Оперативная память QUMO 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 QUM3S-4G1600C11L
Основная информация о товаре
9334385
-
-
-
-
75,40 BYN
-
06.10.2021 06:57:59
30.03.2023 19:19:50
Да
19
0 / 0
Свойства
| Название | Значение |
|---|---|
| Производитель | QUMO |
| Модель | 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 QUM3S-4G1600C11L |
| Тип | DDR3 SO-DIMM |
| Объем | 4 ГБ |
| Набор | 1 модуль |
| Частота | 1600 МГц |
| PC-индекс | PC3-12800 |
| CAS Latency | 11T |
| Тайминги | 11-11-11-30 |
| Напряжение питания | 1.35 В |
| Ёмкость микросхем | 4 Гбит |
| Тип микросхем | 512Mx8 |
| Производитель бренда | QУМО ЛТД,Рм 1808-1810,Но.1 Хунг То Роад, Квун Тонг,КЛН, Хонг Конг,Гонконг на заводе:Щензхен Бригхт Футуре Течнологу Ко.,Лтд,Бригхт Футуре Течнологу Парк,Тонгфу(QUMO LTD,Rm 1808-1810,No.1 Hung To Road, Kwun Tong,KLN, Hong Kong,Гонконг на заводе:Shenzhen Bright Future Technology Co.,Ltd,Bright Future Technology Park,Tongfy)Дополнительная информацияСайт производителя: http://qumo.ru/ |
| Страна производства | Китай |
| Гарантия | 12 мес. |
| Гарантийное сервисное обслуживание | Нет данных |
| Гарантийное обслуживание осуществляется в: | Список сервис-центров |
| Число микросхем | 8 |
| Импортер/поставщик | ПоказатьООО "АвиаСити", 220088, г. Минск, ЗАХАРОВА И.А. ул., дом № 50, корпус В, помещение 8Н |