Редактировать
Samsung DDR4 16GB ECC UNB DIMM
Последние изменения внес:
Id: 1453127
Внешний Id:
cd7c983c-7b56-4d23-bf1a-bb776efe3d35
Типичные цены:
66,747556 USD
-
359,535658 USD
Samsung DDR4 16GB ECC UNB DIMM M391A2K43DB1-CVF | Samsung 16GB DDR4 3200MHz M393A2K43DB3-CWEBQ | Samsung DDR4 16GB RDIMM 3200 1.2V DR M393A2K43DB3-CWE | Samsung DDR-4 16GB PC4-23400 ECC Reg M393A2K43CB2-CVF | Samsung 8GB DDR4 1Rx8 DIMM M393A1K43DB1-CVFCO | Kingston DDR4 DIMM 16GB KSM26ED8/16HD | Supermicro 32Gb DDR4-2933 MEM-DR432L-HL01-EU29 | Samsung 16GB DDR4 3200MHz 2Rx8 DIMM M393A2K43DB3-CWECO | |
Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль |
Гарантия | 12 | 60 | 12 | |||||
Объем | 16 | 16 | 16 | 16 | 8 | 16 | 32 | 16 |
Тип | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM | DDR4 DIMM Registered | DDR4 DIMM |
ECC | + | + | + | + | + | + | + | |
Частота | 2933,000000 | 3200,000000 | 3200,000000 | 2933,000000 | 2933,000000 | 2666,000000 | 2933,000000 | 3200,000000 |
PC-индекс | PC4-23400 | PC4-25600 | PC4-25600 | PC4-23400 | PC4-23400 | PC421300 | PC4-23400 | PC4-25600 |
CAS Latency | 21T | 22T | 22T | 21T | 21T | 19Т | 21T | 22T |
Тайминги | 21-21-21 | 22-22-22 | 22-22-22 | 21-21-21 | 21-21-21 | 19-19-19 | 21-21-21 | 22-22-22 |
Вес | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | |
Напряжение питания | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 |
Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | |
Ширина в упаковке | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | |
Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | |
Длина в упаковке | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 |
Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет |
Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | |
Вес в упаковке | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | |
Ёмкость микросхем | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | ||
Тип микросхем | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 2Gx4 | ||
Число микросхем | 18,000000 | 18,000000 | 18,000000 | 18,000000 | 18,000000 | 18,000000 | ||
Производитель микросхем | Samsung | Samsung | Samsung | Samsung | Samsung | Kingston | Samsung | |
Расположение чипов | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | |||
Количество ранков | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 | 2,000000 |