Редактировать

Samsung 16GB DDR4 2666 SO DIMM

Категория: Оперативная память

Артикул: M471A2K43DB1-CTD EAN:

Последние изменения внес:

Id: 1589328 Внешний Id: a8ef3de5-4629-4299-ba36-6a353b9aff85 Типичные цены: 66,747556 USD - 359,535658 USD

Подтвержденные:

1000x1000 - (90758)

500x500 - (94399)

Исключенные:

400x400 - (74914)

340x146 - (23796)

400x400 - (74914)

794x358 - (235355)

499x231 - (29479)

Только обязательные свойства

Название	Подказки	Значение	Единица измерения
Набор	Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль ECC: нет ECC: Нет ECC: нет ECC: Нет
Объем	Объем: 1 модуль 16 ГБ Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ Общий объем: 16 Гб Объем одного модуля: 16 Гб Объем модуля: 16 ГБ Объем модуля, Гб: 16		Гигабайты
Тип	Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип памяти: оперативная память DDR4 Тип памяти: DDR4 Тип памяти: DDR4 Вид памяти: DDR4 Вид памяти: DDR4
ECC	ECC: нет ECC: Нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет Поддержка ECC: нет Поддержка ECC: не поддерживается Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: Нет
Частота	Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Тактовая частота: 2666 МГц Тактовая частота: 2666 МГц Эффективная частота: 2666 МГц Тактовая частота, МГц: 2666 Тактовая частота, МГц: 2666		Мегагерцы
PC-индекс	PC-индекс: PC4-21300 PC-индекс: PC4-21300 PC-индекс: PC4-21300 PC-индекс: PC4-21300 PC-индекс: PC4-21300 PC-индекс: PC4-21300
CAS Latency	CAS Latency: 19T CAS Latency: 19T CAS Latency: 19T CAS Latency: 19T CAS Latency: 19T CAS Latency: 19Т CAS Latency: 19Т CAS Latency (CL): 19 CAS Latency (CL): 19
Тайминги
Напряжение питания	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания, В: 1.2В Напряжение питания, В: 1.2		Вольты
Профили XMP	Профили XMP: Нет Профили XMP: нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет
Профили AMP	Профили AMP: Нет Профили AMP: нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет
Охлаждение	Охлаждение: Нет Охлаждение: нет Охлаждение: Нет Охлаждение: Нет ECC: нет ECC: Нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет
Низкопрофильный модуль	Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная: Нет Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль
Ёмкость микросхем	Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Ёмкость микросхем: 8 Гбит Емкость микросхем: 8 Гбит Емкость микросхем: 8 Гбит Число микросхем: 16 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8
Тип микросхем	Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16
Количество банков	Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Количество чипов: 8 Количество контактов: 260-pin Количество контактов: 260 Количество модулей в комплекте: 1 шт		Безразмерная величина
Число микросхем	Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16 Тип микросхем: 1Gx8 Ёмкость микросхем: 8 Гбит Тип микросхем: 1Gx8		Безразмерная величина
Напряжение питания при разгоне	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания, В: 1.2 Напряжение питания, В: 1.2		Вольты
Производитель микросхем	Производитель: Samsung Число микросхем: 16 Тип микросхем: 1Gx8 Тип микросхем: 1Gx8 Число микросхем: 16 Тип микросхем: 1Gx8 Число микросхем: 16 Тип микросхем: 1Gx8 Число микросхем: 16 Число микросхем: 16
Расположение чипов	Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: Двустороннее Расположение чипов: Двустороннее Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Технические характеристики: двустороннее
Частота при разгоне	Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Частота: 2666 МГц Тактовая частота: 2666 МГц Тактовая частота: 2666 МГц Эффективная частота: 2666 МГц Тактовая частота, МГц: 2666 Тактовая частота, МГц: 2666		Мегагерцы
Количество ранков	Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество рангов: 2 Количество рангов: 2 Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Количество чипов: 8 Количество контактов: 260-pin		Безразмерная величина
Гарантия *	Гарантия: 2 года Гарантия: 12 мес. Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров		Месяцы
Срок службы *	Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров		Месяцы
Время доставки по стране	Тип поставки: OEM		Дни
Время доставки по городу	Тип поставки: OEM		Дни
Производитель (страна, завод) *	Производитель: Samsung Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/ Страна производства: Китай Артикул производителя (Part Number): M471A2K43DB1-CTD	Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон-Си, 443-742, Корея.
Импортер	Импортер/поставщик: ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11	Бытовая техника: ООО "Аймдистри", 220040, г. Минск, ул. Некрасова, д.39/1, каб. 435 / Печатное оборудование: ООО "ЭлкоТелеком", 220090, г. Минск, тр. ЛОГОЙСКИЙ, дом № 22, корпус А, офис 41
Сервисные центры	Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных	СЦ «Летта» (ЗАО «Быттехносервис») Минск, ул. Маяковского, 14аSamsung Сервис Плаза (СООО «Кенфордбел»), г. Минск ул. Якуба Коласа, д. 1ОДО "БРСЦ-Аспирс", Минск, пр-т Независимости, 123 к.3
Комментарий		Собственная курьерская служба. Быстрая доставка в любую точку РБ. 80 пунктов самовывоза. Сервисная поддержка и доп. гарантия. Карты рассрочек Халва, Карта покупок, Черепаха, карта FUN и др. Рассрочка и кредит online до 36 месяцев. Работаем по безналу.
Вес *			Килограммы
Ширина в упаковке *	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Сантиметры
Длина в упаковке *	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Сантиметры
Высота в упаковке *	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Сантиметры
Вес в упаковке *	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Килограммы
Страна-производитель *	Производитель: Samsung Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/ Страна производства: Китай Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В
Ширина в упаковке 2	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Сантиметры
Длина в упаковке 2	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Сантиметры
Высота в упаковке 2	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Сантиметры
Ширина в упаковке 3	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Сантиметры
Длина в упаковке 3	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Сантиметры
Высота в упаковке 3	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Сантиметры
Количество упаковок	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество чипов: 8 Количество рангов: 2 Количество рангов: 2 Количество контактов: 260-pin
Сборка
Вес упаковки 2	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Килограммы
Вес упаковки 3	Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка		Килограммы
Честный знак	ECC: нет ECC: Нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет
ТН ВЭД *			Безразмерная величина
Акцизы	ECC: нет ECC: Нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет
Прослеживаемый товар	ECC: нет ECC: Нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет
Видео	Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Вид памяти: DDR4 Вид памяти: DDR4
Родитель	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания, В: 1.2 Напряжение питания, В: 1.2
Акция	Буферизация: unbuffered Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Свойства товаров из библиотеки

Описание

варианты сгенерировать описание

Товар	Все+ Все-

Samsung DDR4 16GB UNB SODIMM 2666, 1.2V
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Для ноутбука (SODIMM), 16 Gb, DDR4, 2666 МГц, количество модулей - 1, напряжение 1.2 В.
Для ноутбука (SODIMM), 16 Gb, DDR4, 2666 МГц, количество модулей - 1, напряжение 1.2 В.