Edit

Samsung DDR4 64GB LRDIMM 3200 1.2V

Category: Оперативная память

Article: M386A8K40DM2-CWE Ean:

Last editor:

Id: 1519772 External Id: 4e0bba18-9617-4af2-b497-39ec4e863c44 Typical prices: 66.747556 USD - 359.535658 USD

Validated:

1000x1000 - (27859)

Excluded:

448x226 - (36337)

Only required properties

Name	Hints	Value	Unit
Набор	Объем: 1 модуль 64 ГБ Объем одного модуля: 64 ГБ
Объем	Объем: 1 модуль 64 ГБ Объем модуля памяти: 64 Гб Объём: 64Gb Суммарный объем: 64 ГБ Объем одного модуля: 64 ГБ Объем памяти: 64 ГБ Объем одного модуля памяти: 64Gb		Gigabytes
Тип	Тип: DDR4 LRDIMM 288-pin Тип памяти: DDR4 Тип модуля памяти: DDR4 Тип чипов памяти: DDR4 Буферизованная (Registered): да Особенности: ECC Registered Буферизация DRAM: Registered Наименование: Оперативная память Samsung DDR4 64GB LRDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg Load Reduced 1.2V (M386A8K40DM2-CWE)
ECC	Описание: Samsung DDR4 64GB LRDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg Load Reduced 1.2V (M386A8K40DM2-CWE) 1 year, OEM Поддержка ECC: Есть Поддержка ECC: Есть Поддержка ECC: да Особенности: ECC Registered Наименование: Оперативная память Samsung DDR4 64GB LRDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg Load Reduced 1.2V (M386A8K40DM2-CWE)
Частота	Частота функционирования: до 3200 МГц Эффективная частота: 3200 МГц Тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz Рабочая частота, МГц: 3200		Megahertz
PC-индекс
CAS Latency	CAS Latency (CL): 22
Тайминги	Тайминги: 22
Напряжение питания	Напряжение питания: 1.2 В (DDR4) Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Питание: 1.2 В		Volts
Профили XMP	Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная (Low Profile): нет
Профили AMP	Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная (Low Profile): нет
Охлаждение	Охлаждение: Нет
Низкопрофильный модуль	Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная: Нет Объем: 1 модуль 64 ГБ
Ёмкость микросхем
Тип микросхем
Количество банков	Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество контактов: 288 Количество чипов каждого модуля: 16 Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1		Dimensionless quantity
Число микросхем			Dimensionless quantity
Напряжение питания при разгоне	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Питание: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В (DDR4)		Volts
Производитель микросхем	Производитель: Samsung Производитель: Samsung Бренд: Samsung Сайт производителя: www.samsung.com
Расположение чипов
Частота при разгоне	Частота функционирования: до 3200 МГц Эффективная частота: 3200 МГц Тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz Рабочая частота, МГц: 3200		Megahertz
Количество ранков	Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество контактов: 288 Количество чипов каждого модуля: 16 Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1		Dimensionless quantity
Гарантия *	Гарантийный срок: 6 мес. Страна изготовления товара: Республика Корея		Months
Срок службы *	Срок службы: 5 лет		Months
Время доставки по стране	Поставка: Retail Транзит: 0		Days
Время доставки по городу	Поставка: Retail		Days
Производитель (страна, завод) *	Производитель: Samsung Производитель: Samsung Артикул производителя (Part Number): M386A8K40DM2-CWE Сайт производителя: www.samsung.com Транзит: 0	Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Мэтан-донг 129, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, Сувон-Си, 443-742, Корея.
Импортер		Бытовая техника: ООО "Аймдистри", 220040, г. Минск, ул. Некрасова, д.39/1, каб. 435 / Печатное оборудование: ООО "ЭлкоТелеком", 220090, г. Минск, тр. ЛОГОЙСКИЙ, дом № 22, корпус А, офис 41
Сервисные центры		СЦ «Летта» (ЗАО «Быттехносервис») Минск, ул. Маяковского, 14аSamsung Сервис Плаза (СООО «Кенфордбел»), г. Минск ул. Якуба Коласа, д. 1ОДО "БРСЦ-Аспирс", Минск, пр-т Независимости, 123 к.3
Комментарий		Собственная курьерская служба. Быстрая доставка в любую точку РБ. 80 пунктов самовывоза. Сервисная поддержка и доп. гарантия. Карты рассрочек Халва, Карта покупок, Черепаха, карта FUN и др. Рассрочка и кредит online до 36 месяцев. Работаем по безналу.
Вес *	Вес брутто (измерено в НИКСе): 0.023 кг		Kilograms
Ширина в упаковке *	Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Centimeters
Длина в упаковке *	Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Centimeters
Высота в упаковке *	Высота: 32 мм Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Centimeters
Вес в упаковке *	Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Kilograms
Страна-производитель *	Производитель: Samsung Производитель: Samsung Питание: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Серия: M386 Транзит: 0 Сайт производителя: www.samsung.com Стандарт: DDR4 Страна изготовления товара: Республика Корея
Ширина в упаковке 2	Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Centimeters
Длина в упаковке 2	Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Centimeters
Высота в упаковке 2	Высота: 32 мм Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Centimeters
Ширина в упаковке 3	Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Centimeters
Длина в упаковке 3	Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Centimeters
Высота в упаковке 3	Высота: 32 мм Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Centimeters
Количество упаковок	Количество ранков: 4 Количество ранков: 4 Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество чипов каждого модуля: 16 Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1
Сборка
Вес упаковки 2	Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Kilograms
Вес упаковки 3	Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 13.3 x 3.1 x 0.4 см		Kilograms
Честный знак
ТН ВЭД *			Dimensionless quantity
Акцизы
Прослеживаемый товар
Видео	Тип: DDR4 LRDIMM 288-pin
Родитель	Питание: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Серия: M386 Производитель: Samsung Буферизованная (регистровая): Есть Производитель: Samsung Количество модулей в комплекте: 1 Количество ранков: 4 Количество ранков: 4
Акция	Буферизация DRAM: Registered Частота функционирования: до 3200 МГц

Свойства товаров из библиотеки

Description

options generate description

Product	All+ All-