Редактировать

Silicon-Power SO-DIMM DDR4 4GB 2666MHz

Артикул: SP004GBSFU266N02 EAN:
Последние изменения внес:
U9
Id: 1405360 Внешний Id: 9e3e3489-3dd6-4615-9a03-4f181c1094cd Типичные цены: 16,525854 USD - 137,801838 USD
Подтвержденные:

900x1200 - (69515)

1000x439 - (191515)

1000x436 - (192296)

Исключенные:

701x319 - (41376)

604x313 - (23397)

500x500 - (84514)

500x500 - (32850)

590x523 - (89857)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Объем: 1 модуль 4 ГБ

Объем: 1 модуль 4 ГБ

Объем: 1 модуль 4 ГБ

Объем: 1 модуль 4 ГБ

Объем: 1 модуль 4 ГБ

Объем: 1 модуль 4 ГБ

Объем: 4 ГБ

Объем: 4 ГБ

Объем: 4 ГБ

Объем: 4 ГБ

Объем: 4 Gb

Объем одного модуля: 4 ГБ

Суммарный объем: 4 ГБ

Гигабайты
Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Буферизованная (Registered): нет

Буферизованная (Registered): нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: Нет

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Эффективная частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Мегагерцы
PC-индекс: PC4-21330

PC-индекс: PC4-21300

PC-индекс: PC4-21300

PC-индекс: PC4-21300

CAS Latency: 19T

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

CAS Latency (CL): 19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Тайминги: 19-19-19

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Вольты
Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Охлаждение: нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Число микросхем: 8

Число микросхем: 4

Число микросхем: 4

Число микросхем: 4

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Число микросхем: 8

Число микросхем: 4

Число микросхем: 4

Число микросхем: 4

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 260

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Число микросхем: 8

Число микросхем: 4

Число микросхем: 4

Число микросхем: 4

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Тип микросхем: 512Mx8

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Вольты
Число микросхем: 8

Число микросхем: 4

Число микросхем: 4

Число микросхем: 4

Производитель: Silicon-Power

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Тип микросхем: 512Mx8

Ёмкость микросхем: 4 Гбит

Расположение чипов: одностороннее

Расположение чипов: одностороннее

Расположение чипов: одностороннее

Технические характеристики: одностороннее

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Эффективная частота: 2666 МГц

Тактовая частота: 2666 МГц

Мегагерцы
Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 260

Количество модулей в комплекте: 1

Безразмерная величина
Гарантия: 12 мес.

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Дни
Дни
Производитель: Silicon-Power

Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/

Страна производства: Китай

Артикул производителя (Part Number): SP004GBSFU266N02

Импортер/поставщик: ПоказатьООО"ИнтерКомпьютерСервис"

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Вес брутто: 30 г

Килограммы
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Килограммы
Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/

Страна производства: Китай

Производитель: Silicon-Power

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество контактов: 260

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество модулей в комплекте: 1

Килограммы
Килограммы
ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Безразмерная величина
ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: Нет

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Тип: DDR4 SO-DIMM

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Количество модулей в комплекте: 1

Производитель бренда: Силицон Повер Компутер & Коммуницатионс Инк. 7Ф., Но.106, Зхоузи Ст., Неиху Дистрицт, Таипеи Циту 114, Таиван.(Silicon Power Computer & Communications Inc. 7F., No.106, Zhouzi St., Neihu District, Taipei City 114, Taiwan.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.silicon-power.com/web/ru/by/