Patriot Memory for Ultrabook 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800

Артикул: PSD34G1600L2S EAN: 815530015147

Последние изменения внес: Id: 102011 Внешний Id: fcffe3bc-2704-11e6-811c-3085a918de0c Типичные цены: 9,736022 USD - 53,245051 USD

Подтвержденные:

1000x1000 - (69608)

1158x828 - (128994)

699x291 - (611154)

571x750 - (101106)

693x542 - (67686)

712x522 - (66146)

Исключенные:

1025x456 - (103299)

1096x542 - (63535)

1025x456 - (103299)

1101x508 - (66303)

600x600 - (43634)

900x900 - (35451)

1000x471 - (117607)

400x400 - (18142)

447x229 - (130090)

1930x883 - (1130333)

1158x828 - (128994)

1500x1500 - (167099)

700x700 - (75099)

500x241 - (156668)

1930x883 - (1130333)

700x700 - (75099)

447x229 - (130090)

Только обязательные свойства

Название	Подказки	Значение	Единица измерения
Набор	Набор: 1 модуль ECC: нет Объем: 1 модуль 4Gb Объем одного модуля: 4 ГБ Объем одного модуля: 4 Гб Объем одного модуля: 4 Гб Объем одного модуля: 4 ГБ Объем одного модуля: 4 ГБ Объем модуля, Гб: 4 Объем одного модуля: 4096 Мб
Объем	Объем: 1 модуль 4Gb Объем одного модуля: 4 ГБ Объем памяти: 4 ГБ Общий объем: 4 Гб Объем одного модуля: 4 Гб Объем одного модуля: 4 Гб Объем одного модуля: 4096 Мб Суммарный объем: 4 ГБ Объем одного модуля: 4 ГБ Объем модуля, Гб: 4		Гигабайты
Тип	Тип: Модуль оперативной памяти Тип товара: Память оперативная Тип памяти: оперативная память DDR3L Тип памяти: DDR3L Тип памяти: DDR3L Тип памяти: DDR3L Тип памяти: DDR3L Тип памяти: DDR3L Тип памяти: DDR3L Тип памяти: DDR3L
ECC	ECC: нет Поддержка ECC: нет Поддержка ECC: нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC: Нет Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет
Частота	Частота: 1600 МГц Частота, мегагерц: 1600 Частота, мегагерц: 1600 Частота, мегагерц: 1600 Частота, мегагерц: 1600 Частота памяти: 1600 МГц Тактовая частота: 1600 МГц Тактовая частота: 1600 МГц Тактовая частота: 1600 МГц Тактовая частота: 1600 МГц		Мегагерцы
PC-индекс	PC-индекс: PC3-12800 Стандарт памяти: PC3-12800 Стандарт памяти: PC3-12800
CAS Latency	CAS Latency: 11 Т CAS Latency (CL): 11 CAS Latency (CL): 11 CAS Latency (CL): 11 CAS Latency (CL): 11 CAS Latency (CL): 11 CAS Latency (CL): 11 тактов CAS Latency (CL): 11 CAS Latency (CL): 11 CAS Latency (CL): 11
Тайминги	Тайминги: Тайминги Схема таймингов: CL11
Напряжение питания	Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1,35В		Вольты
Профили XMP	Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Профили AMP	Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет
Охлаждение	ECC: нет Система охлаждения: нет Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 30
Низкопрофильный модуль	Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная: Нет Низкопрофильная: Нет Набор: 1 модуль Объем: 1 модуль 4Gb
Ёмкость микросхем
Тип микросхем
Количество банков	Количество ранков: 2 Количество ранков: 1 Количество в упаковке: 1 Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 12800 Мб/с Количество чипов: 16 Количество чипов: 16 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество модулей в комплекте: 1 Количество контактов: 204 Количество чипов на модуле: 16 шт		Безразмерная величина
Число микросхем	Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет		Безразмерная величина
Напряжение питания при разгоне	Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1,35В Напряжение питания: 1,35В		Вольты
Производитель микросхем	Производитель: PATRIOT Производитель: Patriot Производитель: Patriot Производитель: PATRIOT MEMORY Производитель Onliner: Patriot Бренд: Patriot Бренд: PATRIOT Бренд: Patriot Бренд: PATRIOT Бренд: PATRIOT
Расположение чипов	Расположение чипов: двустороннее Расположение чипов: двустороннее Компоновка чипов: Двусторонняя Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: SODIMM Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя
Частота при разгоне	Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 12800 Мб/с Частота: 1600 МГц Частота памяти: 1600 МГц Частота памяти: 1600 МГц Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 1600 МГц Тактовая частота: 1600 МГц Тактовая частота: 1600 МГц Тактовая частота: 1600 МГц Тактовая частота: 1600 МГц Эффективная частота: 1600 МГц		Мегагерцы
Количество ранков	Количество ранков: 2 Количество ранков: 1 Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 12800 Мб/с Количество в упаковке: 1 Количество чипов: 16 Количество чипов: 16 Количество модулей в комплекте: 1 шт Количество модулей в комплекте: 1 Количество контактов: 204 Количество чипов на модуле: 16 шт		Безразмерная величина
Гарантия *	Гарантия: 10 лет Гарантия: 60 мес. Гарантия: 3 года Гарантия: 1 год Гарантия производителя: 30 лет Вид гарантии: гарантийный талон Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 30 Основные характеристики: Основные характеристики Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В		Месяцы
Срок службы *	Срок: 1		Месяцы
Время доставки по стране	дата доставки: 0 Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 30 Тип поставки: Retail Тип поставки: Retail Row Precharge Delay (tRP) Row Precharge Delay (tRP) Поскольку ОЗУ - динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ. Таким образом, данный показатель в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку - регенерацию ОЗУ -и разрешением на доступ к следующей строчке информации. Чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память.: 11 дата доставки: 2022-04-28 Страна: Тайвань Вид поставки: Blister Pack/Street Retail Страна: Тайвань Вид поставки: Blister Pack/Street Retail		Дни
Время доставки по городу	дата доставки: 0 Тип поставки: Retail Тип поставки: Retail дата доставки: 2022-04-28 RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 11		Дни
Производитель (страна, завод) *	Производитель: PATRIOT Производитель: PATRIOT MEMORY Производитель: Patriot Производитель: Patriot Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 30 Ссылка на описание на сайте производителя: www.patriotmemory.com Гарантия производителя: 30 лет Производитель Onliner: Patriot Сайт производителя: http://patriotmemory.com/ Код производителя: PSD34G1600L2S	Патриот Мемори ЛЛК. 47027 Бениция Стрит, Фремонт, КА 94538, США
Импортер	Основные характеристики: Основные характеристики	Неолинк ЧТУП 220073 г. Минск, пр. Пушкина, д. 52, пом. 1
Сервисные центры		ИП Титов О. М. (Минск, ул. Асаналиева, д. 72, пом. №5)
Комментарий	Activate to Precharge Delay (tRAS) Activate to Precharge Delay (tRAS) Минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. Высокий показатель данного параметра заметно сокращает производительность памяти, из-за того, что закрытие ячейки требует дополнительного времени, поэтому чем ниже значение tRAS, тем лучше.: 30 RAS to CAS Delay (tRCD) RAS to CAS Delay (tRCD) Показатель демонстрирует время полного доступа к данным, то есть задержку, вызванную поиском нужного столбца и строки в двухмерной таблице. Чем меньше значение, тем выше быстродействие ОЗУ.: 11 Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет	Собственная курьерская служба. Быстрая доставка в любую точку РБ. 80 пунктов самовывоза. Сервисная поддержка и доп. гарантия. Карты рассрочек Халва, Карта покупок, Черепаха, карта FUN и др. Рассрочка и кредит online до 36 месяцев. Работаем по безналу.
Вес *	Вес: 9 г Вес: 9 г Вес, кг: 0.022 Вес с упаковкой: 150 Габариты и вес: Габариты и вес Вес (брутто, кг): 0.1		Килограммы
Ширина в упаковке *	Ширина упаковки: 70 Количество в упаковке: 1 Длина упаковки: 170 Вес с упаковкой: 150 Высота упаковки: 30		Сантиметры
Длина в упаковке *	Вес с упаковкой: 150 Длина упаковки: 170 Количество в упаковке: 1 Длина, см: 16.6 Ширина упаковки: 70 Высота упаковки: 30		Сантиметры
Высота в упаковке *	Количество в упаковке: 1 Высота упаковки: 30 Ширина упаковки: 70 Высота, см: 5.2 Вес с упаковкой: 150 Длина упаковки: 170		Сантиметры
Вес в упаковке *	Вес: 9 г Вес, кг: 0.022 Вес: 9 г Вес с упаковкой: 150 Длина упаковки: 170 Количество в упаковке: 1 Высота упаковки: 30 Ширина упаковки: 70		Килограммы
Страна-производитель *	Страна: Тайвань Производитель: PATRIOT Производитель: PATRIOT MEMORY Производитель: Patriot Страна: Тайвань Производитель: Patriot Гарантия производителя: 30 лет Производитель Onliner: Patriot Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В
Ширина в упаковке 2	Ширина упаковки: 70 Количество в упаковке: 1 Длина упаковки: 170 Вес с упаковкой: 150 Высота упаковки: 30		Сантиметры
Длина в упаковке 2	Длина упаковки: 170 Количество в упаковке: 1 Длина, см: 16.6 Ширина упаковки: 70 Вес с упаковкой: 150 Высота упаковки: 30		Сантиметры
Высота в упаковке 2	Высота упаковки: 30 Высота, см: 5.2 Количество в упаковке: 1 Вес с упаковкой: 150 Длина упаковки: 170 Ширина упаковки: 70		Сантиметры
Ширина в упаковке 3	Ширина упаковки: 70 Количество в упаковке: 1 Длина упаковки: 170 Вес с упаковкой: 150 Высота упаковки: 30		Сантиметры
Длина в упаковке 3	Длина упаковки: 170 Количество в упаковке: 1 Длина, см: 16.6 Ширина упаковки: 70 Вес с упаковкой: 150 Высота упаковки: 30		Сантиметры
Высота в упаковке 3	Высота упаковки: 30 Высота, см: 5.2 Количество в упаковке: 1 Вес с упаковкой: 150 Длина упаковки: 170 Ширина упаковки: 70		Сантиметры
Количество упаковок	Количество в упаковке: 1 Количество ранков: 2 Количество ранков: 1 Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 12800 Мб/с Количество чипов: 16 Количество чипов: 16 Количество контактов: 204 Количество контактов: 204 Количество контактов: 204 Количество контактов: 204
Сборка
Вес упаковки 2	Вес: 9 г Вес: 9 г Вес с упаковкой: 150 Длина упаковки: 170 Высота упаковки: 30 Ширина упаковки: 70 Количество в упаковке: 1		Килограммы
Вес упаковки 3	Вес: 9 г Вес: 9 г Вес с упаковкой: 150 Длина упаковки: 170 Высота упаковки: 30 Ширина упаковки: 70 Количество в упаковке: 1		Килограммы
Честный знак	ECC: нет
ТН ВЭД *			Безразмерная величина
Акцизы	ECC: нет
Прослеживаемый товар	ECC: нет Игровая: Нет Игровая: Нет
Видео	Тип товара: Память оперативная Тип: Модуль оперативной памяти Вид гарантии: гарантийный талон Вид поставки: Blister Pack/Street Retail Вид поставки: Blister Pack/Street Retail Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет
Родитель	Назначение: для компьютера Назначение: для компьютера Игровая: Нет Игровая: Нет Количество в комплекте: 1 Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В Напряжение питания: 1.35 В
Акция	CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 11 Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: SODIMM

Свойства товаров из библиотеки

Описание

варианты сгенерировать описание

Товар	Все+ Все-

Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB 1600MHz 1.35V RTL PSD34G1600L2S
В нашем маркетплейсе вы можете купить "оперативная память Patriot PSD34G1600L2S" в Москве. Кэшбэк до 72 бонусных рубля. Товар доступен среди 1 интернет-магазинов. Цены начинаются от 1790 рублей
Модуль памяти Patriot Signature DDR3L 1600Mhz 4GB на 4 ГБ соответствует типу DDR3L и подходит для комплектации мобильных компьютеров, используемых для выполнения широкого круга задач. Вы можете как полностью модернизировать ноутбук, так и расширить объем его памяти. Используемая устройством тактовая частота — 1600 МГц. Если ваш компьютер не поддерживает этот показатель, модуль сможет работать на более низких частотах. В производстве применялась установка чипов на две стороны. Их суммарное количество — 16. Требуемое напряжение питания составляет 1,5 В. Модули производятся из высококачественных материалов, обеспечивающих надежность устройств.
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB 1600MHz 1.35V RTL PSD34G1600L2S