Edit

Samsung DDR4 16GB ECC UNB DIMM

Article: M391A2K43DB1-CVF Ean: 2001000883813
Last editor:
U4
Id: 1453127 External Id: cd7c983c-7b56-4d23-bf1a-bb776efe3d35 Typical prices: 66.747556 USD - 359.535658 USD
Validated:

1000x1000 - (62325)

Excluded:

500x252 - (18373)

659x330 - (149726)

659x330 - (149726)

659x330 - (149726)

659x330 - (149726)

Name Hints Value Unit
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Объем одного модуля: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Объем: 16 ГБ

Объём: 16Gb

Объём: 16Gb

Объем модуля, Гб: 16 ГБ

Суммарный объем: 16 ГБ

Объем одного модуля: 16 ГБ

Общий объем: 16 ГБ

Gigabytes
Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип памяти: DDR3L

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Тип модуля памяти: DDR4

ECC: да

ECC: Да

ECC: Да

Поддержка ECC: Есть

Поддержка ECC: Есть

Поддержка ECC: Да

Особенности: ECC

Поддержка ECC: Да

Поддержка ECC: Да

Поддержка ECC: Да

Частота: 2933 МГц

Частота: 2933 МГц

Частота: 2933 МГц

Частота: 2933 МГц

Эффективная частота: 2933 МГц

Эффективная частота: 2933 МГц

Тактовая частота, МГц: 2933

Рабочая частота, МГц: 2933

Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz

Тактовая частота, МГц: 2933

Megahertz
PC-индекс: PC4-23400

PC-индекс: PC4-23400

PC-индекс: PC4-23400

PC-индекс: PC4-23400

CAS Latency: 21T

CAS Latency: 21T

CAS Latency: 21T

CAS Latency: 21T

CAS Latency: 21T

CAS Latency: 21T

CAS Latency: 21T

CAS Latency: 21T

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

Тайминги: 21-21-21

Тайминги: 21-21-21

Тайминги: 21-21-21

Тайминги: 21-21-21

Тайминги: 21-21-21

Тайминги: 21

Тайминги: 21-21-21

Тайминги: 21-21-21

Тайминги: 21-21-21

Тайминги: 22-22-22

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Volts
Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Охлаждение: нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная: Нет

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Емкость микросхем: 8 Гбит

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 18

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество рангов: 2

Количество модулей в комплекте: 1

Dimensionless quantity
Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Тип микросхем: 1Gx8

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Dimensionless quantity
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Volts
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Бренд: Samsung

Бренд: Samsung

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 18

Частота: 2933 МГц

Частота: 2933 МГц

Частота: 2933 МГц

Частота: 2933 МГц

Эффективная частота: 2933 МГц

Эффективная частота: 2933 МГц

Тактовая частота, МГц: 2933

Рабочая частота, МГц: 2933

Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz

Тактовая частота, МГц: 2933

Megahertz
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Dimensionless quantity
Гарантия: 3 года

Гарантия: 12 мес.

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Months
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Months
Поставка: Retail

Days
Поставка: Retail

Days
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Страна производства: Китай

Код производителя: M391A2K43DB1-CVF

Артикул производителя (Part Number): M391A2K43DB1-CVF

Сайт производителя: www.samsung.com

Сайт производителя: www.samsung.com

Импортер/поставщик: ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Вес брутто: 10 г

Kilograms
Centimeters
Centimeters
Centimeters
Kilograms
Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Страна производства: Китай

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Питание: 1.2 В

Питание: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Centimeters
Centimeters
Centimeters
Centimeters
Centimeters
Centimeters
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество рангов: 2

Количество контактов: 288

Количество контактов: 288

Kilograms
Kilograms
Dimensionless quantity
Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM

Тип: DDR4 DIMM Registered

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Питание: 1.2 В

Питание: 1.2 В

Назначение: для компьютера

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/