Редактировать

Patriot SO-DIMM DDR 4 DIMM 16Gb PC25600

Категория: Оперативная память

Артикул: PSD416G320081S EAN: 814914027301

Последние изменения внес:

Id: 1373427 Внешний Id: a0c4e040-fa70-438e-a416-fe43ba6850b5 Типичные цены: 12,802349 USD - 116,835413 USD

Подтвержденные:

2000x864 - (272133)

2000x1376 - (279966)

2000x1328 - (282460)

688x2000 - (172800)

672x2000 - (143370)

1500x635 - (205179)

Исключенные:

400x400 - (21198)

200x138 - (7963)

800x600 - (203644)

418x192 - (22195)

500x224 - (20983)

700x700 - (85622)

500x222 - (95280)

700x700 - (85622)

800x600 - (203644)

500x224 - (20983)

Только обязательные свойства

Название	Подказки	Значение	Единица измерения
Набор	Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль ECC: нет ECC: Нет ECC: нет ECC: Нет
Объем	Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ Объем одного модуля: 16 Гб Общий объем: 16 Гб Общий объем: 16 Гб Объем одного модуля: 16 Гб Объем одного модуля: 16 ГБ		Гигабайты
Тип	Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип памяти: оперативная память DDR4 Тип памяти: оперативная память DDR4 Тип памяти: DDR-4 Тип памяти: DDR4 Тип памяти: DDR4
ECC	ECC: нет ECC: Нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Частота	Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Частота, мегагерц: 3200 Частота, мегагерц: 3200 Тактовая частота: 3200 МГц Тактовая частота: 3200 МГц Тактовая частота: 3200 МГц		Мегагерцы
PC-индекс	PC-индекс: PC4-25600 PC-индекс: PC4-25600 PC-индекс: PC4-25600 PC-индекс: PC4-25600 PC-индекс: PC4-25600 PC-индекс: PC4-25600 Стандарт памяти: PC4-25600 Стандарт памяти: PC4-25600
CAS Latency	CAS Latency: 22 Т CAS Latency: 22T CAS Latency: 22T CAS Latency: 22T CAS Latency: 22T CAS Latency: 22T CAS Latency (CL): 22 CAS Latency (CL): 22 CAS Latency (CL): 22 CAS Latency (CL): 22
Тайминги	Тайминги: 22-22-22 Тайминги: 22-22-22-52 Тайминги: 22-22-22-52 Тайминги: 22-22-22-52 Тайминги: 22-22-22-52 Тайминги: 22-22-22-52
Напряжение питания	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1,2В Напряжение питания: 1,2В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В		Вольты
Профили XMP	Профили XMP: Нет Профили XMP: нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Профили AMP: Нет Профили AMP: нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильная: Нет
Профили AMP	Профили AMP: Нет Профили AMP: нет Профили AMP: Нет Профили AMP: Нет Профили XMP: Нет Профили XMP: нет Профили XMP: Нет Профили XMP: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильная: Нет
Охлаждение	Охлаждение: Нет Охлаждение: нет Охлаждение: Нет Охлаждение: Нет ECC: нет ECC: Нет Система охлаждения: нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет
Низкопрофильный модуль	Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильный модуль: Нет Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная: Нет Набор: 1 модуль Набор: 1 модуль
Ёмкость микросхем	Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ Объем: 16 ГБ
Тип микросхем
Количество банков	Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество контактов: 260 Количество чипов на модуле: 8 шт Количество контактов: 260		Безразмерная величина
Число микросхем	Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет		Безразмерная величина
Напряжение питания при разгоне	Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1,2В Напряжение питания: 1,2В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В		Вольты
Производитель микросхем	Производитель: Patriot Производитель: PATRIOT MEMORY Бренд: PATRIOT Бренд: PATRIOT Производитель бренда: Патриот Мемору ЛЛЦ. 47027 Бенициа Стреет, Фремонт, ЦА 94538, УСА.(Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USA.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.onlypatriot.com/ru/ Сайт производителя: http://patriotmemory.com/ Гарантия производителя: 30 лет Код производителя: PSD416G320081S Артикул производителя: PSD416G320081S Артикул производителя: PSD416G320081S
Расположение чипов	Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: SODIMM Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя
Частота при разгоне	Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Частота: 3200 МГц Дополнительная информация: Частота памяти: 3200 МГц Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 3200 МГц Тактовая частота: 3200 МГц Тактовая частота: 3200 МГц		Мегагерцы
Количество ранков	Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Количество модулей в комплекте: 1 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество контактов: 260 Количество чипов на модуле: 8 шт Количество контактов: 260		Безразмерная величина
Гарантия *	Гарантия: 12 мес. Гарантия: 60 мес. Гарантия производителя: 30 лет Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52 Основные характеристики: Основные характеристики Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.2 В		Месяцы
Срок службы *	Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров		Месяцы
Время доставки по стране	Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52 Тип поставки: Retail Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 22 Страна: Тайвань Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: SODIMM RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22		Дни
Время доставки по городу	Тип поставки: Retail RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22		Дни
Производитель (страна, завод) *	Производитель: Patriot Производитель: PATRIOT MEMORY Производитель бренда: Патриот Мемору ЛЛЦ. 47027 Бенициа Стреет, Фремонт, ЦА 94538, УСА.(Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USA.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.onlypatriot.com/ru/ Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52 Страна производства: Китай Гарантия производителя: 30 лет Код производителя: PSD416G320081S Сайт производителя: http://patriotmemory.com/ Артикул производителя (Part Number): PSD416G320081S Артикул производителя: PSD416G320081S	Патриот Мемори ЛЛК. 47027 Бениция Стрит, Фремонт, КА 94538, США
Импортер	Импортер/поставщик: ПоказатьООО "БВКомпьютерс" г. Минск, ул. Родниковая, 1а Основные характеристики: Основные характеристики	Неолинк ЧТУП 220073 г. Минск, пр. Пушкина, д. 52, пом. 1
Сервисные центры	Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных	ИП Титов О. М. (Минск, ул. Асаналиева, д. 72, пом. №5)
Комментарий	Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 22 Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 52	Собственная курьерская служба. Быстрая доставка в любую точку РБ. 80 пунктов самовывоза. Сервисная поддержка и доп. гарантия. Карты рассрочек Халва, Карта покупок, Черепаха, карта FUN и др. Рассрочка и кредит online до 36 месяцев. Работаем по безналу.
Вес *	Вес: 10 г Габариты и вес: Габариты и вес		Килограммы
Ширина в упаковке *			Сантиметры
Длина в упаковке *			Сантиметры
Высота в упаковке *			Сантиметры
Вес в упаковке *	Вес: 10 г		Килограммы
Страна-производитель *	Страна производства: Китай Производитель бренда: Патриот Мемору ЛЛЦ. 47027 Бенициа Стреет, Фремонт, ЦА 94538, УСА.(Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USA.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.onlypatriot.com/ru/ Производитель: Patriot Производитель: PATRIOT MEMORY Страна: Тайвань Гарантия производителя: 30 лет Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В
Ширина в упаковке 2			Сантиметры
Длина в упаковке 2			Сантиметры
Высота в упаковке 2			Сантиметры
Ширина в упаковке 3			Сантиметры
Длина в упаковке 3			Сантиметры
Высота в упаковке 3			Сантиметры
Количество упаковок	Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Количество ранков: 1 Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 25600 Мб/с Количество контактов: 260 Количество контактов: 260 Количество контактов: 260 Количество контактов: 260 Количество модулей в комплекте: 1
Сборка
Вес упаковки 2	Вес: 10 г		Килограммы
Вес упаковки 3	Вес: 10 г		Килограммы
Честный знак	ECC: нет ECC: Нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет
ТН ВЭД *			Безразмерная величина
Акцизы	ECC: нет ECC: Нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет
Прослеживаемый товар	ECC: нет ECC: Нет ECC: нет ECC: Нет ECC: Нет Игровая: Нет Игровая: Нет
Видео	Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Тип: DDR4 SO-DIMM Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Родитель	Назначение: для компьютера Назначение: для компьютера Игровая: Нет Игровая: Нет Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В Напряжение питания: 1.2 В
Акция	Производитель бренда: Патриот Мемору ЛЛЦ. 47027 Бенициа Стреет, Фремонт, ЦА 94538, УСА.(Patriot Memory LLC. 47027 Benicia Street, Fremont, CA 94538, USA.)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.onlypatriot.com/ru/ Дополнительная информация: Частота памяти: 3200 МГц Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: SODIMM CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 22

Свойства товаров из библиотеки

Описание

варианты сгенерировать описание

Товар	Все+ Все-

Оперативная память DDR4 Patriot PSD416G320081S; Тип памяти: оперативная память DDR4; Общий объем: 16 Гб; Форм-фактор: SO-DIMM; Тактовая частота: 3200 МГц; Назначение: для ноутбука
16 Гб, DDR-4, 25600 Мб/с, CL22-22-22-52, 1.2 В
Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 16ГБ и 260-контактным модулем SODIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
К сожалению, товар сейчас не доступен к покупке. Вы сможете купить "оперативная память PATRIOT PSD416G320081S" в Москве при поступлении. Подпишитесь на уведомление и мы сообщим цену, когда товар появится в наличии.
Оперативная память Patriot Signature DDR4 3200Mhz 16GB обеспечивает высокое качество, производительность и надежность, требующиеся для работы любого современного компьютера. Модуль произведен из лучших материалов, позволяющих добиться необходимых характеристик. Каждая плашка на этапе постпроизводства проходит ручное тестирование. Все модули памяти полностью соответствуют отраслевым стандартам. Оперативная память типа DDR4 с тактовой частотой в 3200 МГц — оптимальный вариант как для сборки ПК с нуля, так и для его обновления. Доступный пользователю объем памяти — 16 ГБ.
Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 16ГБ и 260-контактным модулем SODIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.