Редактировать
Samsung DDR4 4GB UNB SODIMM
Последние изменения внес:
Id: 1128655
Внешний Id:
aa240c8b-a442-4cac-a5fa-d06fc0a8af4c
Типичные цены:
36,320472 USD
-
142,893865 USD
Samsung DDR4 4GB UNB SODIMM M471A5244CB0-CRC | Transcend JM DDR4 2666Mhz U-DIMM JM2666HLH-4G | QUMO DDR3 DIMM 4Gb PC3-12800 QUM3U-4G1600С11L | QUMO DDR4 DIMM 4GB QUM4U-4G2666C19 | Kingston KF318LS11IB/4 | Kingston KF318C10BB/4 | Kingston KF318C10B/4 | Foxline SODIMM 2GB 1600 DDR3 FL1600D3S11SL-2G | |
Набор | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль | 1 модуль |
Гарантия | 12 | 60 | 60 | 60 | 12 | |||
Объем | 4 | 4 | 4 | 1 | 4 | 4 | 4 | 2 |
Тип | DDR4 SODIMM | DDR4 DIMM | DDR3 DIMM | DDR4 DIMM | DDR3 SO-DIMM | DDR3 DIMM | DDR3 DIMM | DDR3 SO-DIMM |
ECC | - | - | - | - | - | - | - | - |
Частота | 2400,000000 | 2666,000000 | 1600,000000 | 2666,000000 | 1866,000000 | 1866,000000 | 1866,000000 | 1600,000000 |
PC-индекс | PC419200 | PC421300 | PC312800 | PC421300 | PC3-14900 | PC3-14900 | PC3-14900 | PC312800 |
CAS Latency | 17T | 19Т | 11T | 19Т | 11T | 10T | 10T | 11T |
Тайминги | 17-17-17 | 19-19-19 | 19-19-19-43 | 11-11-11 | 10-11-10-30 | 10-11-10-30 | 11-11-11 | |
Вес | 0,030000 | 0,020000 | 0,024000 | 0,046000 | 0,040000 | |||
Напряжение питания | 1,200000 | 1,200000 | 1,350000 | 1,200000 | 1,350000 | 1,500000 | 1,500000 | 1,350000 |
Профили XMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Ширина в упаковке | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | |||||
Профили AMP | - | - | - | - | - | - | - | - |
Длина в упаковке | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 15,000000 | 6,900000 | ||
Высота в упаковке | 3,000000 | |||||||
Охлаждение | нет | нет | нет | нет | нет | да | да | нет |
Низкопрофильный модуль | - | - | - | - | - | - | - | - |
Вес в упаковке | 0,030000 | 0,020000 | 0,024000 | 0,046000 | 0,040000 | |||
Ёмкость микросхем | 4 Гбит | 4 Гбит | 4 Гбит | 4 Гбит | 4 Гбит | 4 Гбит | 4 Гбит | 2 Гбит |
Тип микросхем | 512Mx8 | 512Mx8 | 512Mx8 | 512Mx8 | 512Mx8 | 512Mx8 | 512Mx8 | 256Mx8 |
Количество банков | 1,000000 | |||||||
Число микросхем | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 | 8,000000 |
Производитель микросхем | Samsung | Kingston | Kingston | Kingston | ||||
Расположение чипов | одностороннее | одностороннее | одностороннее | одностороннее | одностороннее | одностороннее | одностороннее | |
Количество ранков | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 | 1,000000 |