Редактировать

Patriot DDR 4 DIMM 16Gb PC25600

Категория: Оперативная память

Артикул: PVSR416G320C8 EAN: 814914027851

Последние изменения внес:

Id: 1556608 Внешний Id: 455bb1b6-6755-4139-9998-b9ccbc706aa2 Типичные цены: 12,802349 USD - 116,835413 USD

Подтвержденные:

700x700 - (103317)

Исключенные:

500x189 - (83737)

500x179 - (17313)

Только обязательные свойства

Название	Подказки	Значение	Единица измерения
Набор	Объем одного модуля: 16 ГБ Объем одного модуля: 16 ГБ
Объем	Объем памяти одного модуля: 16 ГБ Общий объем памяти: 16 ГБ Общий объем, гигабайт: 16 Объем одного модуля, гигабайт: 16 Объем одного модуля: 16 ГБ Суммарный объем: 16 ГБ Суммарный объем: 16 ГБ Объем одного модуля: 16 ГБ		Гигабайты
Тип	Тип памяти: DDR4 Тип памяти: DDR4 Регистровая память: Нет XMP совместимая память: Да XMP совместимая память: Да
ECC	Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Частота	Частота, мегагерц: 3200 Дополнительная информация: Частота памяти: 3200 МГц Эффективная частота: 3200 МГц Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3200 МГц Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22		Мегагерцы
PC-индекс	Стандарт памяти: PC4-25600
CAS Latency	CAS Latency (CL): 18 CAS Latency (CL): 18 CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 18
Тайминги
Напряжение питания	Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В		Вольты
Профили XMP	Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Профили AMP	Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Охлаждение	Система охлаждения: пассивная Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42
Низкопрофильный модуль	Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная: Нет
Ёмкость микросхем
Тип микросхем
Количество банков	Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество контактов: 288 Количество контактов: 288 Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM Количество модулей в комплекте: 1 шт		Безразмерная величина
Число микросхем	Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет		Безразмерная величина
Напряжение питания при разгоне	Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В		Вольты
Производитель микросхем	Бренд: PATRIOT Гарантия производителя: 30 лет Артикул производителя: PVSR416G320C8
Расположение чипов	Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM
Частота при разгоне	Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Дополнительная информация: Частота памяти: 3200 МГц Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3200 МГц Частота, мегагерц: 3200 Эффективная частота: 3200 МГц Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22		Мегагерцы
Количество ранков	Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество контактов: 288 Количество контактов: 288 Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM Количество модулей в комплекте: 1 шт		Безразмерная величина
Гарантия *	Гарантия производителя: 30 лет Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42 Основные характеристики: Основные характеристики Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В		Месяцы
Срок службы *			Месяцы
Время доставки по стране	Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42 Вид поставки: Retail Вид поставки: Retail Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22 Страна: Тайвань RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22		Дни
Время доставки по городу	Вид поставки: Retail Вид поставки: Retail RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22		Дни
Производитель (страна, завод) *	Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42 Гарантия производителя: 30 лет Ссылка на описание на сайте производителя: www.viper.patriotmemory.com Артикул производителя: PVSR416G320C8 Артикул производителя (Part Number): PVSR416G320C8 Артикул производителя (Part Number): PVSR416G320C8 Страна: Тайвань Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22 Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с	Патриот Мемори ЛЛК. 47027 Бениция Стрит, Фремонт, КА 94538, США
Импортер	Основные характеристики: Основные характеристики	Неолинк ЧТУП 220073 г. Минск, пр. Пушкина, д. 52, пом. 1
Сервисные центры		ИП Титов О. М. (Минск, ул. Асаналиева, д. 72, пом. №5)
Комментарий	Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22 Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 42	Собственная курьерская служба. Быстрая доставка в любую точку РБ. 80 пунктов самовывоза. Сервисная поддержка и доп. гарантия. Карты рассрочек Халва, Карта покупок, Черепаха, карта FUN и др. Рассрочка и кредит online до 36 месяцев. Работаем по безналу.
Вес *	Вес: 48 г Габариты и вес: Габариты и вес		Килограммы
Ширина в упаковке *			Сантиметры
Длина в упаковке *			Сантиметры
Высота в упаковке *			Сантиметры
Вес в упаковке *	Вес: 48 г		Килограммы
Страна-производитель *	Страна: Тайвань Гарантия производителя: 30 лет Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1.35 В Стандарт: DDR4 Стандарт: DDR4 Артикул производителя: PVSR416G320C8
Ширина в упаковке 2			Сантиметры
Длина в упаковке 2			Сантиметры
Высота в упаковке 2			Сантиметры
Ширина в упаковке 3			Сантиметры
Длина в упаковке 3			Сантиметры
Высота в упаковке 3			Сантиметры
Количество упаковок	Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Количество контактов: 288 Количество контактов: 288 Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 шт Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM Количество модулей в комплекте: 1 шт
Сборка
Вес упаковки 2	Вес: 48 г		Килограммы
Вес упаковки 3	Вес: 48 г		Килограммы
Честный знак
ТН ВЭД *			Безразмерная величина
Акцизы
Прослеживаемый товар
Видео	Вид поставки: Retail Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет Вид поставки: Retail
Родитель	Игровая: Да Назначение: для компьютера Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1.35 В Радиатор: Есть Радиатор: Есть Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 Буферизованная (регистровая): Нет Количество модулей в комплекте: 1 шт
Акция	Дополнительная информация: Частота памяти: 3200 МГц Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: DIMM

Свойства товаров из библиотеки

Описание

варианты сгенерировать описание

Товар	Все+ Все-

Оперативная память Patriot Viper Steel DDR4 3200Mhz 16GB подойдет пользователям, желающим сделать свой компьютер более быстрым и производительным. Устройство привлечет как требовательных покупателей, оценивающих исключительно эффективность комплектующего, так и ценителей уникального дизайна. Модуль памяти оснащен двумя радиаторами, которые сделают температурный режим внутри системного блока более оптимальным и устранят излишки тепла. Оперативная память будет функционировать надежнее и дольше. Работает модуль на тактовой частоте 3200 МГц, но способен запуститься и при более низких показателях.
Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 16 ГБ и 288-контактным модулем DIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.
Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 16 ГБ и 288-контактным модулем DIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.