Редактировать

Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V

Артикул: M393A4K40DB3-CWE EAN:
Последние изменения внес:
U1
Id: 1503715 Внешний Id: bbe2b940-50fc-4e07-8c55-27dfdc0df904 Типичные цены: 66,747556 USD - 359,535658 USD
Подтвержденные:

1024x1024 - (80121)

Исключенные:

440x224 - (19715)

448x226 - (36337)

448x226 - (19572)

1000x1000 - (34177)

464x400 - (23255)

796x205 - (164474)

796x205 - (164474)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Объем: 1 модуль 32 ГБ

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Объем одного модуля: 32 Гб

Объем одного модуля: 32 ГБ

Объем одного модуля: 32 Гб

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем: 1 модуль 32 ГБ

Объём: 32Gb

Объем памяти: 32 ГБ

Общий объем: 32 Гб

Объем одного модуля: 32 Гб

Суммарный объем: 32 ГБ

Объем одного модуля: 32 ГБ

Гигабайты
Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM 288-pin

Тип памяти: оперативная память DDR4

Тип пам'яті: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

ECC: есть

ECC: да

ECC: Да

Додатково: ECC, Registered

Дополнительно: ECC, Registered

Модель: DDR4 32GB ECC RDIMM 3200MHz 2Rx4 1.2V CL22

Поддержка ECC: Есть

Поддержка ECC: Да

Особенности: ECC Registered

Поддержка ECC: да

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Частота пам'яті: 3200 МГц

Частота памяти: 3200 MHz

Тактовая частота: 3200 МГц

Эффективная частота: 3200 МГц

Тактовая частота, МГц: 3200

Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz

Рабочая частота, МГц: 3200

Мегагерцы
PC-индекс: PC4-25600

PC-индекс: PC4-25600

PC-индекс: PC4-25600

PC-индекс: PC4-25600

CAS Latency: 21 Т

CAS Latency: 21T

CAS Latency: 22T

CAS Latency: 21T

CAS Latency: 21T

CAS Latency: 21T

CAS Latency (CL): 22

CAS Latency (CL): 22

Тайминги: 21-21-21-32

Тайминги: 21-21-21-32

Тайминги: 21-21-21-32

Тайминги: 22

Тайминги: 22

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение: 1.2 V

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Вольты
Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Охлаждение: нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная: Нет

Профиль: JEDEC

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Тип микросхем: 2Gx4

Число микросхем: 36

Тип микросхем: 2Gx4

Число микросхем: 36

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Количество ранков: 2

Количество ранков: 4

Количество ранков: 2

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество модулей в комплекте: 1

Количество рангов: 2

Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1

Количество рангов: 2

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Число микросхем: 36

Тип микросхем: 2Gx4

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Тип микросхем: 2Gx4

Тип микросхем: 2Gx4

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение: 1.2 V

Вольты
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Бренд: Samsung

Бренд: Samsung

Тип микросхем: 2Gx4

Число микросхем: 36

Тип микросхем: 2Gx4

Число микросхем: 36

Тип микросхем: 2Gx4

Число микросхем: 36

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Расположение чипов: Двустороннее

Напряжение: 1.2 V

Технические характеристики: двустороннее

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Частота пам'яті: 3200 МГц

Частота памяти: 3200 MHz

Тактовая частота: 3200 МГц

Эффективная частота: 3200 МГц

Тактовая частота, МГц: 3200

Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz

Рабочая частота, МГц: 3200

Мегагерцы
Количество ранков: 2

Количество ранков: 4

Количество ранков: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Гарантия: 12 мес.

Гарантия, мес: 36

Гарантийный срок: 6 мес.

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантія, міс: 36

Месяцы
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Тип поставки: один модуль 1x32Gb

Дни
Дни
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Страна производства: Китай

Примечание: Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления

Артикул производителя (Part Number): M393A4K40DB3-CWE

Сайт производителя: www.samsung.com

Импортер/поставщик: ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Примечание: Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления

Килограммы
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Килограммы
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Страна производства: Китай

Питание: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Сантиметры
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Сантиметры
Количество ранков: 2

Количество ранков: 4

Количество ранков: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество модулей в комплекте: 1

Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Килограммы
Кол-во модулей в упаковке: 1 шт

Килограммы
ECC: есть

Безразмерная величина
Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM 288-pin

Примечание: Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Питание: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/