Редактировать

Patriot SO-DIMM DDR 4 DIMM 32Gb PC21300

Артикул: PSD432G26662S EAN: 814914027011
Последние изменения внес:
U9
Id: 1556606 Внешний Id: 72d5fdd6-f541-4385-a90b-9c882766b8ad Типичные цены: 12,802349 USD - 116,835413 USD
Подтвержденные:

1200x525 - (161228)

1000x692 - (111658)

1000x675 - (108996)

1000x437 - (144113)

1200x515 - (136791)

445x1200 - (114954)

Исключенные:

400x400 - (18152)

1000x432 - (109934)

700x700 - (141791)

500x216 - (28287)

533x360 - (29561)

533x369 - (29976)

533x233 - (26509)

533x231 - (26568)

500x225 - (98886)

700x700 - (141791)

500x216 - (28287)

500x216 - (28287)

810x351 - (78025)

810x351 - (78025)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

ECC: Нет

ECC: нет

Объем: 1 модуль 32Gb

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Объем одного модуля: 32 Гб

Объем одного модуля: 32 Гб

Объем одного модуля: 32 ГБ

Объем: 1 модуль 32Gb

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объём: 32Gb

Объем одного модуля: 32 Гб

Общий объем, гигабайт: 32

Объем одного модуля, гигабайт: 32

Объем одного модуля: 32 Гб

Объем памяти: 32 Гб

Объем одного модуля памяти: 32Gb

Гигабайты
Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR-4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR-4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

ECC: Нет

ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: Нет

Особенности: NON-ECC

Поддержка ECC: Нет

Поддержка ECC: Нет

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

Поддержка ECC: Нет

Поддержка ECC: Нет

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота, мегагерц: 2666

Частота, мегагерц: 2666

Тактовая частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Частота памяти: 2666 МГц

Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-21300 2666MHz

Рабочая частота, МГц: 2666

Дополнительная информация: Частота памяти: 2666 МГц

Мегагерцы
PC-индекс: PC4-21300

PC-индекс: PC4-21300

Стандарт памяти: PC4-21300

Стандарт памяти: PC4-21300

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 19Т

CAS Latency: 19Т

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 19

Тайминги: 19

Тайминги: 19-19-19-43

Тайминги: 19-19-19-43

Тайминги: 19-19-19-43

Тайминги: 19-19-19-43

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1,2В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1,2В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Вольты
Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: нет

ECC: Нет

ECC: нет

Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильная: Нет

Набор: 1 модуль

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с

Количество контактов: 260

Количество модулей в комплекте: 1

Количество контактов: 260

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1,2В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1,2В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Вольты
Производитель: Patriot

Производитель: Patriot

Производитель: PATRIOT MEMORY

Бренд: PATRIOT

Бренд: Patriot

Бренд: Patriot

Бренд: PATRIOT

Страна производитель: Тайвань

Сайт производителя: www.patriotmemory.com

Гарантия производителя: 30 лет

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: SODIMM

Технические характеристики: двустороннее

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота памяти: 2666 МГц

Дополнительная информация: Частота памяти: 2666 МГц

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Частота, мегагерц: 2666

Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-21300 2666MHz

Мегагерцы
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с

Количество контактов: 260

Количество модулей в комплекте: 1

Количество контактов: 260

Безразмерная величина
Гарантия: 60 мес.

Срок гарантии: 10 лет

Гарантия производителя: 30 лет

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43

Основные характеристики: Основные характеристики

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В

Месяцы
Месяцы
Поставка: Retail

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43

Тип поставки: Retail

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 19

Страна: Тайвань

Вид поставки: Blister Pack/Street Retail

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 19

Вид поставки: Blister Pack/Street Retail

Дни
Поставка: Retail

Тип поставки: Retail

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 19

Дни
Производитель: Patriot

Производитель: PATRIOT MEMORY

Производитель: Patriot

Страна производитель: Тайвань

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43

Гарантия производителя: 30 лет

Ссылка на описание на сайте производителя: www.patriotmemory.com

Сайт производителя: http://patriotmemory.com/

Код производителя: PSD432G26662S

Артикул производителя: PSD432G26662S

Основные характеристики: Основные характеристики

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 19

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 43

Вес: 10 г

Габариты и вес: Габариты и вес

Килограммы
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Вес: 10 г

Килограммы
Производитель: Patriot

Производитель: PATRIOT MEMORY

Страна производитель: Тайвань

Страна: Тайвань

Производитель: Patriot

Гарантия производителя: 30 лет

Питание: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1,2В

Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 21300 Мб/с

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество контактов: 260

Количество контактов: 260

Количество контактов: 260

Вес: 10 г

Килограммы
Вес: 10 г

Килограммы
ECC: Нет

ECC: нет

Безразмерная величина
ECC: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: нет

Игровая: Нет

Игровая: Нет

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Вид поставки: Blister Pack/Street Retail

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Вид поставки: Blister Pack/Street Retail

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Питание: 1.2 В

Игровая: Нет

Игровая: Нет

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1,2В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1,2В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Дополнительная информация: Частота памяти: 2666 МГц

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: SODIMM