Редактировать

Patriot DDR 4 DIMM 64Gb PC28800 3600Mhz

Категория: Оперативная память

Артикул: PVS464G360C8K EAN: 814914026946

Последние изменения внес:

Id: 1452680 Внешний Id: 0cbcee51-aaef-4199-bfe7-5da11594cb29 Типичные цены: 12,802349 USD - 116,835413 USD

Подтвержденные:

1000x1000 - (112731)

1104x560 - (108198)

885x929 - (198717)

1056x353 - (131575)

1200x1200 - (298125)

1200x1200 - (245827)

1200x1200 - (211257)

927x896 - (118808)

912x784 - (164775)

912x792 - (104885)

Исключенные:

500x376 - (36449)

400x400 - (21587)

1000x674 - (208056)

701x510 - (68245)

500x376 - (36449)

500x380 - (170762)

700x700 - (119905)

700x700 - (79886)

700x700 - (112916)

533x388 - (33070)

701x510 - (95392)

440x620 - (25969)

440x620 - (29968)

1000x980 - (402794)

885x929 - (198717)

1000x674 - (208056)

1000x510 - (193840)

Только обязательные свойства

Название	Подказки	Значение	Единица измерения
Набор	Набор: 2 модуля Набор: 2 модуля Режим работы: двухканальный ECC: Нет ECC: нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: нет Объем одного модуля: 32 ГБ Объем одного модуля: 32 Гб Объем одного модуля: 32 Гб
Объем	Объем: 2 модуля по 32Gb Объем: 32768 МБ Объем: 64 ГБ Объем: 64 ГБ Объём: 64Gb Суммарный объем памяти: 64 ГБ Суммарный объем: 64 ГБ Объем одного модуля: 32 ГБ Объем модуля: 32 ГБ Объем модуля, Гб: 32		Гигабайты
Тип	Тип: Модуль оперативной памяти Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Тип памяти: DDR4 Тип памяти: DDR4 Тип памяти: DDR4 Тип памяти: DDR-4 Тип памяти: DDR-4 Тип памяти: DDR4 Тип памяти: DDR4
ECC	ECC: Нет ECC: нет Поддержка ECC: нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: не поддерживается Поддержка ECC: Нет Особенности: NON-ECCUnbuffered Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: Нет
Частота	Частота: 3600 МГц Частота: 3600 МГц Частота, мегагерц: 3600 Тактовая частота: 3600 МГц Тактовая частота, МГц: 3600 Эффективная частота: 3600 МГц Тактовая частота: 3600 МГц Частота памяти: 3600 МГц Дополнительная информация: Частота памяти 3600 МГц Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-28800 3600MHz		Мегагерцы
PC-индекс	PC-индекс: PC4-28800 PC-индекс: PC4-28800 Стандарт памяти: PC4-28800
CAS Latency	CAS Latency: 18T CAS Latency: 18T CAS Latency: 18T CAS Latency: 18T CAS Latency (CL): 18 CAS Latency (CL): 18 CAS Latency (CL): 18 CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 18
Тайминги	Тайминги: 18-20-20-40 Тайминги: 18-22-22-42 Тайминги: 18-22-22-42 Тайминги: 18-22-22-42 Тайминги: 18-22-22-42
Напряжение питания	Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания, В: 1.35В Напряжение питания, В: 1.35 Напряжение питания, В: 1.35 Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В		Вольты
Профили XMP	Профили XMP: Да Профили XMP: да Профили XMP: Да Профили XMP: Да Профиль: XMP Профили AMP: Нет Профили AMP: нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Низкопрофильная (Low Profile): нет
Профили AMP	Профили AMP: Нет Профили AMP: нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профиль: XMP Профили XMP: Да Профили XMP: да Профили XMP: Да Профили XMP: Да Низкопрофильная (Low Profile): нет
Охлаждение	Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах) Охлаждение: Да Охлаждение: да Система охлаждения: пассивная ECC: Нет ECC: нет Система охлаждения: пассивная (радиатор) Радиатор охлаждения: ДА Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 40
Низкопрофильный модуль	Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Низкопрофильная (Low Profile): Нет Профиль: XMP Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная: Нет Профили XMP: Да
Ёмкость микросхем
Тип микросхем
Количество банков	Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество в упаковке: 2 Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 2 Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 2 шт Количество модулей: 2 Количество контактов: 288-pin		Безразмерная величина
Число микросхем	Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет		Безразмерная величина
Напряжение питания при разгоне	Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания, В: 1.35 Напряжение питания, В: 1.35 Напряжение питания, В: 1.35В Питание: 1.35 В		Вольты
Производитель микросхем	Производитель: Patriot Производитель: PATRIOT MEMORY Бренд: PATRIOT Бренд: Patriot Бренд: PATRIOT Бренд: Patriot Вендор: PATRIOT Страна производитель: Тайвань Сайт производителя: www.patriotmemory.com Сайт производителя: http://patriotmemory.com/
Расположение чипов	Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM
Частота при разгоне	Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с Частота: 3600 МГц Частота: 3600 МГц Частота памяти: 3600 МГц Дополнительная информация: Частота памяти 3600 МГц Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3600 МГц Тактовая частота: 3600 МГц Тактовая частота, МГц: 3600 Эффективная частота: 3600 МГц Тактовая частота: 3600 МГц		Мегагерцы
Количество ранков	Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Количество рангов (Ranks): dual rank Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с Количество в упаковке: 2 Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 2 Количество контактов: 288 Количество модулей в комплекте: 2 шт Количество модулей: 2		Безразмерная величина
Гарантия *	Гарантия: 3 года Гарантия: 60 мес. Гарантия производителя: 30 лет Срок гарантии: 120 мес. Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 40 Основные характеристики: Основные характеристики Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В		Месяцы
Срок службы *			Месяцы
Время доставки по стране	Тип поставки: Ret Тип поставки: Ret Поставка: Retail Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 40 Тип поставки: Retail Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 20 Страна: Тайвань RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 20 Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM		Дни
Время доставки по городу	Тип поставки: Ret Тип поставки: Ret Поставка: Retail Тип поставки: Retail RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 20		Дни
Производитель (страна, завод) *	Производитель: Patriot Производитель: PATRIOT MEMORY Страна производитель: Тайвань Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 40 Гарантия производителя: 30 лет Артикул производителя (Part Number): PVS464G360C8K Код производителя: PVS464G360C8K Сайт производителя: http://patriotmemory.com/ Код производителя: PVS464G360C8K Артикул производителя: PVS464G360C8K	Патриот Мемори ЛЛК. 47027 Бениция Стрит, Фремонт, КА 94538, США
Импортер	Основные характеристики: Основные характеристики	Неолинк ЧТУП 220073 г. Минск, пр. Пушкина, д. 52, пом. 1
Сервисные центры		ИП Титов О. М. (Минск, ул. Асаналиева, д. 72, пом. №5)
Комментарий	Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 40 RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 20 Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет	Собственная курьерская служба. Быстрая доставка в любую точку РБ. 80 пунктов самовывоза. Сервисная поддержка и доп. гарантия. Карты рассрочек Халва, Карта покупок, Черепаха, карта FUN и др. Рассрочка и кредит online до 36 месяцев. Работаем по безналу.
Вес *	Вес: 96 г Вес в упаковке, г: 10 Габариты и вес: Габариты и вес Размеры, вес: н/д		Килограммы
Ширина в упаковке *	Вес в упаковке, г: 10 Количество в упаковке: 2		Сантиметры
Длина в упаковке *	Вес в упаковке, г: 10 Количество в упаковке: 2		Сантиметры
Высота в упаковке *	Количество в упаковке: 2 Вес в упаковке, г: 10		Сантиметры
Вес в упаковке *	Вес в упаковке, г: 10 Вес: 96 г Количество в упаковке: 2		Килограммы
Страна-производитель *	Производитель: Patriot Производитель: PATRIOT MEMORY Страна производитель: Тайвань Страна: Тайвань Гарантия производителя: 30 лет Профиль: XMP Питание: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В
Ширина в упаковке 2	Вес в упаковке, г: 10 Количество в упаковке: 2		Сантиметры
Длина в упаковке 2	Вес в упаковке, г: 10 Количество в упаковке: 2		Сантиметры
Высота в упаковке 2	Вес в упаковке, г: 10 Количество в упаковке: 2		Сантиметры
Ширина в упаковке 3	Вес в упаковке, г: 10 Количество в упаковке: 2		Сантиметры
Длина в упаковке 3	Вес в упаковке, г: 10 Количество в упаковке: 2		Сантиметры
Высота в упаковке 3	Вес в упаковке, г: 10 Количество в упаковке: 2		Сантиметры
Количество упаковок	Количество в упаковке: 2 Количество ранков: 2 Количество ранков: 2 Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 28800 Мб/с Количество контактов: 288 Количество контактов: 288 Количество контактов: 288-pin Количество контактов: 288 Количество контактов: 288-pin Количество контактов: 288
Сборка
Вес упаковки 2	Вес в упаковке, г: 10 Вес: 96 г Количество в упаковке: 2		Килограммы
Вес упаковки 3	Вес в упаковке, г: 10 Вес: 96 г Количество в упаковке: 2		Килограммы
Честный знак	ECC: Нет ECC: нет
ТН ВЭД *			Безразмерная величина
Акцизы	ECC: Нет ECC: нет
Прослеживаемый товар	ECC: Нет ECC: нет
Видео	Тип: Модуль оперативной памяти Тип: DDR4 DIMM Тип: DDR4 DIMM Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет Вид памяти: DDR4 Вид памяти: DDR4
Родитель	Питание: 1.35 В Игровая: Да Назначение: для компьютера Назначение: для компьютера Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В
Акция	Буферизация: unbuffered Дополнительная информация: Частота памяти 3600 МГц Буферизация: unbuffered Частотная спецификация: 3600 CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 18 Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: UDIMM

Свойства товаров из библиотеки

Описание

варианты сгенерировать описание

Товар	Все+ Все-

64 Гб, 2 модуля DDR-4, 28800 Мб/с, CL18-20-20-40, 1.35 В, радиатор
Оперативная память Patriot Viper Steel DDR4 3600Mhz 64GB — это комплект, в который входят две планки объемом по 32 ГБ каждая. Такой набор модулей памяти оптимален для сборки производительной компьютерной системы, предназначенной для запуска «тяжелых» игр и других ресурсоемких программ. Память работает с тактовой частотой 3600 МГц, поэтому быстродействие любого геймерского компьютера значительно повысится.Оптимальное напряжение питания для работы модулей — 1,35 В. На плашки установлены большие радиаторы, выполненные в агрессивном стиле и эффективно рассеивающие тепло от нагретых чипов.
Память DDR4 2x32Gb 3600MHz Patriot PVS464G360C8K Viper Steel RTL PC4-28800 CL18 DIMM 288-pin 1.35В dual rank
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
Для ПК, 64 Gb, DDR4, 3600 МГц, количество модулей - 2, тайминги 18-22-22-42, радиатор, напряжение 1.35 В.
Для ПК, 64 Gb, DDR4, 3600 МГц, количество модулей - 2, тайминги 18-22-22-42, радиатор, напряжение 1.35 В.