DDR4 Вид памяти: DDR4 Вид памяти: DDR4 Вид памяти: DDR4 Форм-фактор: SODIMM
ECC	ECC: нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: нет
Частота	Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Эффективная частота: 3200 МГц Тактовая частота: 3200 МГц Тактовая частота, МГц: 3200 Тактовая частота, МГц: 3200 Тактовая частота, МГц: 3200 Тактовая частота: 3200 МГц		Мегагерцы
PC-индекс	PC-индекс: PC4-25600 PC-индекс: PC4-25600 PC-индекс: PC4-25600 PC-индекс: PC4-25600 PC-индекс: PC4-25600
CAS Latency	CAS Latency: 22 Т CAS Latency: 22T CAS Latency: 22T CAS Latency: 22T CAS Latency: 22T CAS Latency: 22T CAS Latency: 22T CAS Latency: 22T CAS Latency (CL): 22
Тайминги	Тайминги: 22-22-22 Тайминги: 22-22-22 Тайминги: 22-22-22 Тайминги: 22-22-22 Тайминги: 22-22-22 Тайминги: 22-22-22 Тайминги: 22-22-22 Тайминги: 22-22-22
Напряжение питания	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания, В: 1.2 Напряжение питания, В: 1.2 Напряжение питания, В: 1.2		Вольты
Профили XMP	Профили XMP: нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили AMP: нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет
Профили AMP	Профили AMP: нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили XMP: нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет
Охлаждение	Охлаждение: нет Охлаждение: Нет Охлаждение: Нет ECC: нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет
Низкопрофильный модуль	Низкопрофильный модуль: нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная: Нет Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль
Ёмкость микросхем	Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Емкость микросхем: 8 Гбит Емкость микросхем: 8 Гбит Емкость микросхем: 8 Гбит Число микросхем: 8 Тип микросхем: 1Gx8 Число микросхем: 8
Тип микросхем	Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Число микросхем: 8 Число микросхем: 8 Число микросхем: 8
Количество банков	Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество рангов: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Количество рангов: 1 Количество рангов: 1		Безразмерная величина
Число микросхем	Число микросхем: 8 Число микросхем: 8 Число микросхем: 8 Число микросхем: 8 Число микросхем: 8 Число микросхем: 8 Число микросхем: 8 Тип микросхем: 1Gx8 Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит		Безразмерная величина
Напряжение питания при разгоне	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания, В: 1.2 Напряжение питания, В: 1.2 Напряжение питания, В: 1.2 Напряжение питания: 1.2 В		Вольты
Производитель микросхем	Производитель: Samsung Число микросхем: 8 Тип микросхем: 1Gx8 Число микросхем: 8 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Число микросхем: 8 Тип микросхем: 1Gx8 Число микросхем: 8 Тип микросхем: 1Gx8
Расположение чипов	Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: Двустороннее Расположение чипов: Двустороннее Расположение чипов: Двустороннее Технические характеристики: двустороннее
Частота при разгоне	Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Эффективная частота: 3200 МГц Тактовая частота: 3200 МГц Тактовая частота, МГц: 3200 Тактовая частота, МГц: 3200 Тактовая частота, МГц: 3200 Тактовая частота: 3200 МГц		Мегагерцы
Количество ранков	Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество рангов: 1 Количество рангов: 1 Количество рангов: 1 Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1		Безразмерная величина
Гарантия *	Гарантия: 12 мес. Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров		Месяцы
Срок службы *	Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров		Месяцы
Время доставки по стране	Тип поставки: один модуль 1x8Gb		Дни
Время доставки по городу			Дни
Производитель (страна, завод) *	Производитель: Samsung Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/ Страна производства: Китай Артикул производителя (Part Number): M471A1K43EB1-CWE	Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон-Си, 443-742, Корея.
Импортер	Импортер/поставщик: ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11	Бытовая техника: ООО "Аймдистри", 220040, г. Минск, ул. Некрасова, д.39/1, каб. 435 / Печатное оборудование: ООО "ЭлкоТелеком", 220090, г. Минск, тр. ЛОГОЙСКИЙ, дом № 22, корпус А, офис 41
Сервисные центры	Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных	СЦ «Летта» (ЗАО «Быттехносервис») Минск, ул. Маяковского, 14аSamsung Сервис Плаза (СООО «Кенфордбел»), г. Минск ул. Якуба Коласа, д. 1ОДО "БРСЦ-Аспирс", Минск, пр-т Независимости, 123 к.3
Комментарий		Собственная курьерская служба. Быстрая доставка в любую точку РБ. 80 пунктов самовывоза. Сервисная поддержка и доп. гарантия. Карты рассрочек Халва, Карта покупок, Черепаха, карта FUN и др. Рассрочка и кредит online до 36 месяцев. Работаем по безналу.
Вес *			Килограммы
Ширина в упаковке *	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Длина в упаковке *	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Высота в упаковке *	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Вес в упаковке *	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Килограммы
Страна-производитель *	Страна производства: Китай Производитель: Samsung Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/ Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания, В: 1.2
Ширина в упаковке 2	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Длина в упаковке 2	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Высота в упаковке 2	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Ширина в упаковке 3	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Длина в упаковке 3	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Высота в упаковке 3	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Сантиметры
Количество упаковок	Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество рангов: 1 Количество рангов: 1 Количество рангов: 1 Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1
Сборка
Вес упаковки 2	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Килограммы
Вес упаковки 3	Кол-во модулей в упаковке: 1 шт		Килограммы
Честный знак	ECC: нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет
ТН ВЭД *			Безразмерная величина
Акцизы	ECC: нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет
Прослеживаемый товар	ECC: нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет
Видео	Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Вид памяти: DDR4 Вид памяти: DDR4 Вид памяти: DDR4
Родитель	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания, В: 1.2 Напряжение питания, В: 1.2 Напряжение питания, В: 1.2 Напряжение питания: 1.2 В
Акция	Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Свойства товаров из библиотеки

Описание

варианты сгенерировать описание

Товар	Все+ Все-

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 8 ГБ и 260-контактным модулем SODIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Для ноутбука (SODIMM), 8 Gb, DDR4, 3200 МГц, количество модулей - 1, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В.
Для ноутбука (SODIMM), 8 Gb, DDR4, 3200 МГц, количество модулей - 1, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В.
Для ноутбука (SODIMM), 8 Gb, DDR4, 3200 МГц, количество модулей - 1, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В.
Оперативная память Samsung SO-DIMM 8GB DDR4-3200 (M471A1K43EB1-CWE)