Редактировать

Samsung 4TB 870 QVO

Категория: SSD
Артикул: MZ-77Q4T0BW EAN: 8806090396021
Последние изменения внес:
U1
Id: 1415728 Внешний Id: 35198587-4375-4966-addf-90793f519fe5 Типичные цены: 659,780000 USD - 1133,210000 USD
Подтвержденные:

1024x1024 - (81018)

1500x1050 - (801237)

1000x1000 - (258269)

1024x1024 - (144170)

1065x1064 - (307462)

1024x1024 - (129626)

1024x1024 - (83999)

1024x1024 - (83091)

Исключенные:

800x600 - (65787)

400x400 - (11992)

400x400 - (6744)

400x400 - (8100)

400x400 - (6001)

800x800 - (159477)

800x800 - (228313)

980x700 - (173106)

1108x828 - (95966)

704x908 - (72460)

704x908 - (104346)

704x908 - (74117)

1091x763 - (197211)

980x700 - (79924)

980x700 - (85893)

980x700 - (104498)

404x416 - (57882)

720x384 - (40944)

1000x1000 - (54392)

800x560 - (98559)

505x507 - (285098)

1024x1024 - (157532)

1024x1024 - (147857)

1024x1024 - (151212)

1024x1024 - (53333)

1024x1024 - (86410)

1024x1024 - (52745)

1024x1024 - (50901)

1024x1024 - (102272)

1024x1024 - (95318)

1024x1024 - (92773)

1024x1024 - (98500)

720x384 - (55400)

719x379 - (58541)

340x500 - (18248)

500x349 - (29234)

500x268 - (13479)

487x500 - (29788)

496x500 - (27690)

500x351 - (23876)

340x500 - (18248)

500x349 - (29234)

500x268 - (13479)

487x500 - (29788)

496x500 - (27690)

500x351 - (23876)

714x378 - (25981)

835x584 - (61440)

717x499 - (48279)

600x600 - (11400)

600x600 - (12084)

600x600 - (11619)

600x600 - (12976)

600x600 - (24370)

600x600 - (18205)

720x384 - (40944)

720x384 - (25724)

547x385 - (26007)

640x640 - (36472)

640x640 - (77090)

640x640 - (69318)

640x640 - (91129)

719x379 - (58541)

533x287 - (12444)

533x372 - (26799)

273x400 - (11340)

390x400 - (15606)

533x374 - (21655)

397x400 - (13889)

404x416 - (57882)

508x508 - (27005)

492x508 - (33086)

720x500 - (75189)

717x500 - (53875)

716x380 - (29292)

352x510 - (25879)

333x508 - (27452)

340x509 - (46247)

684x508 - (34898)

1000x1000 - (166047)

1000x1000 - (235839)

1000x1000 - (91711)

Название Подказки Значение Единица измерения
Дата выхода на рынок: 2020 г.

Дата выхода на рынок: 2020 г.

Дата выхода на рынок: 2020 г.

Дата выхода на рынок: 2020 г.

Годы
Объём: 4 ТБ

Объём: 4 ТБ

Объём: 4 ТБ

Объём: 4 Tb

Объём: 4 ТБ

Объём: 4 ТБ

Объем: 4 ТБ

Объем: 4 ТБ

Объем: 4 ТБ

Емкость: 4000 ГБ

Гигабайты
Форм-фактор: 2.5"

Форм-фактор: 2.5"

Форм-фактор: 2.5"

Форм-фактор: 2.5"

Форм-фактор: 2.5"

Форм-фактор: 2.5

Форм-фактор: 2.5"

Форм-фактор: 2.5

Форм-фактор: 2.5

Форм-фактор: 2.5"

Интерфейс: SATA 3.0

Интерфейс: SATA 3.0

Интерфейс: SATA-III

Интерфейс: SATA 3.0

Интерфейс: SATA 6Gb/s

Интерфейс: SATA 6Gb/s

Интерфейс: SATA 6 Гб/с

Интерфейс: SATA 3.0

Интерфейс: SATA-III

Интерфейс: SATA III (6 Гбит/с)

Контроллер: Samsung

Контроллер: Samsung

Контроллер: Samsung MKX

Контроллер: Samsung

Контроллер: Samsung MKX

Контроллер: Samsung MKX

Контроллер: Samsung MKX

Контроллер: Samsung MKX

Контроллер: Samsung MKX

Контроллер: Samsung MKX

Скорость последовательного чтения: 560 МБ/с

Скорость последовательного чтения: 560 МБ/с

Скорость последовательного чтения: 560 МБ/с

Скорость последовательного чтения: 560 МБ/с

Скорость последовательного чтения: 560 Мбайт/с

Скорость последовательного чтения: 560 Мб/с

Скорость записи, до: 530 МБ/с

Скорость записи до: 530 Мб/с

Прочие особенности и свойства: Данный накопитель разработан на основе технологии MLC NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Ёмкость (после форматирования): 3725.29 GiB Контроллер: Samsung MKX Внешняя скорость передачи данных, до: 600 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS Поддержка TRIM: Есть Алгоритмы безопасности: 256-bit AES Поддержка S.M.A.R.T.: Есть Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1500000 ч Количество циклов стирания/записи: 3000 Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Объем TBW: 1440 ТБ Температура эксплуатации: от 0 до +70°C

Скорость последовательной записи: 530 МБ/с

Мегабиты в секунду
Скорость последовательной записи: 530 МБ/с

Скорость последовательной записи: 530 МБ/с

Скорость последовательной записи: 530 МБ/с

Скорость последовательной записи: 530 МБ/с

Скорость последовательной записи: 530 Мбайт/с

Скорость последовательной записи: 530 Мб/с

Прочие особенности и свойства: Данный накопитель разработан на основе технологии MLC NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Ёмкость (после форматирования): 3725.29 GiB Контроллер: Samsung MKX Внешняя скорость передачи данных, до: 600 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS Поддержка TRIM: Есть Алгоритмы безопасности: 256-bit AES Поддержка S.M.A.R.T.: Есть Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1500000 ч Количество циклов стирания/записи: 3000 Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Объем TBW: 1440 ТБ Температура эксплуатации: от 0 до +70°C

Скорость последовательного чтения: 560 МБ/с

Скорость последовательного чтения: 560 МБ/с

Скорость последовательного чтения: 560 МБ/с

Мегабиты в секунду
Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps

Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps

Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps

Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps

Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps

Прочие особенности и свойства: Данный накопитель разработан на основе технологии MLC NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Ёмкость (после форматирования): 3725.29 GiB Контроллер: Samsung MKX Внешняя скорость передачи данных, до: 600 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS Поддержка TRIM: Есть Алгоритмы безопасности: 256-bit AES Поддержка S.M.A.R.T.: Есть Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1500000 ч Количество циклов стирания/записи: 3000 Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Объем TBW: 1440 ТБ Температура эксплуатации: от 0 до +70°C

Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps

Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps

Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps

Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS

Опрерации ввода-вывода в секунду
Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч

Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч

Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч

Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч

Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч

Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000 ч

Время наработки на отказ: 1500000 ч

Средняя наработка на отказ (MTBF): 1500000 часов

Наработка на отказ: 1.5 млн.часов

Часы
Толщина: 6.8 мм

Толщина: 6.8 мм

Толщина: 6.8 мм

Толщина: 6.8 мм

Толщина: 6.8 мм

Толщина: 6.8 мм

Толщина: 6.8 мм

Толщина, в см: 0.68

Толщина, в см: 0.68

Толщина товара: 6.8 мм

Сантиметры
Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND

Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND

Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND

Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND

Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND

Тип: SSD

Тип: SSD

Тип: SSD

Тип: SSD

Тип: SSD

Аппаратное шифрование: AES 256bit

Аппаратное шифрование: AES 256bit

Аппаратное шифрование: AES 256bit

Аппаратное шифрование: AES 256bit

Аппаратное шифрование: AES 256bit

Аппаратное шифрование: да

Аппаратное шифрование: есть

Описание: SSD; 2.5"; 4 Тб; FLASH: 3D QLC NAND; Чтение: 560 Мб/с; Запись: 530 Мб/с; Случ. чтение: 98000 IOps; Случ. запись: 88000 IOps; Шифрование: AES 256bit; МТBF: 1.5 млн. ч; SATA 3; (6 Gbit/s);

Прочие особенности и свойства: Данный накопитель разработан на основе технологии MLC NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Ёмкость (после форматирования): 3725.29 GiB Контроллер: Samsung MKX Внешняя скорость передачи данных, до: 600 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS Поддержка TRIM: Есть Алгоритмы безопасности: 256-bit AES Поддержка S.M.A.R.T.: Есть Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1500000 ч Количество циклов стирания/записи: 3000 Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Объем TBW: 1440 ТБ Температура эксплуатации: от 0 до +70°C

Адаптер 3.5": Нет

Адаптер 3.5": нет

Адаптер 3.5": Нет

Адаптер 3.5": Нет

В комплекте адаптер 3.5": Нет

Опции (можно приобрести дополнительно): Адаптер для установки SSD накопителя в отсек 3.5"

Вход для адаптера питания: Нет

Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps

Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps

Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps

Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps

Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps

Прочие особенности и свойства: Данный накопитель разработан на основе технологии MLC NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Ёмкость (после форматирования): 3725.29 GiB Контроллер: Samsung MKX Внешняя скорость передачи данных, до: 600 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS Поддержка TRIM: Есть Алгоритмы безопасности: 256-bit AES Поддержка S.M.A.R.T.: Есть Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1500000 ч Количество циклов стирания/записи: 3000 Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Объем TBW: 1440 ТБ Температура эксплуатации: от 0 до +70°C

Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS

Скорость случайного чтения: 98000 IOPS

Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps

Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps

Опрерации ввода-вывода в секунду
Энергопотребление (чтение/запись): 3.2 Вт

Энергопотребление (чтение/запись): 3.2 Вт

Энергопотребление (чтение/запись): 3.2 Вт

Энергопотребление (чтение/запись): 3.2 Вт

Энергопотребление (чтение/запись): 3.2 Вт

Энергопотребление (чтение/запись): 3.2 Вт

Энергопотребление в режиме записи: 5.5 Вт

Энергопотребление в режиме чтения: 3.2 Вт

Энергопотребление (ожидание): 0.007 Вт

Энергопотребление (ожидание): 0.007 Вт

Ватты
Энергопотребление (ожидание): 0.007 Вт

Энергопотребление (ожидание): 0.007 Вт

Энергопотребление (ожидание): 0.007 Вт

Энергопотребление (ожидание): 0.007 Вт

Энергопотребление (ожидание): 0.007 Вт

Энергопотребление (ожидание): 0.007 Вт

Энергопотребление (чтение/запись): 3.2 Вт

Энергопотребление (чтение/запись): 3.2 Вт

Энергопотребление (чтение/запись): 3.2 Вт

Энергопотребление в режиме чтения: 3.2 Вт

Ватты
Нанометры
Буфер: 4 096 МБ  (LPDDR4)

Буфер: 4 096 МБ

Буфер: 4 096 МБ

Буфер: 4 096 МБ  (LPDDR4)

Буфер: 4 096 МБ  (LPDDR4)

Кэш: DRAM-буфер

Объем DRAM-буфера: 4096 МБ

Объем буфера: 4000 Мб

Мегабайты
Габариты (мм): 100 x 69.85 x 6.8

Габариты: 100 x 69.85 x 6.8 мм

Габарити: 100 x 69.85 x 6.8 мм

Габариты: 100 x 69.85 x 6.8 мм

Габарити: 100 x 69.85 x 6.8 мм

Габариты: 69.6 x 7 x 100 мм

Размеры: 69.6 х 7 х 100 мм

ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ о ресурсе SSD: При превышении параметра "Ресурс в TBW" или "Ресурс DWPD", указанного в спецификации, устройство снимается с гарантии. Проверить состояние SSD можно с помощью . К быстрому исчерпанию ресурса приводит нецелевое использование SSD накопителя, например, майнинг.

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Прочие особенности и свойства: Данный накопитель разработан на основе технологии MLC NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Ёмкость (после форматирования): 3725.29 GiB Контроллер: Samsung MKX Внешняя скорость передачи данных, до: 600 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS Поддержка TRIM: Есть Алгоритмы безопасности: 256-bit AES Поддержка S.M.A.R.T.: Есть Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1500000 ч Количество циклов стирания/записи: 3000 Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Объем TBW: 1440 ТБ Температура эксплуатации: от 0 до +70°C

Безразмерная величина
Тип накопителя: твердотельный (SSD)

Тип накопителя: SSD накопитель

Тип накопителя: SSD

Тип: SSD

Тип: SSD

Тип: внутренний

Тип: SSD

Тип: SSD

Тип: SSD

Тип: SSD

Подключение: SATA 3

Подключение: SATA 3.0

Интерфейс подключения: SATA-III

Интерфейс подключения: SATA III

Интерфейс подключения: SATA III

Интерфейс подключения: SATA-III

Интерфейс подключения: SATA III

Інтерфейс підключення: SATA III (6Gb/s)

Інтерфейс підключення: SATA III (6Gb/s)

eSATA: Нет

Ширина: 69.85 мм

Ширина: 10 см

Ширина: 69.85 мм

Ширина, в см: 6.98

Ширина, в см: 6.98

Ширина упаковки (мм): 150мм

Размеры (ширина x высота x глубина): 70 x 7 x 100 мм

Сантиметры
Интерфейс: SATA 3.0

Интерфейс: SATA 3.0

Интерфейс: SATA 3.0

Интерфейс: SATA 3.0

Интерфейс: SATA 3.0

Интерфейс: SATA 3.0

Интерфейс: SATA-III

Интерфейс: SATA-III

Интерфейс: SATA III

Интерфейс: SATA III

Комплект поставки: отдельный накопитель в картонной коробке

Комплект поставки: отдельный накопитель в картонной коробке

Комплект поставки: отдельный накопитель в картонной коробке

Комплект поставки: отдельный накопитель в картонной коробке

Комплект поставки: отдельный накопитель в картонной коробке

Резерв: ■■

Тип накопителя: SSD накопитель

Тип поставки: BOX

Тип поставки: BOX

Питание: SATA 3.0

Длина: 100 мм

Глубина: 100 мм

Длина, в см: 10

Длина, в см: 10

Глубина: 0.68 см

Длина упаковки (мм): 100мм

Применение: для ноутбука и настольного компьютера

Ширина упаковки (мм): 150мм

Толщина: 6.8 мм

Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч

Сантиметры
Адаптер 3.5": Нет

Адаптер 3.5": нет

Адаптер 3.5": Нет

Адаптер 3.5": Нет

Опции (можно приобрести дополнительно): Адаптер для установки SSD накопителя в отсек 3.5"

Вход для адаптера питания: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ о ресурсе SSD: При превышении параметра "Ресурс в TBW" или "Ресурс DWPD", указанного в спецификации, устройство снимается с гарантии. Проверить состояние SSD можно с помощью . К быстрому исчерпанию ресурса приводит нецелевое использование SSD накопителя, например, майнинг.

ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: Для сервера данный накопитель не подходит из-за недостаточного ресурса

Ресурс DWPD: 0.32 перезаписи всего объема накопителя в день (DWPD - Drive Writes Per Day) в течение 3 лет

Страна происхождения (производства): Корея

Описание: SSD; 2.5"; 4 Тб; FLASH: 3D QLC NAND; Чтение: 560 Мб/с; Запись: 530 Мб/с; Случ. чтение: 98000 IOps; Случ. запись: 88000 IOps; Шифрование: AES 256bit; МТBF: 1.5 млн. ч; SATA 3; (6 Gbit/s);

Объем SSD: 4000 Гб

Объем: 4 ТБ

Объем: 4 ТБ

Объем: 4 ТБ

Объем: 4 ТБ

Объем: 4 ТБ

Объем: 4 Тб

Объем кэш-памяти SSD: 4 ГБ

Объем HDD: 4 Тб

Тип: SSD

Гигабайты
Подсветка: Нет

Подсветка: Нет

Подсветка: Нет

Прочие особенности и свойства: Данный накопитель разработан на основе технологии MLC NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Ёмкость (после форматирования): 3725.29 GiB Контроллер: Samsung MKX Внешняя скорость передачи данных, до: 600 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS Поддержка TRIM: Есть Алгоритмы безопасности: 256-bit AES Поддержка S.M.A.R.T.: Есть Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1500000 ч Количество циклов стирания/записи: 3000 Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Объем TBW: 1440 ТБ Температура эксплуатации: от 0 до +70°C

Максимальная ударная нагрузка: 1500 G

Максимальные перегрузки: 1500G длительностью 0.5 мс

Максимальная скорость записи: 530 МБ/с

Максимальная скорость чтения: 560 МБ/с

Максимальная скорость чтения: 560 МБ/с

Максимальная скорость записи: 530 МБ/с

Максимальная скорость записи: 530 Мб/сек

Максимальная рабочая температура: 70 °C

Максимальная скорость чтения: 560 Мб/сек

Ресурс записи: 1440 TBW

Ресурс записи: 1440 TBW

Ресурс записи: 1440 TBW

Ресурс записи: 1440 TBW

Ресурс записи: 1440 TBW

Ресурс TBW: 1440 Tb

Ресурс SSD (TBW): 1440 TBW

Ресурс TBW: 1440 Тб

Ресурс SSD (TBW): 1440 Тб

Гарантия: 3 года

Гарантия: 3 года

Гарантия: 3 года

Гарантия: 12 мес.

Гарантия: 36 мес.

Гарантия: 3 года

Гарантия: 3 года

Гарантия: 1 год

Гарантия: 36 мес.

Гарантия (мес): 36

Месяцы
Срок службы: 5 лет

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Тип поставки: BOX

Тип поставки: BOX

Прочие особенности и свойства: Данный накопитель разработан на основе технологии MLC NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Ёмкость (после форматирования): 3725.29 GiB Контроллер: Samsung MKX Внешняя скорость передачи данных, до: 600 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS Поддержка TRIM: Есть Алгоритмы безопасности: 256-bit AES Поддержка S.M.A.R.T.: Есть Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1500000 ч Количество циклов стирания/записи: 3000 Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Объем TBW: 1440 ТБ Температура эксплуатации: от 0 до +70°C

Транзит: 0

Комплект поставки: отдельный накопитель в картонной коробке

Комплект поставки: отдельный накопитель в картонной коробке

Комплект поставки: отдельный накопитель в картонной коробке

Комплект поставки: отдельный накопитель в картонной коробке

Комплект поставки: отдельный накопитель в картонной коробке

дата доставки: 2022-04-27T00:00:00

Дни
Прочие особенности и свойства: Данный накопитель разработан на основе технологии MLC NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Ёмкость (после форматирования): 3725.29 GiB Контроллер: Samsung MKX Внешняя скорость передачи данных, до: 600 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS Поддержка TRIM: Есть Алгоритмы безопасности: 256-bit AES Поддержка S.M.A.R.T.: Есть Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1500000 ч Количество циклов стирания/записи: 3000 Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Объем TBW: 1440 ТБ Температура эксплуатации: от 0 до +70°C

Тип поставки: BOX

Тип поставки: BOX

Дни
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: SAMSUNG

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Импортер/поставщик: ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Примечание: Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления

Вес: 57 г

Вес: 46 грамм

Вес: 46 г

Вес: 46 г

Вес: 46 г

Вес: 54 г

Вес: 54 г

Вес,кг: 0,087

Вес брутто (кг): 0.1кг

Вес брутто (измерено в НИКСе): 0.094 кг

Килограммы
Ширина упаковки (мм): 150мм

Ширина: 69.85 мм

Ширина, в см: 6.98

Ширина, в см: 6.98

Ширина: 10 см

Ширина: 69.85 мм

Длина упаковки (мм): 100мм

Высота упаковки (мм): 30мм

Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69 x 6.8

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Сантиметры
Длина упаковки (мм): 100мм

Длина, в см: 10

Длина, в см: 10

Ширина упаковки (мм): 150мм

Длина: 100 мм

Высота упаковки (мм): 30мм

Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69 x 6.8

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Сантиметры
Высота упаковки (мм): 30мм

Ширина упаковки (мм): 150мм

Высота: 6.8 мм

Высота: 6.985 см

Длина упаковки (мм): 100мм

Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69 x 6.8

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Сантиметры
Длина упаковки (мм): 100мм

Вес: 57 г

Вес: 46 грамм

Вес: 46 г

Вес: 46 г

Вес: 46 г

Вес: 54 г

Вес: 54 г

Вес,кг: 0,087

Высота упаковки (мм): 30мм

Килограммы
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Страна производства: Китай

Производитель: SAMSUNG

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Ширина: 10 см

Ширина упаковки (мм): 150мм

Ширина, в см: 6.98

Ширина, в см: 6.98

Ширина: 69.85 мм

Ширина: 69.85 мм

Длина упаковки (мм): 100мм

Высота упаковки (мм): 30мм

Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69 x 6.8

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Сантиметры
Длина, в см: 10

Длина, в см: 10

Длина упаковки (мм): 100мм

Длина: 100 мм

Ширина упаковки (мм): 150мм

Высота упаковки (мм): 30мм

Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69 x 6.8

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Сантиметры
Высота: 6.8 мм

Высота упаковки (мм): 30мм

Высота: 6.985 см

Длина упаковки (мм): 100мм

Ширина упаковки (мм): 150мм

Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69 x 6.8

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Сантиметры
Ширина: 10 см

Ширина упаковки (мм): 150мм

Ширина, в см: 6.98

Ширина, в см: 6.98

Ширина: 69.85 мм

Ширина: 69.85 мм

Длина упаковки (мм): 100мм

Высота упаковки (мм): 30мм

Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69 x 6.8

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Сантиметры
Длина, в см: 10

Длина, в см: 10

Длина упаковки (мм): 100мм

Длина: 100 мм

Ширина упаковки (мм): 150мм

Высота упаковки (мм): 30мм

Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69 x 6.8

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Сантиметры
Высота: 6.8 мм

Высота упаковки (мм): 30мм

Высота: 6.985 см

Длина упаковки (мм): 100мм

Ширина упаковки (мм): 150мм

Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69 x 6.8

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Сантиметры
Количество: 1 шт

Прочие особенности и свойства: Данный накопитель разработан на основе технологии MLC NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Ёмкость (после форматирования): 3725.29 GiB Контроллер: Samsung MKX Внешняя скорость передачи данных, до: 600 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS Поддержка TRIM: Есть Алгоритмы безопасности: 256-bit AES Поддержка S.M.A.R.T.: Есть Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1500000 ч Количество циклов стирания/записи: 3000 Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Объем TBW: 1440 ТБ Температура эксплуатации: от 0 до +70°C

Количество циклов стирания/записи: 3000

(Сборка) Потребляемая мощность: 6 Вт

Высота упаковки (мм): 30мм

Длина упаковки (мм): 100мм

Ширина упаковки (мм): 150мм

Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69 x 6.8

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Вес: 57 г

Вес: 46 г

Вес: 46 г

Вес: 46 г

Вес: 54 г

Килограммы
Высота упаковки (мм): 30мм

Длина упаковки (мм): 100мм

Ширина упаковки (мм): 150мм

Размеры без упаковки (ШхГхТ): 100 x 69 x 6.8

Размеры упаковки (измерено в НИКСе): 14.4 x 9.9 x 2.29 см

Вес: 57 г

Вес: 46 г

Вес: 46 г

Вес: 46 г

Вес: 54 г

Килограммы
Прочие особенности и свойства: Данный накопитель разработан на основе технологии MLC NAND и подходит для высокоскоростных вычислительных систем. Ёмкость (после форматирования): 3725.29 GiB Контроллер: Samsung MKX Внешняя скорость передачи данных, до: 600 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ): 88000 IOPS Поддержка TRIM: Есть Алгоритмы безопасности: 256-bit AES Поддержка S.M.A.R.T.: Есть Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1500000 ч Количество циклов стирания/записи: 3000 Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Объем TBW: 1440 ТБ Температура эксплуатации: от 0 до +70°C

Безразмерная величина
Тип: SSD

Тип: SSD

Тип: внутрішній

Тип: внутренний

Тип: SSD

Тип: SSD

Тип: SSD

Тип: твердотельный накопитель (SSD)

Тип: SSD

Тип: SSD диск

Питание: SATA 3.0

Питание: от SATA

Серия: 870

Тип оборудования: SSD для персональных компьютеров

Назначение: компьютер; ноутбук

Назначение: компьютер; ноутбук

Количество: 1 шт

Для настольных компьютеров: да

Модель: 870

Страна производитель: Китай

Инструкция: да

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Тип чипов: 3D QLC (Quad-Level Cell)В спецификациях Samsung указано "4bit MLC", т.е. 4bit multi-level cells - это и есть QLC, Quad-level cells с 4 битами информации на ячейку