Память DDR4 4Gb 2666MHz Hynix HMA851S6JJR6N-VKN0 OEM PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank OEM HMA851S6JJR6N-VKN0
Основная информация о товаре
97170737
SO-DIMM
HYNIX
HMA851S6JJR6N-VKN0
-
-
-
26.05.2023 05:01:18
24.02.2024 09:14:21
Да
22
3 / 3
Фотографии
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Бренд | HYNIX |
| Тип памяти | DDR4 |
| Объем | 4096 МБ |
| Частотная спецификация | 2666 |
| Количество в упаковке | 1 |
| Тип поставки | OEM |
| Форм-фактор | SO-DIMM |
| Буферизация | unbuffered |
| Количество контактов | 260-pin |
| Показатель скорости | PC4-21300 |
| Скорость (тест) | 2666МГц |
| Напряжение (тест) | 1.2В |
| Латентность | CL19 |
| Количество рангов (Ranks) | single rank |
| PartNumber/Артикул Производителя | HMA851S6JJR6N-VKN0 |
| Модель | HMA851S6JJR6N-VKN0 |
| Задержка (тест) | 19-19-19 |
| Объем одного модуля | 4 ГБ |
| Суммарный объем памяти всего комплекта | 4 ГБ |
| Тип | Оперативная память |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |