32GB DDR4 2933MHz 2Rx4 DIMM

Вес брутто (кг)

0.1кг

Высота упаковки

130мм

Высота упаковки (мм)

130мм

Гарантия (мес)

36

Длина упаковки

30мм

Длина упаковки (мм)

30мм

Код склада

49490

Количество модулей

1

Количество модулей в комплекте

1

Модель

M393A4K40CB2

Напряжение питания модуля памяти

1.2V

Объём модуля памяти

32Гб

Применение

Для сервера

Производитель

Samsung

Пропускная споособность модуля памяти

23400Мб/сек

Пропускная способность модуля памяти(Мб/сек)

23400Мб/сек

Ранговость модуля памяти

D4 (2Rx4)

Сайт производителя

www.samsung.com

Спецификация памяти

REG

Тип памяти

DIMM DDR4

Частота модуля

2933МГц

Частота памяти

2933МГц

Ширина упаковки

7мм

Ширина упаковки (мм)

7мм

PN

M393A4K40CB2-CVFBQ

Буферизованная (Registered)

да

Вес (брутто, кг)

0.15

Количество контактов

288

Общий объём

32 Гб

Объем

1 модуль 32Gb

Поддержка ECC

есть

Производитель

Samsung

Пропускная способность

23400 Мб/с

Радиатор

нет

Тактовая частота

2933 МГц

Тип памяти

DDR4

Форм фактор

DIMM

CAS Latency

21T

PC-индекс

PC4-23400

Артикул

M393A4K40CB2-CVFBQ

Гарантийное обслуживание осуществляется в:

Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание

Нет данных

Гарантия

12 мес.

Ёмкость микросхем

8 Гбит

Импортер/поставщик

ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11

Количество ранков

2

Модель

32GB DDR4 PC4-23400 M393A4K40CB2-CVFBQ

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Объем

32 ГБ

Производитель

Samsung

Производитель бренда

ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Расположение чипов

двустороннее

Страна производства

Китай

Тайминги

21-21-21

Тип

DDR4 DIMM Registered

Тип микросхем

2Gx4

Частота

2933 МГц

Число микросхем

36

Гарантия

СЦ производителя

Количество модулей в комплекте

1

Модель

M393A4K40CB2

Производитель

Samsung

Пропускная способность

23400Мб/сек

Сайт производителя

www.samsung.com

Спецификация памяти

REG

Суммарный объем памяти всего комплекта

32ГБ

Тактовая частота

2933МГц

Тип памяти

DIMM DDR4

CAS Latency

21T

ECC

да

PC-индекс

PC4-23400

Ёмкость микросхем

8 Гбит

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

нет

Объем

32 ГБ

Основные

2

Охлаждение

нет

Профили AMP

нет

Профили XMP

нет

Расположение чипов

двустороннее

Тайминги

21-21-21

Технические характеристики

двустороннее

Тип

DDR4 DIMM Registered

Тип микросхем

2Gx4

Частота

2933 МГц

Число микросхем

36

CAS Latency (CL)

0

RAS to CAS Delay (tRCD)

21

Row Precharge Delay (tRP)

21

Артикул производителя

M393A4K40CB2-CVFBQ

Бренд

Samsung

Возможность разгона

Нет

Высота модуля, миллиметров

31.2

Игровая

Нет

Количество модулей в комплекте

1

Назначение

для сервера

Напряжение питания

1,2В

Низкопрофильная

Нет

Общий объем, гигабайт

32

Объем одного модуля, гигабайт

32

Поддерживаемые частоты, мегагерц

2933; 2666; 2400; 1600; 1866; 2133

Поддержка ECC

Да

Поддержка XMP

Нет

Подсветка

Нет

Пропускная способность, Мегабит/с

23400

Расположение чипов

двустороннее

Регистровая память

Да

Система охлаждения

не предустановлена

Стандарт памяти

PC4-23400

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Частота, мегагерц

2933

CAS Latency (CL)

0

RAS to CAS Delay (tRCD)

21

Row Precharge Delay (tRP)

21

Артикул производителя

M393A4K40CB2-CVFBQ

Бренд

Samsung

Возможность разгона

Нет

Высота модуля, миллиметров

31.2

Игровая

Нет

Количество модулей в комплекте

1

Назначение

для сервера

Напряжение питания

1,2В

Низкопрофильная

Нет

Общий объем, гигабайт

32

Объем одного модуля, гигабайт

32

Поддерживаемые частоты, мегагерц

2933; 2666; 2400; 1600; 1866; 2133

Поддержка ECC

Да

Поддержка XMP

Нет

Подсветка

Нет

Пропускная способность, Мегабит/с

23400

Расположение чипов

двустороннее

Регистровая память

Да

Система охлаждения

не предустановлена

Стандарт памяти

PC4-23400

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Частота, мегагерц

2933

CAS Latency

21T

ECC

Да

PC-индекс

PC4-23400

Ёмкость микросхем

8 Гбит

Количество ранков

2

Набор

1 модуль

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильный модуль

Нет

Общий объем

32 ГБ

Объем

32 ГБ

Охлаждение

Нет

Профили AMP

Нет

Профили XMP

Нет

Расположение чипов

двустороннее

Тайминги

21-21-21

Тип

DDR4 DIMM Registered

Тип микросхем

2Gx4

Частота

2933 МГц

Число микросхем

36

CAS Latency

21T

Вид памяти

DDR4

Емкость микросхем

8 Гбит

Количество модулей в комплекте

1

Количество рангов

2

Назначение

Для ПК

Напряжение питания, В

1.2

Низкопрофильная (Low Profile)

Нет

Общий объем памяти

32 Gb

Поддержка ECC

Да

Пропускная способность, Мб/с

23400

Профили AMP

Нет

Профили XMP

Нет

Радиатор

Нет

Расположение чипов

Двустороннее

Тайминги

21-21-21

Тактовая частота, МГц

2933

Тип микросхем

2Gx4

Форм-фактор

DIMM

Число микросхем

36

Буферизованная

да

Кол-во модулей в упаковке

1 шт

Латентность

CL21

Назначение

для сервера

Напряжение питания

1.2 В

Общий объем памяти

32 Гб

Объем одного модуля

32 Гб

Поддержка ECC

да

Подсветка

нет

Пропускная способность

23400 Мб/с

Тактовая частота

2933 МГц

Тип памяти

DDR4

Тип поставки

один модуль 1x32Gb

Форм-фактор

DIMM 288-контактный

CAS Latency

21T

Вид памяти

DDR4

Емкость микросхем

8 Гбит

Количество модулей в комплекте

1

Количество рангов

2

Назначение

Для ПК

Напряжение питания, В

1.2

Низкопрофильная (Low Profile)

Нет

Общий объем памяти

32 Gb

Поддержка ECC

Да

Пропускная способность, Мб/с

23400

Профили AMP

Нет

Профили XMP

Нет

Радиатор

Нет

Расположение чипов

Двустороннее

Тайминги

21-21-21

Тактовая частота, МГц

2933

Тип микросхем

2Gx4

Форм-фактор

DIMM

Число микросхем

36

CAS Latency (CL)

21

Буферизованная (Registered)

да

Гарантия

60 мес.

Код производителя

M393A4K40CB2-CVF

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания

1.2 В

Объём одного модуля

32768 Мб

Объём памяти

32768 Мб

Поддержка ECC

да

Производитель

SAMSUNG

Пропускная способность

23400 Мб/с

Сайт производителя

http://www.samsung.com/ru/

Тактовая частота

2933 МГц

Тип памяти

DDR-4 DIMM

CAS Latency (CL)

21

Буферизованная (Registered)

да

Гарантия

60 мес.

Код производителя

M393A4K40DB2-CVF

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания

1.2 В

Объём одного модуля

32 Гб

Объём памяти

32 Гб

Поддержка ECC

да

Производитель

SAMSUNG

Пропускная способность

23400 Мб/с

Сайт производителя

http://www.samsung.com/ru/

Тактовая частота

2933 МГц

Тип памяти

DDR-4 DIMM

Артикул

M393A4K40CB2-CVF

Виробник

Samsung

Гарантия, мес

36

Гарантія, міс

36

Додатково

Registered

Дополнительно

Registered

Латентність

CL21

Латентность

CL21

Модель

DDR4 32GB ECC RDIMM 2933MHz 2Rx4 1.2V CL21

Напруга живлення

1.2 В

Напряжение

1.2 V

Об'єм пам'яті

32 ГБ

Объем памяти

32 ГБ

Особенности

2Rx4

Особливості

2Rx4

Примечание

Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления

Примітка

Виробник може змінювати властивості, характеристики, зовнішній вигляд і комплектацію товарів без попередження

Производитель

Samsung

Стандарти пам'яті

PC4-23400

Стандарты памяти

PC4-23400

Тип пам'яті

DDR4

Тип памяти

DDR4

Умови повернення

Повернення товару можливе лише за умови цілісності заводського пакування

Частота пам'яті

2933 МГц

Частота памяти

2933 MHz

Штрихкод

VN M393A4K40C

CAS Latency (CL)

21

Буферизованная (Registered)

да

Гарантия

60 мес.

Код производителя

M393A4G40AB3-CVF

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания

1.2 В

Объём одного модуля

32 Гб

Объём памяти

32 Гб

Поддержка ECC

да

Производитель

SAMSUNG

Пропускная способность

23400 Мб/с

Сайт производителя

http://www.samsung.com/ru/

Тактовая частота

2933 МГц

Тип памяти

DDR-4 DIMM

Виробник

Samsung

Гарантия, мес

36

Гарантія, міс

36

Додатково

Registered

Дополнительно

Registered

Країна виробництва

Китай

Латентність

CL21

Латентность

CL21

Модель

DDR4 32GB ECC RDIMM 2933MHz 2Rx4 1.2V CL21

Напруга живлення

1.2 В

Напряжение

1.2 V

Об'єм пам'яті

32 ГБ

Объем памяти

32 ГБ

Особенности

2Rx4

Особливості

2Rx4

Примечание

Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.

Примітка

Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування.

Производитель

Samsung

Стандарти пам'яті

PC4-23400

Стандарты памяти

PC4-23400

Страна производства

Китай

Тип пам'яті

DDR4

Тип памяти

DDR4

Умови повернення

Повернення товару можливе лише за умови цілісності заводського пакування

Частота пам'яті

2933 МГц

Частота памяти

2933 MHz

Артикул

M393A4K40CB2-CVFCO

Гарантия, мес

36

Дополнительно

ECC

Комплект

(Kit:1x32GB)

Латентность

CL21

Модель

DDR4 32GB ECC RDIMM 2933MHz 2Rx4 1.2V CL21

Напряжение

1.2 V

Объем памяти

32 ГБ

Особенности

2Rx4

Примечание

Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления

Производитель

Samsung

Тип памяти

DDR4

Частота памяти

2933 MHz

Артикул

M393A4K40CB2-CVF

Виробник

Samsung

Гарантія, міс

36

Додатково

Registered

Латентність

CL21

Модель

DDR4 32GB ECC RDIMM 2933MHz 2Rx4 1.2V CL21

Напруга

1.2 V

Напруга живлення

1.2 В

Об'єм пам'яті

32 ГБ

Особливості

2Rx4

Примітка

Виробник може змінювати властивості, характеристики, зовнішній вигляд і комплектацію товарів без попередження

Стандарти пам'яті

PC4-23400

Тип пам'яті

DDR4

Умови повернення

Повернення товару можливе лише за умови цілісності заводського пакування

Частота пам'яті

2933 МГц

Штрихкод

VN M393A4K40C

Артикул

M393A4K40CB2-CVFCO

Виробник

Samsung

Гарантія, міс

36

Додатково

ECC

Комплект

(Kit:1x32GB)

Латентність

CL21

Модель

DDR4 32GB ECC RDIMM 2933MHz 2Rx4 1.2V CL21

Напруга

1.2 V

Об'єм пам'яті

32 ГБ

Особливості

2Rx4

Примітка

Виробник може змінювати властивості, характеристики, зовнішній вигляд і комплектацію товарів без попередження

Тип пам'яті

DDR4

Частота пам'яті

2933 MHz

Буферизованная (Registered)

да

Гарантия

60 мес.

Код производителя

M393A4G43XXX-CVF

Количество модулей в комплекте

1

Объём одного модуля

32 Гб

Объём памяти

32 Гб

Поддержка ECC

да

Производитель

SAMSUNG

Пропускная способность

23400 Мб/с

Сайт производителя

http://www.samsung.com/ru/

Тактовая частота

2933 МГц

Тип памяти

DDR-4 DIMM

CAS Latency (CL)

21

Гарантия

60 мес.

Код производителя

M391A4G43XXX-CVF

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания

1.2 В

Объём одного модуля

32 Гб

Объём памяти

32 Гб

Поддержка ECC

да

Производитель

SAMSUNG

Пропускная способность

23400 Мб/с

Сайт производителя

http://www.samsung.com/ru/

Тактовая частота

2933 МГц

Тип памяти

DDR-4 DIMM

Гарантия, мес

36

Дополнительно

ECC, Registered

Латентность

CL21

Модель

DDR4 32GB ECC RDIMM 2933MHz 2Rx4 1.2V CL21

Напряжение

1.2 V

Объем памяти

32 ГБ

Особенности

2Rx4

Примечание

Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування.

Производитель

Samsung

Стандарты памяти

PC4-23400

Страна производства

Південна Корея

Тип памяти

DDR4

Частота памяти

2933 MHz

CAS Latency (CL)

21

Буферизованная (Registered)

нет

Гарантийный срок

6 мес.

Количество ранков

2

Количество чипов каждого модуля

36

напряжение питания

1.2 В

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Объем

- модуля по 0 МБ

Поддержка ECC

-

Поддержка XMP

-

Срок службы

12 мес.

тайминги

21

Тип памяти

-

Форм-фактор

-

буферизованная (Registered)

да

Буферизованная (Registered)

да

Гарантийный срок

6 мес.

Количество ранков

2

напряжение питания

1.2 В

Напряжение питания

1.2 В

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Объем

1 модуль 32 ГБ

объем памяти

32 ГБ

поддержка ECC

да

Поддержка ECC

есть

пропускная способность

PC23400

Пропускная способность

23400 МБ/с

Срок службы

12 мес.

тактовая частота

2933 МГц

Тактовая частота

2933 МГц

тип

DDR4 DIMM 288-pin

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM 288-контактный

CAS Latency (CL)

21

RAS to CAS Delay (tRCD)

21

Row Precharge Delay (tRP)

21

Вес

0.03 кг

Гарантия

24 мес.

Количество модулей в комплекте

1

Напряжение питания

1.2 В

Объем одного модуля

32 Гб

Объём памяти

32 Гб

Производитель

SAMSUNG

Пропускная способность

23400 Мб/с

Сайт производителя

http://www.samsung.com/ru/

Система охлаждения

нет

Тактовая частота

2933 МГц

Тип памяти

DDR-4

Форм-фактор

DIMM