Редактировать

Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V

Артикул: M393A4G40AB3-CWE EAN:
Последние изменения внес:
U9
Id: 1265260 Внешний Id: 2dd0975d-2512-4328-b7f2-d7734ff1ca1f Типичные цены: 66,747556 USD - 359,535658 USD
Подтвержденные:

1000x1000 - (19413)

597x506 - (56067)

Исключенные:

400x400 - (2565)

500x252 - (18373)

652x168 - (99525)

652x168 - (99525)

652x168 - (99525)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Объём одного модуля: 1 модуль 32Gb

Объем: 1 модуль 32Gb

Объем: 1 модуль 32Gb

Низкопрофильный модуль: нет

Объем: 1 модуль 32Gb

Объем: 1 модуль 32Gb

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем: 32 ГБ

Объем одного модуля: 32 ГБ

Суммарный объем: 32 ГБ

Общий объем: 32 ГБ

Гигабайты
Тип: DDR4

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип памяти: оперативная память DDR3L

Тип памяти: DDR4

Тип памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

ECC: да

ECC: Да

ECC: Да

ECC: Да

ECC: есть

Поддержка ECC: есть

Поддержка ECC: есть

Поддержка ECC: Есть

Поддержка ECC: Да

Поддержка ECC: Да

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота, Мгц: 3200 МГц

Эффективная частота: 3200 МГц

Тактовая частота, МГц: 3200

Мегагерцы
PC-индекс: PC4-25600

PC-индекс: PC4-25600

PC-индекс: PC4-25600

PC-индекс: PC4-25600

PC-индекс: PC4-25600

PC-индекс: PC4-25600

CAS Latency: 22T

CAS Latency: 22T

CAS Latency: 22T

CAS Latency: 22T

CAS Latency: 22T

CAS Latency: 22T

CAS Latency: 22T

CAS Latency: 22 Т

CAS Latency: 22T

CAS Latency (CL): 19

Тайминги: 22-22-22

Тайминги: 22-22-22

Тайминги: 22-22-22

Тайминги: 22-22-22

Тайминги: 22-22-22

Тайминги: 22-22-22

Тайминги: 22-22-22

Тайминги: 22-22-22

Тайминги: 22-22-22

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Вольты
Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: Нет

Охлаждение: нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная (Low Profile): Нет

Низкопрофильная: Нет

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Емкость микросхем: 16 Гбит

Емкость микросхем: 16 Гбит

Емкость микросхем: 16 Гбит

Тип микросхем: 4Gx4

Число микросхем: 18

Тип микросхем: 4Gx4

Тип микросхем: 4Gx4

Тип микросхем: 4Gx4

Тип микросхем: 4Gx4

Тип микросхем: 4Gx4

Тип микросхем: 4Gx4

Тип микросхем: 4Gx4

Тип микросхем: 4Gx4

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество контактов: 288

Количество контактов: 288

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 288

Безразмерная величина
Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Ёмкость микросхем: 16 Гбит

Тип микросхем: 4Gx4

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

Вольты
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Бренд: Samsung

Тип микросхем: 4Gx4

Число микросхем: 18

Число микросхем: 18

Тип микросхем: 4Gx4

Число микросхем: 18

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота: 3200 МГц

Тактовая частота, Мгц: 3200 МГц

Эффективная частота: 3200 МГц

Тактовая частота, МГц: 3200

Мегагерцы
Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество рангов: 1

Количество рангов: 1

Количество рангов: 1

Количество контактов: 288

Безразмерная величина
Гарантия: СЦ производителя

Гарантия: 12 мес.

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Месяцы
Дни
Дни
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Гарантия: СЦ производителя

Страна производства: Китай

Артикул производителя (Part Number): M393A4G40AB3-CWE

Импортер/поставщик: ПоказатьОДО Дансис, г.Минск, ул.Жилуновича, 11-314. ЗАО Патио, г. Минск, пр. Независимости, 58-301. ООО Тотлер Плюс, Минская обл., Минский р-н, Щомыслицкий с/с, 3-й пер. Монтажников, 3/16-11

Гарантийное обслуживание осуществляется в:: Список сервис-центров

Гарантийное сервисное обслуживание: Нет данных

Килограммы
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Килограммы
Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель: Samsung

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/

Страна производства: Китай

Производитель: Samsung

Гарантия: СЦ производителя

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество ранков: 1

Количество рангов: 1

Количество рангов: 1

Количество рангов: 1

Количество контактов: 288

Килограммы
Килограммы
ECC: есть

Безразмерная величина
Тип: DDR4

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Тип: DDR4 DIMM Registered

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Вид памяти: DDR4

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания: 1.2 В

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания, В: 1.2

Напряжение питания: 1.2 В

Производитель бренда: ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2(ООО Самсунг Электроникс РУС Компани, РФ, г.Москва, Бол.Гнездниковский пер. д 1, стр 2)Дополнительная информацияСайт производителя: http://www.samsung.com/ru/home/