Редактировать
QUMO SO-DIMM DDR4 8ГБ PC4-19200 2666MHz
Последние изменения внес:
Id: 1417477
Внешний Id:
f15707d6-d460-4136-bcaa-50375420e7f5
Типичные цены:
17,837472 USD
-
90,171043 USD
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| QUMO SO-DIMM DDR4 8ГБ PC4-19200 2666MHz QUM4S-8G2666P19 | Samsung 8GB SODIMM DDR4 3200Mhz M471A1K43EB1-CWE | Patriot SO-DIMM DDR 4 DIMM 8Gb PC21300 2666MHz CT8G4SFRA266 | Silicon-Power SO-DIMM DDR4 8GB 2400MHz SP008GBSFU240B02 | Crucial SODIMM 8GB DDR4 2666 MT/s PC4-21300 CT8G4SFRA266 | QUMO DDR4 SODIMM 8Gb PC4-17000 QUM4S-8G2133P15 | Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200 M471A1K43DB1-CWE | QUMO DDR4 DIMM 8GB QUM4U-8G3200P22 | |
| Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль |
| Гарантия | 12 | 36 | 60 | 12 | 12 | |||
| Объем | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 1 |
| Тип | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 SODIMM | DDR4 DIMM |
| ECC | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Частота | 2666,000000 | 3200,000000 | 2666,000000 | 2400,000000 | 2666,000000 | 2133,000000 | 3200,000000 | 3200,000000 |
| PC-индекс | PC421300 | PC4-25600 | PC421300 | PC419200 | PC421300 | PC417000 | PC4-25600 | PC4-25600 |
| CAS Latency | 19Т | 22T | 19Т | 17T | 19Т | 15T | 22T | 22T |
| Тайминги | 22-22-22 | 19-19-19 | 17-17-17 | 19-19-19 | 22-22-22 | |||
| Вес | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,100000 | 0,200000 | 0,200000 | ||
| Напряжение питания | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 | 1,200000 |
| Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Ширина в упаковке | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | ||
| Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Длина в упаковке | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | ||
| Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет | нет |
| Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Вес в упаковке | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | 0,200000 | ||
| Ёмкость микросхем | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | 8 Гбит | |
| Тип микросхем | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 | 1Gx8 |
| Число микросхем | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | |
| Производитель микросхем | Samsung | Micron | Samsung | |||||
| Расположение чипов | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | двустороннее | |
| Количество ранков | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 |