Редактировать

Silicon-Power SO-DIMM DDR4 8GB 2666MHz

Артикул: SP008GBSFU266B02 EAN:
Последние изменения внес:
U9
Id: 1405361 Внешний Id: 71d0fb0a-f7f5-433e-a527-57e237a8e402 Типичные цены: 16,525854 USD - 137,801838 USD
Подтвержденные:

1000x1000 - (66408)

900x1200 - (76390)

513x527 - (75270)

Исключенные:

701x319 - (41376)

500x500 - (84514)

500x500 - (32850)

790x340 - (52541)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Объем: 1 модуль 8 ГБ

Объем: 1 модуль 8 ГБ

Объем: 1 модуль 8Gb

Объем: 1 модуль 8 ГБ

Объем: 1 модуль 8 ГБ

Объем: 1 модуль 8Gb

Объем: 8 ГБ

Объем: 8 ГБ

Объем: 8 ГБ

Объем: 8 ГБ

Объем: 1 модуль 8 ГБ

Суммарный объем: 8 ГБ

Объем одного модуля: 8 ГБ

Гигабайты
Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SODIMM 260-pin

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Буферизованная (Registered): нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: Нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Эффективная частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Мегагерцы
PC-индекс: PC4-21330

PC-индекс: PC4-21300

PC-индекс: PC4-21300

PC-индекс: PC4-21300

CAS Latency: 19T

CAS Latency: 16T

CAS Latency: 16T

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Вольты
Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильный модуль: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильный модуль: нет

Охлаждение: нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Число микросхем: 16

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 16

Число микросхем: 8

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество контактов: 260

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 260

Безразмерная величина
Число микросхем: 16

Число микросхем: 8

Тип микросхем: 512Mx8

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Тип микросхем: 1Gx8

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Вольты
Число микросхем: 16

Тип микросхем: 1Gx8

Число микросхем: 8

Тип микросхем: 1Gx8

Тип микросхем: 1Gx8

Производитель: Silicon Power

Производитель: Silicon-Power

Тип микросхем: 512Mx8

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Ёмкость микросхем: 8 Гбит

Расположение чипов: двустороннее

Расположение чипов: одностороннее

Расположение чипов: одностороннее

Расположение чипов: одностороннее

Технические характеристики: двустороннее

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Эффективная частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Мегагерцы
Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество контактов: 260

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 260

Безразмерная величина
Гарантия: 12 мес.

Гарантийный срок: 6 мес.

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Срок службы: 12 мес.

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Дни
Дни
Производитель: Silicon Power

Производитель: Silicon-Power

Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/

Страна производства: Китай

Артикул производителя (Part Number): SP008GBSFU266B02

Импортер/поставщик: ПоказатьООО"ИнтерКомпьютерСервис"

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Вес брутто: 30 г

Вес (брутто, кг): 0.1

Килограммы
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Килограммы
Производитель: Silicon Power

Производитель: Silicon-Power

Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/

Страна производства: Китай

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество контактов: 260

Количество контактов: 260

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Килограммы
Килограммы
ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Безразмерная величина
ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SODIMM 260-pin

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Количество ранков: 1

Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/