Редактировать

Patriot Signature 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800

Артикул: PSD38G16002S EAN: 815530013273
Последние изменения внес: Id: 102030 Внешний Id: fcffe3d7-2704-11e6-811c-3085a918de0c Типичные цены: 27,118985 USD - 105,455342 USD
Подтвержденные:

999x432 - (1296054)

1600x1600 - (223557)

500x500 - (50040)

1177x915 - (152004)

1177x916 - (118646)

1177x908 - (123495)

1177x821 - (80382)

1000x750 - (163637)

1000x750 - (130619)

542x796 - (60810)

Исключенные:

642x280 - (53868)

642x280 - (53861)

1000x1000 - (144171)

900x900 - (66879)

665x303 - (53157)

654x307 - (217154)

400x399 - (25599)

1000x1000 - (97748)

1879x1038 - (257788)

1000x1000 - (67874)

200x86 - (7536)

522x239 - (60397)

1177x915 - (152004)

1177x916 - (118646)

1177x908 - (123495)

1177x821 - (80382)

522x239 - (60397)

500x286 - (135520)

642x280 - (53935)

1000x1000 - (92785)

356x170 - (46663)

500x234 - (30708)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: 1 модуль

Набор: нет

Набор: нет

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

Объем: 8 Гб

Объем: 1 модуль 8 ГБ

Объем: 8 ГБ

Объем: 1 модуль 8Gb

Объем: 8 ГБ

Объем модуля памяти: 8 Гб

Общий объем: 8 Гб

Объем одного модуля: 8 Гб

Объем одного модуля: 8 Гб

Объем одного модуля: 8192 Мб

Гигабайты
Тип: ОЗУ

Тип: DDR3 SO-DIMM

Тип: DDR3 SO-DIMM

Тип: DDR3

Тип: модуль памяти

Тип товара: Память оперативная

Тип памяти: оперативная память DDR3

Тип памяти: оперативная память DDR3

Тип памяти: оперативная память DDR3

категория: Оперативная память

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: Нет

Поддержка ECC: нет

Поддержка ECC: нет

Частота: 1600 МГц

Частота: 1333 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота, мегагерц: 1600

Тактовая частота: 1600 МГц

Тактовая частота: 1600 МГц

Тактовая частота: 1600 МГц

Тактовая частота: 1600 МГц

Эффективная частота: 1600 МГц

Мегагерцы
PC-индекс: PC3-12800

PC-индекс: PC3-10600

PC-индекс: PC3-12800

PC-индекс: PC3-12800

PC-индекс: PC3-12800

PC-индекс: PC3-12800

Стандарт памяти: PC3-12800

CAS Latency: 11 Т

CAS Latency: 9T

CAS Latency: 11T

CAS Latency: 11 Т

CAS Latency: 11 Т

CAS Latency (CL): 11

CAS Latency (CL): 11

CAS Latency (CL): 11

CAS Latency (CL): 11

CAS Latency (CL): 11

Тайминги: CL11

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Вольты
Профили XMP: нет

Профили XMP: нет

Профили AMP: нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Профили AMP: нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Охлаждение: нет

Тип охлаждения: нет

Тип охлаждения: нет

ECC: нет

Система охлаждения: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 30

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильная: Нет

Описание: DDR3 SO-DIMM; Registered: -; Колич. модулей в компл: 1; 8 Гб (1x8 Гб); 1600МГц; SODIMM 204-pin; PC3-12800; 12800 Мб/сек; CL: 11; Низкопрофильная: Нет; 1.5 В;

Емкость памяти: 8 ГБ

Тип: ОЗУ

Тип: DDR3

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество в упаковке: 1

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 12800 Мб/с

Количество чипов: 16

Количество модулей в комплекте: 1

Количество чипов на модуле: 16 шт

Количество контактов: 204

Безразмерная величина
Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Вольты
Производитель: PATRIOT

Производитель: Patriot

Бренд: Patriot

Бренд: Patriot

Бренд: PATRIOT

бренд: Patriot

бренд: Patriot

Страна производитель: Patriot Memory

Гарантия: СЦ производителя

Сайт производителя: http://patriotmemory.com/

Расположение чипов: двустороннее

Упаковка чипов: двусторонняя

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: SODIMM

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя

Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 12800 Мб/с

Частота: 1600 МГц

Частота: 1333 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота: 1600 МГц

Частота памяти: 1600 МГц

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 1600 МГц

Тактовая частота: 1600 МГц

Тактовая частота: 1600 МГц

Тактовая частота: 1600 МГц

Мегагерцы
Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 12800 Мб/с

Количество в упаковке: 1

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Количество чипов: 16

Количество модулей в комплекте: 1

Количество чипов на модуле: 16 шт

Количество контактов: 204

Безразмерная величина
Гарантия: 60 мес.

Гарантия: СЦ производителя

Гарантия: 3 года

Гарантия: 3 мес

Гарантия производителя: 30 лет

Гарантия, мес.: 12

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 30

Основные характеристики: Основные характеристики

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.5 В

Месяцы
Месяцы
Тип поставки: Ret

дата доставки: 0

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 30

Тип поставки: Retail

Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 11

дата доставки: 03.05.2022

Вид поставки: Blister Pack/Street Retail

Страна: Тайвань

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 11

Вид поставки: Blister Pack/Street Retail

Дни
дата доставки: 0

Тип поставки: Ret

Тип поставки: Retail

дата доставки: 03.05.2022

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 11

Дни
Производитель: PATRIOT

Производитель: Patriot

Страна производитель: Patriot Memory

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 30

Гарантия: СЦ производителя

Ссылка на описание на сайте производителя: www.patriotmemory.com

Гарантия производителя: 30 лет

Ссылка на описание на сайте производителя: www.patriotmemory.com

Сайт производителя: http://patriotmemory.com/

Код производителя: PSD38G16002S

Основные характеристики: Основные характеристики

RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 11

Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 30

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

Вес: 9 г

Вес в упаковке, кг: 0.02

Вес, кг: 0.023

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Габариты и вес: Габариты и вес

Вес без упаковки, кг: 0.036

Вес (брутто, кг): 0.1

Килограммы
Ширина: 136 мм

Ширина: 6.76 см

Габариты упаковки (ширина), см: 5.5

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, кг: 0.02

Количество в упаковке: 1

Габариты упаковки (длина), см: 17

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Вес без упаковки, кг: 0.036

Сантиметры
Вес в упаковке, кг: 0.02

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Габариты упаковки (длина), см: 17

Длина, см: 17

Количество в упаковке: 1

Габариты упаковки (ширина), см: 5.5

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Вес без упаковки, кг: 0.036

Габариты упаковки (высота), см: 1.5

Сантиметры
Количество в упаковке: 1

Габариты упаковки (высота), см: 1.5

Высота, см: 5.4

Высота: 29 мм

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Высота: 0.31 см

Вес в упаковке, кг: 0.02

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Вес без упаковки, кг: 0.036

Сантиметры
Вес в упаковке, кг: 0.02

Вес, кг: 0.023

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Вес: 9 г

Количество в упаковке: 1

Вес без упаковки, кг: 0.036

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Габариты упаковки (длина), см: 17

Габариты упаковки (ширина), см: 5.5

Килограммы
Производитель: PATRIOT

Производитель: Patriot

Страна производитель: Patriot Memory

Страна: Тайвань

Гарантия: СЦ производителя

Гарантия производителя: 30 лет

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Габариты упаковки (ширина), см: 5.5

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Ширина: 136 мм

Ширина: 6.76 см

Вес в упаковке, кг: 0.02

Количество в упаковке: 1

Габариты упаковки (длина), см: 17

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Вес без упаковки, кг: 0.036

Сантиметры
Габариты упаковки (длина), см: 17

Длина, см: 17

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, кг: 0.02

Количество в упаковке: 1

Габариты упаковки (ширина), см: 5.5

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Вес без упаковки, кг: 0.036

Габариты упаковки (высота), см: 1.5

Сантиметры
Высота, см: 5.4

Высота: 29 мм

Габариты упаковки (высота), см: 1.5

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Высота: 0.31 см

Вес в упаковке, кг: 0.02

Количество в упаковке: 1

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Вес без упаковки, кг: 0.036

Сантиметры
Габариты упаковки (ширина), см: 5.5

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Ширина: 136 мм

Ширина: 6.76 см

Вес в упаковке, кг: 0.02

Количество в упаковке: 1

Габариты упаковки (длина), см: 17

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Вес без упаковки, кг: 0.036

Сантиметры
Габариты упаковки (длина), см: 17

Длина, см: 17

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, кг: 0.02

Количество в упаковке: 1

Габариты упаковки (ширина), см: 5.5

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Вес без упаковки, кг: 0.036

Габариты упаковки (высота), см: 1.5

Сантиметры
Высота, см: 5.4

Высота: 29 мм

Габариты упаковки (высота), см: 1.5

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Высота: 0.31 см

Вес в упаковке, кг: 0.02

Количество в упаковке: 1

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Вес без упаковки, кг: 0.036

Сантиметры
Количество в упаковке: 1

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Количество ранков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 12800 Мб/с

Количество чипов: 16

Количество контактов: 204

Количество контактов: 204

Количество контактов: 204

Вес: 9 г

Вес без упаковки, кг: 0.036

Вес в упаковке, кг: 0.02

Габариты упаковки (длина), см: 17

Габариты упаковки (ширина), см: 5.5

Габариты упаковки (высота), см: 1.5

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Количество в упаковке: 1

Килограммы
Вес: 9 г

Вес без упаковки, кг: 0.036

Вес в упаковке, кг: 0.02

Габариты упаковки (длина), см: 17

Габариты упаковки (ширина), см: 5.5

Габариты упаковки (высота), см: 1.5

Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Вес в упаковке, г: 200

Вес в упаковке, г: 200

Количество в упаковке: 1

Килограммы
ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

Безразмерная величина
ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

Игровая: Нет

Тип: ОЗУ

Тип товара: Память оперативная

Тип: DDR3 SO-DIMM

Тип: DDR3 SO-DIMM

Тип: DDR3

Тип: модуль памяти

Вид поставки: Blister Pack/Street Retail

Вид поставки: Blister Pack/Street Retail

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Игровая: Нет

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Конструкция модуля памяти: двусторонняя

Буферизация памяти: не буферизованная

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: SODIMM

CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 11