16GB DDR4 3200MHz

CAS Latency

22T

PC-индекс

PC4-25600

Гарантийное обслуживание осуществляется в:

Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание

Нет данных

Гарантия

12 мес.

Ёмкость микросхем

8 Гбит

Импортер/поставщик

ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11

Количество ранков

2

Модель

16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWEBQ

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Объем

16 ГБ

Производитель

Samsung

Производитель бренда

ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Расположение чипов

двустороннее

Страна производства

Китай

Тайминги

22-22-22

Тип

DDR4 DIMM Registered

Тип микросхем

1Gx8

Цвет

зеленый

Частота

3200 МГц

Число микросхем

36

CAS Latency

22T

PC-индекс

PC4-25600

Гарантийное обслуживание осуществляется в:

Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание

Нет данных

Гарантия

12 мес.

Ёмкость микросхем

8 Гбит

Импортер/поставщик

ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11

Количество ранков

2

Модель

16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Объем

16 ГБ

Производитель

Samsung

Производитель бренда

ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Расположение чипов

двустороннее

Страна производства

Китай

Тайминги

22-22-22

Тип

DDR4 DIMM Registered

Тип микросхем

1Gx8

Цвет

зеленый

Частота

3200 МГц

Число микросхем

18

CAS Latency

22T

ECC

Да

PC-индекс

PC4-25600

Ёмкость микросхем

8 Гбит

Количество ранков

2

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

Нет

Объем

16 ГБ

Охлаждение

Нет

Подсветка элементов платы

Нет

Профили AMP

Нет

Профили XMP

Нет

Расположение чипов

двустороннее

Тайминги

22-22-22

Тип

DDR4 DIMM Registered

Тип микросхем

1Gx8

Цвет

зеленый

Частота

3200 МГц

Число микросхем

18

CAS Latency

22T

ECC

Да

PC-индекс

PC4-25600

Ёмкость микросхем

8 Гбит

Количество ранков

2

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

Нет

Объем

16 ГБ

Охлаждение

Нет

Подсветка элементов платы

Нет

Профили AMP

Нет

Профили XMP

Нет

Расположение чипов

двустороннее

Тайминги

22-22-22

Тип

DDR4 DIMM Registered

Тип микросхем

1Gx8

Цвет

зеленый

Частота

3200 МГц

Число микросхем

18

CAS Latency

22T

ECC

Да

PC-индекс

PC4-25600

Ёмкость микросхем

8 Гбит

Количество ранков

2

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

Нет

Общий объем

16 ГБ

Объем

16 ГБ

Охлаждение

Нет

Подсветка элементов платы

Нет

Профили AMP

Нет

Профили XMP

Нет

Расположение чипов

двустороннее

Тайминги

22-22-22

Тип

DDR4 DIMM Registered

Тип микросхем

1Gx8

Цвет

зеленый

Частота

3200 МГц

Число микросхем

18

CAS Latency

22T

ECC

Да

PC-индекс

PC4-25600

Ёмкость микросхем

8 Гбит

Количество ранков

2

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

Нет

Общий объем

16 ГБ

Объем

16 ГБ

Охлаждение

Нет

Подсветка элементов платы

Нет

Профили AMP

Нет

Профили XMP

Нет

Расположение чипов

двустороннее

Тайминги

22-22-22

Тип

DDR4 DIMM Registered

Тип микросхем

1Gx8

Цвет

зеленый

Частота

3200 МГц

Число микросхем

36

CAS Latency

22T

ECC

да

PC-индекс

PC4-25600

Ёмкость микросхем

8 Гбит

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

нет

Объем

16 ГБ

Основные

2

Охлаждение

нет

Подсветка элементов платы

нет

Профили AMP

нет

Профили XMP

нет

Тайминги

22-22-22

Технические характеристики

двустороннее

Тип

DDR4 DIMM Registered

Тип микросхем

1Gx8

Цвет

зеленый

Частота

3200 МГц

Число микросхем

36

CAS Latency (CL)

22

Гарантия

60 мес.

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания

1.2 В

Объем одного модуля

16 Гб

Объём памяти

16 Гб

Производитель

SAMSUNG

Пропускная способность

25600 Мб/с

Сайт производителя

http://www.samsung.com/ru/

Система охлаждения

нет

Тактовая частота

3200 МГц

Тип памяти

DDR-4

Форм-фактор

DIMM

Low Voltage Registered

Нет

Артикул

237956

Бренд

Samsung

Объем памяти

16 Гб

Партномер

M393A2K43DB3-CWE

Поддержка ECC

Есть

Стандарт DDR

DDR4

Тип

Серверное ОЗУ

Тип памяти

R-DIMM (Registered DIMM)

Частота шины

3200 МГц

CAS Latency (CL)

22

Буферизованная (Registered)

да

Гарантия

60 мес.

Код производителя

M393A2K43DB3-CWE

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания

1.2 В

Объём одного модуля

16 Гб

Объём памяти

16 Гб

Поддержка ECC

да

Производитель

SAMSUNG

Пропускная способность

25600 Мб/с

Сайт производителя

http://www.crucial.com/

Тактовая частота

3200 МГц

Тип памяти

DDR-4 DIMM

CAS Latency (CL)

22

Буферизованная (Registered)

да

Гарантия

60 мес.

Код производителя

M393A2K40XXX-CWE

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания

1.2 В

Объём одного модуля

16 Гб

Объём памяти

16 Гб

Поддержка ECC

да

Производитель

SAMSUNG

Пропускная способность

25600 Мб/с

Сайт производителя

http://www.samsung.com/ru/

Тактовая частота

3200 МГц

Тип памяти

DDR-4 DIMM