Редактировать
Samsung 16GB DDR4 2666 SO DIMM
Последние изменения внес:
Id: 1589328
Внешний Id:
a8ef3de5-4629-4299-ba36-6a353b9aff85
Типичные цены:
66,747556 USD
-
359,535658 USD
Samsung 16GB DDR4 2666 SO DIMM M471A2K43DB1-CTD | QUMO DDR4 DIMM 16Gb PC4-21300 QUM4U-16G2666S19 | Silicon-Power DDR4 16GB 2666MHz SP016GBLFU266B02 | Samsung SO-DIMM DDR4 16ГБ PC4-25600 M471A2K43DB1-CWE | Neo Forza DDR4 SODIMM 16Gb PC4-19200 NMSO416E82-2400EA10 | QUMO DDR4 DIMM 16Gb PC4-21300 QUM4U-16G2666P19 | Crucial SO-DIMM DDR 4 DIMM 8Gb PC25600 3200MHz CT8G4SFRA32A | Neo Forza DDR4 DIMM 16Gb PC4-21300 NMUD416E82-2666EA10 | |
Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль |
Гарантия | 12 | 12 | 12 | |||||
Объем | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 8 | 16 |
Тип | DDR4 SODIMM | DDR4 DIMM | DDR4 DIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 DIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 DIMM |
ECC | - | - | - | - | - | - | - | - |
Частота | 2666,000000 | 2666,000000 | 2666,000000 | 3200,000000 | 2400,000000 | 2666,000000 | 3200,000000 | 2666,000000 |
PC-индекс | PC421300 | PC421300 | PC421300 | PC4-25600 | PC419200 | PC421300 | PC4-25600 | PC421300 |
CAS Latency | 19Т | 19Т | 19Т | 19Т | 17T | 19Т | 22T | 19Т |
Тайминги | 19-19-19 | 19-19-19 | 17-17-17 | 19-19-19-43 | 22-22-22 | 19-19-19 | ||
Вес | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | ||
Напряжение питания | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 |
Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Ширина в упаковке | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | |
Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Длина в упаковке | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | |
Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет |
Высота в упаковке | 3,000000 | |||||||
Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | - |
Вес в упаковке | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | |
Ёмкость микросхем | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | |
Тип микросхем | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | |
Число микросхем | 16,000000 | 16,000000 | 16,000000 | 16,000000 | 16,000000 | 16,000000 | 16,000000 | 16,000000 |
Производитель микросхем | Samsung | Samsung | ||||||
Расположение чипов | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее |
Количество ранков | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 |