Редактировать
Samsung DDR4 32GB ECC UNB DIMM
Последние изменения внес:
Id: 1565923
Внешний Id:
f101c05a-f62c-4971-b964-4a8a7d5cdc57
Типичные цены:
66,747556 USD
-
359,535658 USD
Samsung DDR4 32GB ECC UNB DIMM M391A4G43AB1-CVF | Crucial DDR4 32Gb RDIMM ECC Reg PC4-23466 CL21 2933MHz MTA18ASF4G72PDZ-2G9B2 | Micron 32GB PC21300 MTA18ASF4G72AZ-2G6B1 | Supermicro 32Gb DDR4-2933 MEM-DR432L-HL01-EU29 | Micron 32GB DDR4-3200 ECC Registered MTA18ASF4G72PDZ-3G2 | Crucial DDR4 32Gb DIMM ECC Reg PC4-23400 CL21 2933MHz MTA18ASF4G72PDZ-2G9E1 | Crucial DDR4 32Gb 3200MHz MTA18ASF4G72AZ-3G2B1 | Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V M393A4G43AB3-CWE | |
Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль |
Гарантия | 12 | |||||||
Объем | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
Тип | DDR4 DIMM | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered |
ECC | + | + | + | + | + | + | + | + |
Частота | 2933,000000 | 2933,000000 | 2666,000000 | 2933,000000 | 3200,000000 | 2933,000000 | 3200,000000 | 3200,000000 |
PC-индекс | PC4-23400 | PC4-23400 | PC421300 | PC4-23400 | PC4-25600 | PC4-23400 | PC4-25600 | PC4-25600 |
CAS Latency | 21T | 21T | 22T | 21T | 22T | 22T | ||
Тайминги | 21-21-21 | 19-19-19 | 21-21-21 | 22-22-22 | 21-21-21 | 22-22-22 | 22-22-22 | |
Вес | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 |
Напряжение питания | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 |
Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Ширина в упаковке | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | ||
Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Длина в упаковке | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | |
Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет |
Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | - |
Вес в упаковке | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 |
Ёмкость микросхем | 16 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит | 8 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит | 16 Гбит |
Тип микросхем | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx4 | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 | 2Gx8 |
Число микросхем | 18,000000 | 20,000000 | 16,000000 | 18,000000 | 19,000000 | 19,000000 | 18,000000 | |
Производитель микросхем | Samsung | Micron | Micron | Micron | Micron | Micron | Samsung | |
Расположение чипов | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | |
Количество ранков | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 |