Редактировать

Patriot Memory for Ultrabook 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600

Артикул: PSD34G1333L2S EAN: 815530015130
Последние изменения внес: Id: 102009 Внешний Id: fcffe3ba-2704-11e6-811c-3085a918de0c Типичные цены: 12,802349 USD - 116,835413 USD
Подтвержденные:

1023x455 - (80825)

600x600 - (43954)

1094x455 - (51108)

711x521 - (51675)

1100x507 - (53975)

Исключенные:

400x177 - (24605)

400x166 - (15935)

400x293 - (27984)

400x177 - (24605)

711x387 - (137175)

400x400 - (20363)

500x308 - (120263)

533x242 - (25596)

500x308 - (32530)

711x387 - (137175)

686x312 - (155731)

686x312 - (155731)

500x242 - (47944)

500x242 - (47944)

500x308 - (32530)

Название Подказки Значение Единица измерения
Набор: нет

Набор: нет

Набор: нет

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

Объем: 4 ГБ

Объем: 4 ГБ

Объем: 4 ГБ

Объем: 1 модуль 4Gb

Объем: 4 ГБ

Объем: 4 ГБ

Объём: 4Gb

Объем памяти: 4 ГБ

Объем одного модуля: 4 ГБ

Оперативная память (объем): 4 ГБ

Гигабайты
Тип: DDR3

Тип: DDR3

Тип: DDR3 SO-DIMM

Тип: DDR3 SO-DIMM

Тип: DDR3 SO-DIMM

Тип памяти: оперативная память DDR3

Оперативная память (объем): 4 ГБ

Тип памяти: DDR3L

Тип памяти: DDR3L

Оперативная память (ECC): Non-ECC

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: нет

Оперативная память (ECC): Non-ECC

Перевірка і корекція помилок (ECC): non-ECC

Поддержка ECC: нет

Особенности: NON-ECCUnbuffered

Частота: 1333 МГц

Частота: 1333 МГц

Частота: 1333 МГц

Частота: 1333 МГц

Частота: 1333 МГц

Частота пам'яті: 1333 МГц

Частота памяти: 1333 МГц

Частота работы шины памяти, МГц: 1333

Тактовая частота: 1333 МГц

Тактовая частота: 1333 МГц

Мегагерцы
PC-индекс: PC3-10600

PC-индекс: PC3-10600

PC-индекс: PC3-10600

PC-индекс: PC3-10600

PC-индекс: PC3-10600

PC-индекс: PC3-10600

CAS Latency: 9 Т

CAS Latency: 9T

CAS Latency: 9T

CAS Latency: 9T

CAS Latency: 9T

CAS Latency: 9T

CAS Latency (CL): 9

CAS Latency (CL): 9

CAS Latency (CL): 9

CAS Latency (CL) CAS Latency (CL) Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как ЦП попросит доступ на считывание. Чем меньше показатель CAS Latency, тем лучше.: 9

Тайминги: Тайминги

Тайминги: 9

Таймінги: CL9

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В

Вольты
Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Профили AMP: Нет

Профили AMP: нет

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Профили XMP: нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная: Нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Охлаждение: нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: Нет

Охлаждение: нет

Тип охлаждения: Без охлаждения

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильный модуль: Нет

Низкопрофильный модуль: нет

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Низкопрофильная Низкопрофильная Модуль оперативной памяти с малой толщиной рамки. Отличается компактными размерами и высокой плотностью памяти, поэтому использование таких модулей актуально для тонких и небольших корпусов.: Нет

Низкопрофильная: Нет

Набор: 1 модуль

Набор: 1 модуль

Профили XMP: нет

Профили XMP: Нет

Ёмкость микросхем: 2 Гбит

Число микросхем: 16

Число микросхем: 16

Ёмкость микросхем: 2 Гбит

Тип: DDR3

Тип: DDR3

Количество банков: 2

Количество ранков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 10600 Мб/с

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 204-pin

Количество планок в комплекте, шт: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество чипов каждого модуля: 16

Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1

Количество контактов: 204

Безразмерная величина
Число микросхем: 16

Ёмкость микросхем: 2 Гбит

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Безразмерная величина
Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Питание: 1.35 В

Вольты
Производитель: PATRIOT

Производитель: Patriot

Бренд: Patriot

Число микросхем: 16

Ёмкость микросхем: 2 Гбит

Сайт производителя: www.patriotmemory.com

Виробник: Patriot

Гарантия производителя: 30 лет

Расположение чипов: двустороннее

Компоновка чипов: Двусторонняя

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: SODIMM

Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя

Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя

Технические характеристики: двустороннее

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 10600 Мб/с

Частота: 1333 МГц

Частота: 1333 МГц

Частота: 1333 МГц

Частота: 1333 МГц

Частота: 1333 МГц

Частота памяти: 1333 МГц

Частота пам'яті: 1333 МГц

Эффективная частота Эффективная частота Тактовая частота выражается в циклах. Каждая запись и каждое считывание данных – это один цикл. К примеру, RAM с частотой 3200 МГц выполняет 3200 млн циклов в секунду. Чем больше циклов, тем больше информации за единицу времени может «принять» и «отдать» память.: 1333 МГц

Частота работы шины памяти, МГц: 1333

Мегагерцы
Количество ранков: 2

Количество банков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 10600 Мб/с

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество контактов: 204-pin

Количество планок в комплекте, шт: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество чипов каждого модуля: 16

Количество модулей памяти в комплекте, шт.: 1

Количество контактов: 204

Безразмерная величина
Гарантия: 10 лет

Срок гарантии: 1 год

Гарантия производителя: 30 лет

Вид гарантии: гарантийный талон

Гарантія, міс: 60

Основные характеристики: Основные характеристики

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В

Месяцы
Месяцы
Поставка: Retail

Тип поставки: Retail

Тип поставки: Retail

Вид поставки: Retail

Вид поставки: Retail

Страна: Китай

Страна: Тайвань

Дни
Поставка: Retail

Тип поставки: Retail

Тип поставки: Retail

Вид поставки: Retail

Вид поставки: Retail

Дни
Производитель: PATRIOT

Производитель: Patriot

Страна: Китай

Гарантия производителя: 30 лет

Сайт производителя: www.patriotmemory.com

Артикул производителя (Part Number): PSD34G1333L2S

Артикул производителя (Part Number): PSD34G1333L2S

Страна: Тайвань

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 10600 Мб/с

Напряжение питания Напряжение питания Работа оперативной памяти зависит и от ее модификации, и от параметра напряжения питания. Стандартными показателями являются 1.5 В для DDR3 (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В) и 1.2 В – для DDR4.: 1.35 В

Основные характеристики: Основные характеристики

Поддержка ECC Поддержка ECC Тип компьютерной памяти, которая автоматически распознает и исправляет спонтанно возникшие изменения (ошибки) битов памяти.: Нет

Вес: 9 г

Вес: 0.027 кг

Вес: 9 г

Габариты и вес: Габариты и вес

Вес (брутто, кг): 0.1

Килограммы
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Вес: 9 г

Вес: 0.027 кг

Вес: 9 г

Килограммы
Страна: Китай

Производитель: PATRIOT

Производитель: Patriot

Страна: Тайвань

Гарантия производителя: 30 лет

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Питание: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Сантиметры
Количество банков: 2

Количество ранков: 2

Пропускная способность Пропускная способность Пропускная способность (пиковый показатель скорости передачи данных) – это комплексный показатель возможности оперативной памяти, в нем учитываются частота передачи данных, разрядность шины и количество каналов. Не стоит недооценивать данный параметр, поскольку он напрямую влияет на быстродействие компьютерной системы в целом. Оптимального взаимодействия можно добиться в том случае, если пропускная способность шины памяти соответствует пропускной способности шины процессора.: 10600 Мб/с

Количество контактов: 204-pin

Количество контактов: 204

Количество контактов: 204

Количество модулей в комплекте: 1 шт

Количество планок в комплекте, шт: 1

Количество модулей в комплекте: 1

Количество чипов каждого модуля: 16

Вес: 9 г

Вес: 9 г

Килограммы
Вес: 9 г

Вес: 9 г

Килограммы
ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: нет

Безразмерная величина
ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: нет

ECC: Нет

ECC: нет

Тип: DDR3

Тип: DDR3

Тип: DDR3 SO-DIMM

Тип: DDR3 SO-DIMM

Тип: DDR3 SO-DIMM

Вид гарантии: гарантийный талон

Вид поставки: Retail

Вид поставки: Retail

Буферизованная (регистровая) Буферизованная (регистровая) Вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Их наличие уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале.: Нет

Питание: 1.35 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.5 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Напряжение питания: 1.35 В

Форм-фактор Форм-фактор Форм-фактор оперативной памяти по своей сути представляет собой ее конструкцию: DIMM или RDIMM. Форм-фактор отображает размеры модуля памяти, количество и расположение контактов. Различные форм-факторы несовместимы между собой.: SODIMM